STM32H743ZGT6 STMicroelectronics STM32H7 高性能MCU
数据:
STMicroelectronics STM32H7高性能MCU.pdf
STMicroelectronics STM32H7高性能MCU基于高性能Arm® Cortex®-M7 32位RISC内核,工作频率高达400MHz。Cortex-M7内核具有浮点单元 (FPU) 精度,支持Arm双精度(符合IEEE 754标准)和单精度数据处理指令与数据类型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存储器保护单元 (MPU),可增强应用的安全性。
该MCU采用高速嵌入式存储器,具有高达2MB的双区闪存、1 MB的RAM(包括192 KB的TCM RAM、864KB的用户SRAM以及4KB的备份SRAM)。另外,该器件还具有各种连接到APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵的增强型I/O和外设,以及支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。
该器件设有三个ADC、两个DAC、两个超低功耗比较器、一个低功耗RTC、一个高分辨率定时器、12个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器、五个低功耗定时器和一个真随机数发生器 (RNG)。该器件支持四个用于外部Σ-Δ调制器 (DFSDM) 的数字滤波器,并设有标准和高级通信接口。
特性
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核心
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具有双精度FPU和L1高速缓存的32位 Arm® Cortex®-M7内核:16KB数据和16KB指令高速缓存,
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支持从256位嵌入式闪存单次访问一条高速缓存线;频率高达400MHz,MPU、856DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) 和DSP指令
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存储器
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高达2Mbyte闪存,具有同时读写能力
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1MB的RAM:192KB的TCM RAM(包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM,用于存储时间敏感的关键程序或数据)、864KB的用户SRAM,以及4KB备份域SRAM
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双模Quad-SPI存储器接口,运行频率高达133MHz
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具有高达32位数据总线的灵活外部存储器控制器:在同步模式下,SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存的时钟频率高达133MHz
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CRC计算单元
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安全性
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通用输入/输出
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多达168个具有中断能力的I/O端口
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运行速率高达133MHz的快速I/O
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多达164个5V容差I/O
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复位和电源管理
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3个独立的电源域,可以独立地进行时钟门控或关闭,以最大限度地提高电源效率:
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D1:可实现高带宽的高性能外设
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D2:通信外设和计时器
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D3:复位/时钟控制/电源管理
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1.62V至3.6V应用电源和I/O
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POR、PDR、PVD和BOR
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嵌入3.3V内部稳压器的专用USB电源,可为内部PHY供电
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具有可配置的可扩展输出的嵌入式稳压器 (LDO),可为数字电路供电
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在运行和停止模式下进行电压调节(5个可配置范围)
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备份稳压器 (~0.9V)
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模拟外设的参考电压/VREF+
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低功耗模式:睡眠、停止、待机以及VBAT支持电池充电
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低功耗
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时钟管理
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内部振荡器:64kHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、40kHz LSI
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外部振荡器:4MHz - 48MHz HSE、32.768kHz LSE
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3个带分数模式的PLL(1个用于系统时钟,2个用于内核时钟)
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