日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:40
1439 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 `深圳市三佛科技有限公司 供应-20V -4A SOT-23 P沟道 MOS 带ESD静电保护 HN3415，原装，库存现货热销HN3415参数：-20V -4A SOT-23 P沟道 MOS管
2021-05-08 15:24:44
型号：HC160N1038VDS：100VIDS：3A封装：SOT-23沟道：N沟道100V MOS管HC160N1038 原厂mos，库存现货热销可以替代SI2328DS售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术上
2020-11-20 13:54:17
``近日，2016年第五届中国创新创业大赛（上海赛区）落下帷幕，上海灵动微电子股份有限公司经过多轮角逐，荣获上海赛区企业组优胜奖并进入全国赛。 中国创新创业大赛由科技部、教育部、财政部等发起，由
2016-09-27 11:42:17
（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD额定值：2500V hbm●高功率和电流处理能力●获得无铅产品●表面安装包。HN3415参数：-20V -4A SOT-23 P沟道MOS管
2021-03-11 11:14:52
。阿里店铺：阿里 “供应商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨询客服购买。【***赖,0755-85279055】【20V MOS N/P沟道】HN3415： -20V -4A SOT-23 P沟道
2021-03-30 14:22:40
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
光电二极管荣获行业媒体《电子发烧友》（Elecfans）2022年度中国IoT创新奖“传感器技术奖”。第七届中国IoT创新奖旨在表彰过去一年推出的对物联网（IoT）行业具有深远影响的产品和技术。入围提名以
2023-02-21 11:24:22
沟道SOT23-3 150V 2ASL3415P沟道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P沟道SOT23-3 -20V 4ASL3423P沟道SOT23-3 -20V 3A可
2020-06-10 14:03:57
安森美半导体新推出的互补金属氧化物半导体(CMOS)数字图像传感器AR0430用于物联网(IoT)、增强现实/虚拟现实(AR/VR)和安防摄像机应用，荣获CES 2018创新奖。在标准成像模式下
2018-10-11 14:09:54
`深圳市三佛科技有限公司 供应 CJ3415 长电 SOT-23 -20V -4A MOS管，原装，库存现货热销CJ3415参数： -20V -4A SOT-23 MOS管/场效应管P沟道品牌：长电
2020-10-15 15:18:23
创新奖南京大学基于车联网的新型无人驾驶智慧城市路口设计内网穿透队周海波姜高翔、裘景一、贲驰四、广和通荣获物联网大赛最佳支持奖五、现场活动图
2022-12-08 16:00:24
MOSFET 切换高于5V 的电压，则需要另一个晶体管（某种晶体管）来打开和关闭它。P 沟道场效应管P沟道区域位于P沟道MOSFET的源极和漏极之间。它是一个四端子器件，具有以下端子：栅极、漏极、源极和主体
2023-02-02 16:26:45
`品牌：NCE新洁能型号：NCE3416封装：SOT23-6批号：批号FET类型：N沟道漏源电压（Vdss）：20V漏极电流(Id)：6.5A漏源导通电阻(RDS On)：16栅源电压(Vgs
2021-07-21 16:14:39
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
SOT23-3L100V 5ASL3N10N沟道SOT23-3L100V 3ASL2N15N沟道SOT23-3 150V 2ASL3415P沟道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P沟道
2020-06-09 14:25:52
、售前服务及服务，给用户提供最优质最具竞争力的产品以及最人性化最贴心的服务。我司还提供以下MOS管产品：SL2302N沟道SOT23-3 20V4.2A可替代 SI2302SL3414N沟道
2020-06-30 11:26:07
，深圳市三佛科技有限公司，咨询客服购买。【***赖,0755-85279055】更多中低压MOS管产品如下：【20V MOS N/P沟道】HN3415： -20V -4A SOT-23 P沟道 MOS管
2020-10-22 15:48:45
我想知道STL62P3LLH6 P沟道MOSFET的安全工作区图表是否正确http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet
2019-07-29 12:23:12
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
`2016（第七届）企业幸福指数评选颁奖典礼于12月13日在北京香格里拉酒店举行，完美世界股份有限公司荣获“2016年最走心员工关怀奖”。 图一、完美世界是唯一获得“2016年最走心员工关怀奖
2016-12-14 18:17:03
