T4050-6PF STMicroelectronics标准产品

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分立式

abbr. electrically erasable programmable read-only memory 电可擦除只读存储器

放大器和比较器

STMicroelectronics放大器和比较器是各种通用型和行业标准的引脚到引脚替代产品。这些产品包括LM3和LM29系列，以及高达44V的运算放大器。另外还包括TL06/07/08系列的结型场效应晶体管 (JFET) 低输入偏置电流运算放大器。可提供大量获得汽车级认证（符合AEC-Q100标准）的电压基准，并且这些产品具有最高质量和可靠性。ST运算放大器有助于增强信号链，非常适合用于与微控制器和模拟传感器搭配使用。

线性稳压器

STMicroelectronics线性稳压器可满足任何清洁电源要求。线性稳压器产品组合提供的解决方案可满足任何性能要求。

这些稳压器可实现稳定的正负输出，并能迎合现代工业时代的所有主要趋势。该稳压器产品组合采用最小外形尺寸封装，其特性包括低压差和静态电流或最佳瞬态响应、纹波抑制和低噪声。

电压基准

STMicroelectronics电压基准可在不影响性能的情况下提供最佳解决方案。ST产品组合可提供各种固定和可调电压基准。这些电压基准既包括通用大功率分流器，也包括最先进的高精度和低功耗器件。

这些产品适合用于工业和SMPS应用，以及电池供电应用或高精度设备。典型应用包括应用于敏感环境中的汽车和航空电子设备或实验室仪器等。

接口IC

STMicroelectronics接口IC符合流行的行业标准协议，包括RS-232、RS-422、RS-423以及RS-485。这些IC有各种发射器/接收器配置可选，数据速率高达30Mbit/s。

这些接口IC符合恶劣工业环境的要求，工作电压范围为3至5.5V。这些IC具有增强的ESD保护功能（15kV HBM、8kV接触放电）和扩展温度范围（-40°C至125°C）。

复位和监控器IC

STMicroelectronics复位和监控器IC通常为强制性构建块，用于确保电子系统得到适当监控。该功能对于关键的工业应用尤其重要，因为这些应用中的现代微控制器功能可能不符合安全要求。

复位和监控器IC产品组合具有各种功能，例如微处理器监控器、复位以及电压检测器。其他功能包括看门狗定时器，以及可提供极其广泛且精细的监控电压的电压保护IC。

功率双极晶体管和IGBT

STMicroelectronics功率双极晶体管和IGBT是标准功率双极晶体管的大型产品组合。这些晶体管采用平面基岛扩散集电极和双金属工艺技术，具有高电流增益特性。

其中包括NPN和PNP达林顿晶体管以及双极结型晶体管 (BJT)，具有高hFE和低VCE(sat) 以及VCES，电压和电流范围分别为15V至1500V与1.5A至25A。该器件采用小尺寸、薄型的无引线SMD塑料封装，散热性能极佳。因此非常适合用于通用、工业和电机控制应用。

还可提供一系列采用平面（穿通）技术制造的标准IGBT。这些IGBT具有负VCE(sat) 系数，并可在温度不断升高的情况下实现智能静态和动态平衡。这些产品设计用于通用电机控制应用，提供各种封装和多种合装二极管选项。

功率MOSFET

STMicroelectronics功率MOSFET包括标准MOSFET的大型产品组合，击穿电压高达1000V，RDS(on) 范围为25mΩ到8.5Ω。这些标准MOSFET有助于简化设计并提高应用效率。

应用包括SMPS、显示器和电视适配器、辅助电源、电机控制、电池充电器、UPS、计量、LED驱动器和HF镇流器。由于具有出色的耐用性，因此即使在遭受大电压瞬变的情况下性能也极为可靠。该产品系列采用各种通孔和SMD封装。

二极管和整流器

STMicroelectronics二极管和整流器包括各种低电压降、低漏电流肖特基二极管，具有与其尺寸相配的大电流处理能力，适用于需要开关电源的应用。SMA Flat、SMB Flat、PowerFlat、SOD123和SOD123Flat器件为1至8A、30至150V开关腾出了空间，从而为这些应用节省预算。

提供包括有用的热阻抗值和雪崩脉冲曲线的数据手册，可供工程师精确调整设计，从而确保功能强大的成品。

可控硅整流器和三端双向可控硅

STMicroelectronics可控硅整流器和三端双向可控硅产品组合针对150°C结温进行了改进，适用于固态开关应用。这些器件具有25°C的裕度增益，可为晶闸管提供更多灌电流。散热器和控制模块的尺寸更小，也可以产生立竿见影的效果。

外壳可以使用较少的空气冷却或采用更小尺寸。该系列中的全新SMD型号（D2PAK、DPAK、SOT-223）进一步精简了尺寸。得益于技术改进，STMicroelectronics可在150°C（而非先前的125°C）的全温下指定静态和动态参数。

数据手册参数曲线中规定了满负载下的有用额定值，可用于紧凑尺寸设计。800V 150°C器件的关断能力和抗干扰能力得到了明确的体现，并且可用于亲身实践设计计算的入门。

串行abbr. electrically erasable programmable read-only memory 电可擦除只读存储器

STMicroelectronics串行abbr. electrically erasable programmable read-only memory 电可擦除只读存储器产品组合中器件的数据速率为1Kbit到2Mbit，设有SPI、I2C和Microwire接口。这些产品的特性包括：每个字节最多可以提供400万个写入/擦除周期、每个器件超过1亿次循环以及超过100年的安全数据保留。

该abbr. electrically erasable programmable read-only memory 电可擦除只读存储器具有同类最佳的性能，并可确保对参数、数据和小型代码存储进行最安全、最灵活的管理。汽车系列受益于ST的零缺陷方法，可为高可靠性应用提供稳健耐用的高性能产品。

ST abbr. electrically erasable programmable read-only memory 电可擦除只读存储器采用坚固的主流SO8N、TSSOP8、DFN8封装，以及DFN5、WLCSP8球、5球和4球微型封装。