NCV51511 100V高频 高侧和低侧栅极驱动器

NCV51511是高侧和低侧栅极驱动IC，专为高压，高速，驱动高达80 V的MOSFET而设计.NCV51511集成了驱动器IC和自举二极管。驱动器IC具有低延迟时间和匹配的PWM输入传播延迟，进一步提高了器件的性能。高速双栅极驱动器设计用于驱动半桥中N沟道MOSFET的高侧和低侧或synchronousbuck配置。浮动高侧驱动器能够在高达80 V的电源电压下工作。在双栅极驱动器中，高侧和低侧均具有独立输入，允许应用中输入控制信号的最大灵活性。 PWM输入信号（高电平）可以是3.3 V，5 V或高达VDD逻辑输入，以覆盖所有可能的应用。