。 二、技术创新奖评选标准1. 参评对象必须是2014 – 2017年度推出新产品或特定技术；2. 参评对象必须适用于中国市场，同时达国际领先水平，或者帮助中国IoT行业达到或领先相同领域的国际先进水平
2017-10-12 17:15:13
`热烈庆祝一博科技荣获Cadence2013用户大会杰出论文奖！EDA业内瞩目的年度活动Cadence用户大会CDNLive于2013年9月12日于北京香格里拉酒店召开。此会议集聚中国产业链高阶主管
2013-09-24 09:07:09
`热烈庆祝一博科技设计团队荣获“EDN China 2013年度创新工程师奖”！2013年（第八届）EDN China创新大会颁奖典礼于11月12日在上海浦东Holiday Inn酒店举办，本届
2013-11-21 17:51:10
/EDN-Taiwan)和《国际电子商情》(ESM-China)五大媒体联手举办的“2017年大中华IC设计成就奖”颁奖典礼在上海浦东嘉里大酒店隆重举行。“大中华IC设计成就奖”是针对于大中华区（中国大陆、***和香港
2017-03-27 09:06:15
SOT23-3L100V 3ASL2N15N沟道SOT23-3 150V 2ASL3415P沟道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P沟道SOT23-3 -20V
2020-06-10 13:49:34
测试我司还提供以下MOS管产品：SL2302N沟道SOT23-3 20V4.2A可替代 SI2302SL3414N沟道SOT23-3 20V6A 可替代AO3414SL3414E N沟道
2020-06-09 15:01:23
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
，园区管委会对 新获省级及以上专精特新“小巨人”、单项冠军、智能制造示范企业（车间），主导制定行业标准的企业 ，授予“科技创新示范奖”。在本次评先评优活动中，华秋有幸被授予了“科技创新示范奖”。作为
2023-02-27 14:20:51
年会千峰之夜颁奖晚宴上，在一百余位产业互联网企业决策人、投资人及业界人士的共同见证下，2023产业互联网千峰奖正式揭晓。华秋凭借其卓越的数字化实力和创新能力，在众多优秀的候选者中脱颖而出，荣获了
2023-12-15 09:53:36
价值奖10个、创新突破奖10个、自主品牌奖10个、十佳分销商奖10个、诚信企业奖20个。在此次评选中，华秋电子荣获十佳分销商奖。 长期以来，电子行业呈现“物料采购周期长、采购成本高、工艺及品质管控杂乱
2023-02-27 15:11:40
价值奖10个、创新突破奖10个、自主品牌奖10个、十佳分销商奖10个、诚信企业奖20个。在此次评选中，华秋电子荣获十佳分销商奖。长期以来，电子行业呈现“物料采购周期长、采购成本高、工艺及品质管控杂乱
2023-02-27 14:52:41
字文件以进行编辑和后期制作，再到使用一台数字电影摄像机的全数字化工作流程。所有这些选择都说明这些荣获奥斯卡最佳摄影奖的最佳艺术家都选择相同的系统来拍摄他们的获奖影片。在过去的五年中，获此奖项的每一部电影
2018-10-23 09:07:09
的能量收集嵌入式微控制器（MCU）RE荣获由全球电子技术领域知名媒体集团Aspencore评选出的2019年度MCU产品奖。该奖项此次共收到来自行业内知名半导体供应商的100多款候选产品，通过Aspencore编辑的评估，挑选出10多款产品入围，最终RE脱颖而出，获得该产品奖。
2020-10-22 16:47:48
MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。同步整流器应用几乎总是使用N沟道技术，这主要
2021-04-09 09:20:10
CEO奖（10名）、技术创新奖（20名），产品金狮奖（30名）12月7日上午：分析师早餐会、IoT投资论坛2017中国IoT新锐CEO奖、现正在火热提名中，欲了解[url=https
2017-08-09 10:19:08
杰出的产品性能和独特的架构设计，荣获光模块类“2021年度创新产品奖”。 颠覆传统，创新突破 易飞扬400G QSFP-DD LR8是一款可热插拔的光收发模块，采用单PCB设计，三温情况下功耗低于
2021-06-28 14:01:02
有没有人用过SI2307 P沟道MOSFET?不知道为什么5V的电压无法关断、、、是不是设计问题？
2016-08-28 18:29:46
评审后，机智云与美的、海尔、华为、美菱等企业一同成功入围，最终机智云智能家电运营管理服务平台荣获2017年度中国家电艾普兰奖“智能创新奖”。机智云智能家电运营管理服务平台机智云4.0智能家电运营管理
2017-03-13 18:30:00
，江苏润和软件股份有限公司（以下简称“润和软件”）受邀参会，并在华为终端云开发者联盟举办的“一站式开发者服务及开放能力”分论坛上荣获“华为开发者联盟 2022年度最佳生态服务商奖”。在本次大会上，润
2022-11-09 10:24:44
，观展人数超过16万人次。 MM32 MCU产品荣获“CITE 2018集成电路MCU产品创新奖”在此次博览会上灵动的MM32系列MCU产品从参展的众多产品中脱颖而出，荣获了“CITE2018集成电路
2018-04-13 10:38:14
`热烈祝货新乡学院电子创新工作室成员获得全国机器人大赛ROBTAC二等奖`
2015-07-14 22:53:51
近日，罗姆凭借超低功耗降压型电源IC“BD70522GUL”荣获中国IoT杰出技术创新奖！新产品“BD70522GUL”是以IoT市场的关键词“纽扣电池10年驱动”为目标开发而成的超低功耗降压型电源
2019-07-11 04:20:24
