电力晶体管（Giant Transistor——GTR），是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有时也称为Power BJT。但其驱动电路复杂，驱动功率大。
2024-03-07 17:06:38
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描述dcreg12v3a mj2955 lm78122955 MJ晶体管的作用是作为电流放大器，使输出电流达到安培单位，通常如果没有晶体管这个电路只能达到毫安单位。出于电源的目的，晶体管必须不断地
2022-09-05 06:18:39
8050晶体管是一种小型设备，用于引导便携式无线电中的电流。数字“8050”基本上表示尺寸和特定输出额定值。工程师和电子专家通常会给晶体管起数字名称，以便更容易识别和区分它们。具有8050
2023-02-16 18:22:30
`TLP181(GB-TPL,F,T)详细参数[/td][/td][td]制造商Toshiba产品种类晶体管输出光电耦合器配置1 Channel最大正向二极管电压1.3 V最大输入二极管电流50
2012-08-16 16:34:23
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
的种类电压电流双极晶体管集电极发射极间电压 : VCE集电极电流 : IC数字晶体管输出电压 : VO (GND‐OUT间电压)输出电流 : IOMOSFET漏极源极间电压 : VDS漏极电流
2019-04-15 06:20:06
及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管按工作频率分类 晶体管按
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 编辑
晶体管作为电流单方向通过的电子开关使用晶体管也可以作为电子开关使用。但这个开关的电流方向只能是单向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
、电压／电流反馈放大电路、晶体管／FET开关电路、模拟开关电路、开关电源、振荡电路等。上册则主要介绍放大电路的工作、增强输出的电路、功率放大器的设计与制作、拓宽频率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
晶体管也就是俗称三极管，其本质是一个电流放大器，通过基射极电流控制集射极电流。
1、当基射极电流很小可以忽略不计时，此时晶体管基本没有对基射极电流的放大作用，此时可以认为晶体管处在关断状态
2、当基
2024-01-18 16:34:45
晶体管图示仪器是用来测量晶体管输入、输出特性曲线的仪器。在实验、教学和工程中通过使用图示仪，可以获得晶体管的实际特性，能更好的发挥晶体管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶体管射随电路图在很多的电子电路中,为了减少后级电路对前级电路的影响和有些前级电路的输出要求有较强的带负载能力(即要求输出阻抗较低)时,要用到缓冲电路,从而达到增强电路的带负载能力和前后级阻抗匹配
2009-09-17 08:33:13
场效应晶体管，英语名称为Field Effect Transistor，简称为场效应管，是一种通过对输入回路电场效应的控制来控制输出回路电流的器件。可分为结型和绝缘栅型、增强型和耗尽型、N沟道和P沟道
2016-06-29 18:04:43
一、晶体管开关电路：是一种计数地接通-断开晶体管的集电极-发射极间的电流作为开关使用的电路，此时的晶体管工作在截止区和饱和区。当需要输出大的负载电流时，由于集电极电流(负载电流)是放大基极电流而来
2021-10-29 09:25:31
晶体管式电流传感器内部设有检测电流用电阻。使负荷电流通过该电阻，并利用运算放大器（OP比较电路）将其电压降值与基准电压进行比较，当电流检测电阻上的电压降低于基准电压时，比较器的输出电流点亮报警
2018-10-31 17:13:28
1．反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
晶体管的 电流放大原理 该怎么解释？
2017-03-12 20:30:29
无量纲的比例系数。hfe称为输出端交流短路时的电流放大系数，简称电流放大系数。它反映基极电流IB对集电极电流IC的控制能力，即晶体管的电流放大能力，是一个无量纲的数，习惯上用β表示。 hoe称为输入端
2021-05-13 07:56:25
(1) 电流放大系数β和hFEβ是晶体管的交流放大系数，表示晶体管对交流（变化）信号的电流放大能力。β等于集电极电流IC的变化量△IC与基极电流IB的变化量△IB两者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
电流时，即晶体管导通时的电压降，因此可通过该值求得导通时的电阻。MOSFET（图中以Nch为例）通过给栅极施加电压在源极与漏极间创建通道来导通。另外，栅极通过源极及漏极与氧化膜被绝缘，因此不会流过
2018-11-28 14:29:28
创建通道来导通。另外，栅极通过源极及漏极与氧化膜被绝缘，因此不会流过 “导通”意义上的电流。但是，需要被称为“Qg”的电荷。 关于MOSFET，将再次详细介绍。 IGBT为双极晶体管与MOSFET
