锁定大功率转换应用 飞兆强推SiC功率元件

　　为改善过去采用硅（Si）材料开发的功率元件无法耐高温环境、低承受电压值等缺陷，飞兆半导体（Fairchild）已改用碳化硅（SiC）材料量产双极接面电晶体（BJT），且持续开发出新一代产品，准备大举插旗太阳能装置、风能、轻轨牵引（Rail Traction）等大功率转换应用版图。

　　飞兆半导体资深技术副总裁兼首席技术长Dan Kinzer表示，SiC BJT未来将在大功率转换应用的电源管理扮演举足轻重的角色。

　　飞兆半导体资深技术副总裁兼首席技术长Dan Kinzer表示，该公司正在开发的新一代SiC BJT产品中，1，200伏特元件将涵盖使用工业三相线路电压供应440交流电压（VAC）的应用，甚至可支援超过500伏特的较高线路电压，和中大规模太阳能装置中高达1，000∼1，500伏特电压运作的逆变器（Inverter），以及同样需要较高电压和电流的风力发电和轻轨牵引。至于1，700伏特或更高额定电压SiC BJT元件，将较采用硅开发的绝缘闸双极电晶体（IGBT）具有更高转换效率优势，且具备更高的阻隔电压，因此可减缓电力损耗。

　　据了解，飞兆半导体系藉由收购TranSiC掌握SiC BJT技术能量，并已发布首批产品，将积极在产品线推陈出新，以扩大在大功率转换应用的市占。

　　Kinzer指出，不同于硅功率元件，SiC功率元件需要完全不同的制程；此外，SiC功率元件的晶圆更小（目前为4寸），且缺陷密度比硅功率元件高出许多。目前该公司已克服上述技术难题，并开发出高良率的制程，可减少SiC基板中缺陷的影响。

　　相较于硅功率元件，SiC功率元件可减少约50%的电力损耗，且在相似的损耗条件下，可实现最高四倍的频率提升，也因此，对于需要最佳性能和功率密度的系统而言，SiC功率元件（包含BJT）将为首选方案，特别适用于钻井、太阳能/风力系统逆变器、电动/混合动力车、工业马达、不断电系统（UPS）等大功率转换应用。