China 2006 年度创新奖颁发优胜产品奖给网络通信和电源器件与模块类产品 《电脑世界》荣誉计划供应链管理解决方案杰出成就桂冠 中兴通讯“2006年全球最佳合作伙伴”奖 乐山—菲尼克斯半导体
2014-05-21 10:13:17
AOB240LLT8818EFXT代替AOC2804LT4205FNT代替Si7655DN……………………………………………………………………深圳市芯美力科技有限公司吴先生***【微信同步】QQ3557033601
2021-09-03 15:29:29
20V N-沟道增强型MOSFET
20V N-沟道增强型MOSFET简介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 沟道增强型MOSFET管
20V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:36:2023 20V N沟道增强型MOSFET管
20V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:39:0026 华虹荣获“积极参与奖”和“产品创新奖”
第七届中国国际集成电路博览会暨高峰论坛（IC CHINA 2009）于日前在苏州国际博览中心召开。由工业和信息化部、科学技术部
2009-11-13 08:59:28543 瑞昱RTD1073全高清数位媒体处理器荣获EDN China 2009年度创新奖
2009年11月19日10:03:15
网路与多媒体晶片大厂瑞昱半导体今天宣布，瑞
2009-11-19 10:03:201181 Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23650 2009年度EDN China颁发的“工程师最喜爱的技术服务分销商”奖项
2009年度EDN China创新奖特别设置了“工程师最喜爱的技术服务分销商”奖项，旨在表彰在中国境内进行元
2009-12-02 11:17:48626 P沟道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351550 北京2010年11月22日电 /美通社亚洲/ -- 安富利电子元件中国荣获EDN China 2010年度创新奖“工程师最喜爱的技术服务分销商”大奖。EDN China 于11月17日在深圳举行的创新奖
2010-11-22 12:38:31669 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率
2011-10-21 08:53:05873 ADI在2011年度“EDN China创新奖”的评选中，ADI凭借 ADV7619 、 AD8283 以及 ADSP-BF592 三款性能优异、富有创新的产品最终分别获得“电源器件与模块”最佳产品奖、“模拟与混合信号”优秀产
2011-12-05 11:30:11652 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其SiR870DP功率MOSFET和34 THE霍尔效应传感器荣获EDN China 2011创新奖。
2011-12-06 15:51:27719 安捷伦科技公司日前宣布，旗下 Infiniium 2000 和 3000 X 系列示波器荣膺 2011 年度 EDN China 最佳测试与测量类产品创新奖。
2012-01-11 09:27:09605 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布，其面向LTE专向应用而开发的LTE(FDD和TDD)优化收发器---MB86L13A荣获EDN China 2012年度创新奖“通信与网络类手机组”之最佳产品奖
2012-11-16 14:22:06979 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，该公司的20V P沟道功率MOSFET Si7655DN和高性能镀金属直流聚丙烯薄膜
2013-03-22 14:01:44610 ® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8mΩ，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。
2013-10-10 15:08:061138 全球领先的测试、测量和监测仪器提供商---泰克公司日前宣布，在EDN China（《电子设计技术》）举办的“EDN China 2013年度创新奖”颁奖典礼上，泰克公司AWG70000系列任意波形
2013-11-14 10:04:19662 （SoC）现场可编程门阵列（FPGA）器件荣获《电子设计技术》（EDN China）杂志可编程逻辑器件类别创新奖之“优秀产品”奖项。《电子设计技术》杂志创新奖为大中华地区电子设计行业中其中一项最广泛、最受尊重的大奖。
2013-11-14 17:13:43978 2013年11月14日 – 半导体与电子元器件业顶尖工程设计资源与全球授权分销商 Mouser Electronics， Inc.，今天宣布获颁EDN China最大奖项——2013年度最佳分销商
2013-11-15 10:34:13831 China创新奖中获得两项大奖，专为中国智能电表市场而设计的Si4438 EZRadioPRO® 无线收发器和Si7005相对温湿度传感器分别荣获网络类最佳产品奖以及传感类优秀产品奖。
