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电子发烧友网>电源/新能源>电源新闻>具有高开关速度和过温保护功能的MOSFET驱动器

具有高开关速度和过温保护功能的MOSFET驱动器

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钰泰ETA6121,保护点可调,耐压,低内阻,快速响应,兼容性强

关闭MOSFET。OVP阈值可通过电阻外部调节。此外,开关的内部设置电流限制高达5.5A。当过载情况发生时,它进入打嗝模式以保护IC免于过热。它还具有保护功能,可关闭MOSFET
2021-08-27 20:16:55

钰泰ETA6122,保护点可调,耐压,低内阻,快速响应, 兼容性强

MOSFET。OVP阈值可通过OVLO引脚上电阻进行外部调整。当过载情况发生时,它进入打嗝模式以保护IC免于过热。它还具有保护功能,可关闭MOSFET。   ETA6122采用CSP2×3-6封装
2021-08-27 20:13:51

钰泰ETA7014,36V耐压的保护IC

保护(OVP)具有电阻很低的35mohm,只有改变外部连接。它可以作为一个保护装置或高压开关。ETA7014由一个电荷泵,一个可配置的电源MOSFET,电压基准,栅极驱动器和一些逻辑保护模块
2021-04-13 20:15:15

降压型 LED 恒流驱动器芯片(电压型)

效率最高可达 98%以上,输入电压可兼容到 100V以上,系统体积小,内置保护,开路保护保护,短路保护,输入保护等全套可靠性保护电路。XLSEMI LED驱动芯片支持直流稳压电源
2015-12-07 16:38:05

降压型 LED 恒流驱动器芯片(电压型)

高压、大功率 MOSFET 开关管,外围元器件简单,系统应用灵活,转换效率最高可达 98%以上,输入电压可兼容到 100V以上,系统体积小,内置保护,开路保护保护,短路保护,输入保护等全套
2015-12-11 11:05:11

降压型 LED 恒流驱动器芯片(常规型)

以内的方案应用; ★转换效率,最高可达 98%,方便热设计; ★内置 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置流、短路、输入保护; ★恒流精度(±3%),LED 光衰小。 应用领域
2015-12-07 16:27:16

降压型 LED 恒流驱动器芯片(常规型)

以内的方案应用; ★转换效率,最高可达 98%,方便热设计; ★内置 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置流、短路、输入保护; ★恒流精度(±3%),LED 光衰小。 应用领域
2015-12-11 10:56:39

隔离式栅极驱动器揭秘

IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2018-10-25 10:22:56

隔离式栅极驱动器的揭秘

Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对
2018-11-01 11:35:35

集成MOSFET中的开关损耗分析

图1:开关损耗让我们先来看看在集成MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时,驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分,您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段(图
2022-11-16 08:00:15

面向车载应用的集成式带保护功能的电机驱动解决方案

和栅极驱动器方案的50%。同时,它所具有压和欠压保护保护、限流和短路保护保护功能,也有助于系统的优化,简化系统的控制概念。整个系统由两个集成式半桥、微控制、稳压和通信组件构成,见图 4。图
2018-12-07 10:11:19

具有宽占空因子范围的隔离式MOSFET驱动器

具有宽占空因子范围的隔离式MOSFET驱动器
2009-04-02 23:35:54485

MOSFET驱动保护电路的设计

功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功
2012-03-05 15:56:44134

MOSFET驱动保护电路的设计与应用

功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功
2012-10-10 16:32:583880

LT1161:四保护高端MOSFET驱动器数据表

LT1161:四保护高端MOSFET驱动器数据表
2021-05-08 14:19:269

LT1910:受保护高端MOSFET驱动器数据表

LT1910:受保护高端MOSFET驱动器数据表
2021-05-08 16:44:1710

基于SiC MOSFET的三相全桥数字化智能驱动器

速度较慢,开关损耗较大。SiC MOSFET的高耐压、高开关速度能有效提升电机驱动器的功率和效率,但更高的开关速度和更大的功率对驱动器的快速响应能力和故障快速保护能力提出了更高的要求。此外,舵机控制器
2022-04-29 16:34:103559

具有集成式驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计

具有集成式驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计
2022-10-28 12:00:200

驱动器和 SiC MOSFET 打开电源开关的大门

驱动器和 SiC MOSFET 打开电源开关的大门
2023-01-03 09:45:06433

MOSFET和IGBT栅极驱动器电路学习笔记之栅极驱动参考

栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中,驱动开关
2023-02-23 15:59:0017

Power Integrations推出具有快速短路保护功能的适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器

紧凑型SiC MOSFET免受过电流的损坏。新驱动器具有高级有源钳位(AAC)功能,可保护开关在关断期间免受过压
2023-12-14 11:37:10288

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