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NSB9435 PNP双极数字晶体管(BRT)

数据: 数据表:高电流偏置电阻晶体管

该数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。双极数字晶体管包含一个单晶体管,其单片偏置网络由两个电阻组成;一系列基极电阻和基极 - 发射极电阻。这通过将它们集成到单个设备中来消除这些单独的组件,并且可以降低系统成本和电路板空间。
特性
  • 集电极 - 发射极维持电压 - V CEO(sus) = 30 Vdc(Min)@ I C = 10 mAdc
  • 高直流电流增益-h FE = 125(最小值)@ I C = 0.8 Adc
    = 90(Min)@ I C = 3.0 Adc
  • 低集电极 - 发射极饱和电压 - V CE(sat ) = 0.275 Vdc(Max)@ I C = 1.2 Adc
    = 0.55 Vdc(Max)@ I C = 3.0 Adc
  • SOT-223表面贴装包装
  • ESD等级 - 人体模型:1B级
    - 机器型号:B级
  • 无铅封装可用
  • 汽车和O的NSV前缀需要独特站点和控制变更要求的应用程序; AECQ101
    合格且有PPAP能力

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(7)
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