2013-11-21 10:49:01770 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 近日，以“影响未来的创新技术”为主题EDN China创新奖十周年颁奖典礼在上海浦东假日酒店举办。今年创新奖评选特设“创新奖10周年”系列奖项，用以表彰从2005年到2014年，在历届创新奖的各类评选中获奖次数最多的企业。世强获颁中国本土优秀供应商奖。
2014-07-08 17:37:28640 PowerPAK SC-70®封装的新款20V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商—大联大控股今天很荣幸的宣布，在2015年度“EDN China 创新奖”的评选中，大联大从众多参选公司中脱颖而出， 荣获该年度“创新分销商奖”殊荣。
2015-07-08 15:44:06791 日前，Vishay宣布，其UMB 0207系列高精度薄膜MELF电阻荣获2015年EDN China创新奖。在6月25日上海举行的颁奖典礼上，UMB 0207被授予2015年EDN China创新奖之无源器件类优秀产品奖，Vishay高级销售经理Dennis Tang代表Vishay领奖。
2015-07-20 10:37:43801 BCcomponents 196 HVC ENYCAP™系列混合ENergY储能电容器荣获2015 EDN Hot 100产品奖。
2016-02-24 15:26:23697 WSD20L120DN56 P DFN5X6-8 -20V -120A
2017-07-29 10:30:4515 关键词：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用
2019-01-01 16:29:01380 NP3416EMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-18 17:16:07774 
NP3416BEMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-19 09:07:17774 
NP2302MR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-20 09:09:43828 
创新奖 “最佳整合营销创新奖” 银奖。 梅花创新奖创建于2013年，是国内第一个以“营销创新”为定位的奖项，旨在表彰每年在营销领域内创新实践的机构和个人，倡导所有基于营销创新的努力与尝试。本次也是德力西电气首次入围并斩
2022-12-01 18:31:27895 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-山毛榉4D16-20
2023-02-16 21:03:390 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BSH205G2A
2023-02-17 19:19:450 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK4D38-20P
2023-02-17 19:54:330 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK4D110-20P
2023-02-17 19:56:520 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB8XN
2023-02-20 19:36:100 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMPB20XPEA
2023-02-23 18:49:200 20 V、4 A P 沟道沟槽 MOSFET-PMV32UP
2023-02-23 19:24:460 20 V、2 A P 沟道沟槽 MOSFET-NX2301P
2023-02-27 18:36:240 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BSH205G2
2023-02-27 19:07:560 20 V、单 P 沟道沟槽 MOSFET-PMPB20XPE
2023-03-02 22:22:410 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV20XNEA
2023-03-03 19:35:040 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB20XNEA
2023-03-03 19:36:250 近日，由中国通信企业协会发起的“ICT中国（2022）案例征集与发布”年度评选活动结果正式揭晓，经纬恒润联合合作伙伴申报的“5G+顺岸开放式集装箱码头”荣获ICT中国创新奖(2022年度)最佳创新
2023-01-29 14:38:22423 
门模块、座椅模块、氛围灯等领域，横向覆盖了极氪电器架构2.0平台、2.5平台及3.0平台。此次荣获“最佳创新奖”，是极氪汽车对经纬恒润研发实力和技术服务的高度认可
2023-05-30 09:32:20384 SiSS23DN P沟道20V(D-S)MOSFET规格书
特征
• 沟槽场效应晶体管®功率场效应管
• 低热阻功率包®
小尺寸和低 0.75 mm 封装轮廓
• 100
2023-07-25 16:44:160 pt8205 20V增强型双N沟道MOSFET
2021-11-24 15:51:5812
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