Vishay的Si7655DN MOSFET荣获今日电子杂志的Top-10电源产品奖

　　20V P沟道器件具有低导通电阻和超薄PowerPAK® 1212-8S封装

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8mΩ，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。

　　《今日电子》的编辑根据创新的设计、在技术或应用方面取得显著进步，以及性价比的卓越表现，从前一年推出的数百款产品中进行评选。Vishay的Si7655DN MOSFET因其创新，以及在适配器、电池、负载开关和电源管理应用中取得的成功而入选。

　　《今日电子》Top-10电源产品奖在9月12日北京国宾酒店举行的电源技术研讨会上颁发。Vishay北京办事处的销售客户经理Alice Wei代表Vishay领奖。

　　普通中文版的获奖产品名单见下面的网址：

　　http://www.21ic.com/wz/CRXDQWHFA/20130901/20130901.htm

　　Si7655DN使用新的PowerPAK 1212封装版本和Vishay Siliconix业内领先P沟道Gen III技术，最大导通电阻为3.6mΩ（-10V）、4.8mΩ（-4.5V）和8.5mΩ（-2.5 V）。这些性能规格比最接近的-20V器件高17%或更多。

　　Si7655DN的低导通电阻使设计者能够在电路中实现更低的压降，更有效地使用电能，让电池运行的时间更长。器件的PowerPAK 1212-8S封装标称高度只有0.75mm，比PowerPAK 1212封装薄28%，可节省宝贵的电路板空间，同时保持相同的PCB布版样式。

　　产品数据表链接：

　　http://www.vishay.com/doc？63617

　　VISHAY简介

　　Vishay Intertechnology， Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1，000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。