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FFSH40120ADN-F085 SiC 双芯片 1200 V 40 A.

数据：数据表：碳化硅肖特基二极管

碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度无关的开关特性，以及出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率，更快的工作频率，更高的功率密度，更低的EMI以及更小的系统尺寸和系统尺寸。成本

特性
最高结温175°C
雪崩额定100 mJ
正温度系数
无逆向恢复/无正向恢复
符合AEC-Q101和PPAP能力

应用	终端产品
汽车用HEV-EV车载充电器汽车HEV-EV DC-DC转换器	汽车HEV-EV车载充电器

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册（1）相关资料（2）

数据表：碳化硅肖特基二极管

元器件购买 FFSH40120ADN-F085 相关库存

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