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电子发烧友网>电源/新能源>电源新闻>MOSFET将封装面积减半-Zetex新款无铅型

MOSFET将封装面积减半-Zetex新款无铅型

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转:含表面工艺和表面工艺差别

表面工艺和表面工艺差别:1、焊锡的物理属性、熔点、表面张力、氧化的可能性、冶金以及金属浸析的可能性;2、峰值温度更高;3、预热温度更高;4、板和元件的表面处理(最好是有无表面处理);5、焊锡的外观和表面效应;6、可焊性的差别,如润湿速度和铺展情况;7、元件自行定心或对正的能力较低。
2016-07-13 16:02:31

适用于便携消费类电子产品的超薄小信号MOSFET

具有所需特性及功用同时还支持消费者如今希冀的纤薄时髦设计的器件。”    新的NTNS3193NZ和NTNS3A91PZ被以为是业界最紧凑的小信号MOSFET,由于它们采用极小
2012-12-07 15:52:50

锐意创新:工艺下的新一代通用快速恒温烙铁

锐意创新:工艺下的新一代通用快速恒温烙铁恒温, , 通用, 工艺, 烙铁作为电子制造大国,中国电子制造业目前在化电子组装方面所面临的挑战之一是:缺乏针对数量庞大的小规模电子制造企业为
2009-11-23 21:19:40

BGA封装和LGA比较

军事和航天应用的锡 BGA 封装 µModule 产品
2019-07-31 06:13:32

Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA923EDJ

Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装
2011-03-02 10:19:301341

IR推出新款PQFN封装功率MOSFET PQFN2x2

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩展其封装系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术
2011-06-16 09:35:042537

Vishay发布新款TrenchFET功率MOSFET-SiB437EDKT

日前,Vishay Intertechnology, Inc.发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
2011-08-18 09:42:40850

年底裁员潮?传联想巴西新厂面积减半重组业务

联想原计划在巴西圣保罗州伊图市兴建一间占地5.2万平方米的制造工厂,现决定迁址至该州郊区的因达亚图巴,而工厂面积减半。据巴西当地媒体报道,联想在巴西的员工数目将由5000人减少至800人,以便“使成本适应新的市场现实”。
2016-12-21 12:53:07272

直流-直流波尔转换使用ZXMN2F34MA Zetex MOSFET

电子发烧友网站提供《直流-直流波尔转换使用ZXMN2F34MA Zetex MOSFET.pdf》资料免费下载
2023-07-24 10:33:400

实现了封装面积减半的超小型尺寸

实现了封装面积减半的超小型尺寸
2023-08-15 14:34:40377

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