2020-06-09 07:34:33
自来水的阀门，从而调节水龙头喷出的巨大的水量（即集电极电流）。借此，可以通俗地领会这一原理。6. 正确说明。下面通过图1及图2对晶体管的增幅原理作进一步详尽的说明。与输入电压e和偏压E1构成的基极-发射极
2019-07-23 00:07:18
自来水的阀门，从而调节水龙头喷出的巨大的水量（即集电极电流）。借此，可以通俗地领会这一原理。6. 正确说明。下面通过图1及图2对晶体管的增幅原理作进一步详尽的说明。与输入电压e和偏压E1构成的基极-发射极
2019-05-05 00:52:40
晶体管的基极电流发生变化时，其集电极电流将发生更大的变化或在晶体管具备了工作条件后，若从基极加入一个较小的信号，则其集电极将会输出一个较大的信号。 晶体管的基本工作条件是发射结（B、E极之间）要加上
2013-08-17 14:24:32
功率、集电极最大电流、最大反向电压、电流放大系数等参数及外地人形尺寸等是否符合应用电路的要求。 2．末级视放输出管的选用彩色电视机中使用的末级视放输出管，应选用特征频率高于80MHZ的高频晶体管
2012-01-28 11:27:38
偏、集电结正偏，就是晶体管的倒置放大应用）。要理解晶体管的饱和，就必须先要理解晶体管的放大原理。从晶体管电路方面来理解放大原理，比较简单：晶体管的放大能力，就是晶体管的基极电流对集电极电流的控制能力
2012-02-13 01:14:04
分为硅管和锗管两类。 晶体管内部结构的特点是发射区的掺杂浓度远远高于基区掺杂浓度，并且基区很薄，集电结的面积比发射结面积大。这是晶体管具有放大能力的内部条件。 2. 电流分配与放大作用 体管具有放大能力
2021-05-13 06:43:22
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
;nbsp; 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为
2010-08-12 13:57:39
，在这种情况下采用基于氮化镓（GaN）晶体管的解决方案意义重大。与传统硅器件相类似，GaN晶体管单位裸片面积同样受实际生产工艺限制，单个器件的电流处理能力存在上限。为了增大输出功率，并联配置晶体管已成为
2021-01-19 16:48:15
您好，为了模拟ADS软件中基于双极晶体管的电路，我们将基板与发射器连接，还是允许空气？谢谢 以上来自于谷歌翻译 以下为原文hello,to simulate a circuit based
2018-12-18 16:11:14
）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。BIPOLAR是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-05-06 05:00:17
）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。BIPOLAR是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-03-27 06:20:04
MOS管，还有其他的电子元件。实际上场效应晶体管可以分为结型管（（Junction Field-Effect Transistor，J F E T））和MOS管（metal-oxide
2019-04-15 12:04:44
向下缩放时失去对漏电流的控制。 答案是利用第三个维度。 MOSFET晶体管从平面单栅极器件演变为多栅极3D单元，以增加电流驱动并减轻短通道效应。 使用3D还可以减少晶体管的面积。占据第三维可以
2023-02-24 15:20:59
） 电流放大以下分析仅适用于NPN硅晶体管。如上图所示，我们将流向基极 B 流向发射极 E 的电流称为基极电流 Ib;从集电极C流向发射极E的电流称为集电极电流Ic。这两个电流的方向都是从发射极流出
2023-02-08 15:19:23
。晶体管NPN型和PNP型结晶体管工作状态晶体管的工作原理类似于电子开关。它可以打开和关闭电流。晶体管背后的基本思想是，它允许您通过改变流经第二个通道的较小电流的强度来控制通过一个通道的电流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
PLC晶体管输出和继电器输出区别
2012-08-20 08:26:07
PLC继电器和晶体管输出
2012-08-20 08:24:48
电流可以调节巨大的发射极集电极电流。II. 什么是PNP晶体管？PNP 晶体管是将一种 n 型材料与两种 p型材料掺杂在一起的晶体管。它是一种由电流供电的设备。适量的基极电流调节了发射极和集电极电流
2023-02-03 09:44:48
的切换速度可达100GHz以上。双极晶体管 双极晶体管（bipolar transistor）指在音频电路中使用得非常普遍的一种晶体管。双极则源于电流系在两种半导体材料中流过的关系。双极晶体管根据
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
的必要性晶体管和FET的工作原理晶体管和FET的近况第二章 放大电路的工作观察放大电路的波形放大电路的设计放大电路的性能共发射极应用电路第三章 增强输出的电路观察射极跟随器的波形电路设计射极跟随器的性能射极
2017-07-25 15:29:55
本设计实例是一个2线式电流调节器（图1），它在性能和器件数目之间达到了很好的平衡。通过使用三个晶体管、三个电阻和一个LED灯，可实现很好的调节效果（在大部分电压范围内准确度好于1%）、较低的工作
2018-09-29 17:15:25
调节电流或电压的设备，充当电子信号的按钮或门。
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晶体管的类型
晶体管由三层半导体器件组成，每层都能够移动电流。半导体是一种以“半热敏”方式导电的材料
2023-08-02 12:26:53
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶体管是通常用于放大器或电控开关的半导体器件。晶体管是调节计算机、移动电话和所有其他现代电子电路运行的基本构件。由于其高响应和高精度，晶体管可用于各种数字和模拟功能，包括放大器、开关、稳压器、信号
2023-02-03 09:36:05
v-1 s-1，是硅基晶体管的四分之一。低电子迁移率阻滞了透明晶体管的电流承载能力。目前，薄膜晶体管受限于低电流、低速率、且需高压驱动。当务之急是找出能生产透明高性能器件的替代材料。 替代导电氧化物
2020-11-27 16:30:52
PNP 和 NPN 是两种类型的双极结型晶体管 （BJT）。BJT由可以放大电流的掺杂材料制成。它具有PNP和NPN配置选项。PNP 和 NPN晶体管可用于放大或开关。本文将解释NPN和PNP之间
2023-02-03 09:50:59
两种比光敏二极管产生更高输出电流的光敏器件的一些基本信息: 光敏晶体管和光敏集成电路。后一个术语指的是基本上是一个光电二极管和放大器集成到同一封装。什么是光电晶体管？光电二极管可以产生光电流，因为它的结
2022-04-21 18:05:28
达林顿晶体管是一对双极晶体管，连接在一起，从低基极电流提供非常高的电流增益。输入晶体管的发射极始终连接到输出晶体管的基极;他们的收藏家被绑在一起。结果，输入晶体管放大的电流被输出晶体管进一步放大
2023-02-16 18:19:11
MOSFET显示出令人反感的短通道效应。 将栅极长度（Lg）缩小到90 nm以下会产生明显的漏电流，而在28 nm以下，漏电流过大，使晶体管失效。因此，随着栅极长度的缩小，抑制关断状态泄漏至关重要。 提高
2023-02-24 15:25:29
用作Q2的基极电压，以在晶体管Q2中产生更稳定的电流。波形发生器配置为1 kHz三角波，峰峰值幅度为3 V，偏置为1.5 V。示波器通道2的输入(2+)用于测量Q2集电极上的稳定输出电流。置示波器以
2021-11-01 09:53:18
的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率放大器、电压／电流反馈放大电路、晶体管／FET开关电路、模拟开关电路、开关电源、振荡电路等。上册则主要介绍放大电路的工作、增强输出的电路
2017-06-22 18:05:03
的原理是什么？晶体管由两个背靠背连接的PN二极管组成。它有三个端子，即发射器，基极和集电极。晶体管背后的基本思想是，它允许您通过改变流经第二个通道的较小电流的强度来控制通过一个通道的电流。4.晶体管
2023-02-03 09:32:55
可以将PNP晶体管定义为通常为“OFF”，但是适度的输出电流和相对于其发射极（E）的基极（B）的负电压将使其“打开”，从而允许大的发射极-集电极电流流动。我可以用NPN代替PNP吗？如果您还记得一个简单
2023-02-03 09:45:56
单极型晶体管也称场效应管，简称FET（FieldEffectTransistor）。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与
2020-06-24 16:00:16
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
携带更多的共享电流，甚至变得更热，直到某些东西最终破裂。通常，如果平衡电阻器与发射器而不是基极串联放置，则BJT可以更可靠地并联操作。即使是这里的小电阻也会强烈抵消不平衡的趋势，因为流过任何一个晶体管
2018-10-26 14:45:42
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
。场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。场效应晶体管作用是什么1、场效应管可应用于放大。由于场效应管
2019-05-08 09:26:37
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET
2021-05-24 06:27:18
，这反过来又使耗尽层尽可能小，从而通过我们的晶体管的最大电流流动。这使得晶体管开关导通。 图2显示了饱和区域特性。 图2.饱和区域特征 输入基极电流和输出集电极电流为零，集电极电压处于最大值
2023-02-20 16:35:09
先生，我使用了两个ATF54143晶体管（偏置Vds = 3V，Ids = 60mA）和连接的电容分流反馈，电容器连接在一个晶体管的源极和另一个晶体管的漏极之间。我试图给两个晶体管提供偏置，实现了一
2019-01-14 13:17:10
1. 场效应晶体管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而场效应晶体管是电压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流
2019-03-29 12:02:16
本应用指南介绍了一种采用后向设计的基本驱动电路，它从输出晶体管器件开始再返回到水平振荡器，便于加速晶体管的水平输出级。
2014-09-22 17:14:04
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
~3.3nf。当Nb上端产生一个正的驱动电压时，由于电容两端电压不能突变，上电瞬间电容如同短路，因此可认为为VT1提供了很大的正向基极电流，使晶体管迅速导通。之后，电容CB被充电至激励电压的峰值而进入稳态
2020-11-26 17:28:49
嗨，我已经使用ADS 2009很长一段时间了，现在正考虑换到新版本。在ADS2012版本中找到真正的晶体管模型时遇到了问题。我曾经通过元件列表访问2009版的实际晶体管模型，例如晶体管2N2222A
2019-02-26 07:19:08
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
输出电压 : VO (GND‐OUT间电压)输出电流 : IOMOSFET漏极源极间电压 : VDS漏极电流 : ID例：开关双极晶体管2SD2673时的波形(100µs/div)由于随后要计算开关
2019-05-05 09:27:01
先生，我已将一个晶体管连接到另一个晶体管。如何实现两个晶体管Vds = 3V和Ids = 60mA的偏置。我使用了两个ATF54143晶体管，并在一个晶体管X2（如图所示）Vds = 3v（电压差为
2018-12-27 16:09:48
小弟想问，有谁可以告诉我。晶体管transistor part number(UTC MCR101L 6UDA)是NPN 还是PNP。如果找不到同一样的晶体管(transistor)那我该买什么晶体管(transistor)来替换。急求。。。。。。。答案。。。。。
2011-06-21 13:38:28
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域（数字晶体管的情况）关于数字晶体管
2019-04-09 21:49:36
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
励磁电流ILM开始在死区时间内对低侧晶体管的输出电容放电。在状态2时，寄生输出电容完全放电，GaN功率晶体管通过2DEG通道从源极到漏极以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET，有一个固有的双极
2023-02-27 09:37:29
其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达
2016-01-26 16:52:08
电极-发射极电流与几乎零栅流驱动器。典型的 IGBT绝缘栅双极性晶体管，即 IGBT，结合了 MOSFET 的绝缘栅(因此得名第一部分)技术和传统双极性晶体管的输出性能特性，因此得名第二部分。这种混合
2022-04-29 10:55:25
继电器和晶体管输出具有哪些特点？使用注意事项有哪些？继电器与晶体管输出有哪些差别？
2021-10-12 06:28:48
这个晶体管为什么是开关管的作用，还有电流方向是怎样的？
2018-12-28 15:41:49
晶体管（transistor）
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5纳米工艺的四核处理器已能容纳8亿个晶体管
2009-11-05 10:34:25832 电力晶体管简介
电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结
2009-11-05 12:00:581222 增强型MOS晶体管,增强型MOS晶体管是什么意思
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上
2010-03-05 15:34:432338 晶体管测试仪电路,Transistor tester
Description
2010-04-11 09:36:561581 N沟道增强型网络场效晶体管
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
2017-09-09 07:55:34
0 了解的参考。 一、晶体管输出的特点 晶体管输出又称为双极性晶体管输出（Bipolar Transistor Output），使用PNP或NPN型双极晶体管作为控制元件。在控制电压作用下，通过电流调节控制晶体管的放大倍数，从而实现输出的开关控制。 1、优点： （1）高速：晶体管
2023-08-25 15:41:311249
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