联华电子携手智原已经完成并交付3亿逻辑门（300-million gate count）系统单芯片解决方案。此款3亿逻辑门SoC是采用联华电子40nm工艺。SRAM容量高达100MB，可为高级通讯产品提供优异的网路频宽，满足高速而稳定的传输需求，以因应新一代通讯产品需求。
2013-01-25 10:13:09
1286 英飞凌科技与GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，双方围绕40纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）工艺，签订一份合作技术开发与生产协议。
2013-05-02 12:27:171397 在经过2016的一系列扩张之后，近日，Crossbar与中芯国际合作的40nm ReRAM芯片正式出样，再次为芯片国产化发展提振士气。另有数据显示，中芯国际去年销售额增至29.2亿美元，比2015年大增31%，市占率提升1个百分点至6%。
2017-01-18 10:46:161220 股份有限公司（纽约证券交易所代码：UMC；台湾证券交易所代码：2303）（以下简称“UMC”）今日联合宣布，赛普拉斯 65nm 和 40nm 技术平台成为业界首批荣获合格制造商名单 (QML) 认证的平台
2017-11-17 09:26:5011703 0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、单路、线性变化数字电位器，能够实现机械电位器的功能，用简单的2线数字接口取代机械调节。MAX5128具有与分立电位器或可变电阻器相同的功能，提供128抽头、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5432资料下载内容主要介绍了：MAX5432引脚功能MAX5432功能和特性MAX5432应用范围MAX5432内部方框图MAX5432极限参数MAX5432典型应用电路
2021-04-02 06:37:34
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5433资料下载内容包括：MAX5433引脚功能MAX5433功能和特性MAX5433应用范围MAX5433内部方框图MAX5433极限参数MAX5433典型应用电路
2021-04-02 07:32:20
研究机构IMEC已经发表了一篇论文，该研究表明，在5nm节点上，STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果。这种优势比非易失性和较小的空间占用更重要。
2019-10-18 06:01:42
日前，LSI 公司宣布推出业界首款 40nm 读取信道芯片 TrueStore® RC9500，旨在支持各种尺寸和容量的从笔记本到企业级的 HDD。RC9500 现已开始向硬盘驱动器 (HDD
2019-08-21 06:26:20
描述莱迪思HX4K FPGA 突破这款 FPGA 分线板旨在记录如何开始 FPGA 编程，从硬件设计文件到加载比特流。为了尝试将其作为一个项目进行访问，该板的一个设计目标是使其能够仅使用烙铁进行手工
2022-08-23 07:21:04
莱迪思半导体公司和SiFive，Inc。最近，他们同意共同合作，通过莱迪思FPGA产品系列（包括最新的28 nm CrossLink-NX™FPGA），为开发人员轻松提供SiFive可扩展核心IP
2020-07-27 17:57:36
中国上海——2023年3月3日——莱迪思半导体公司（NASDAQ：LSCC），低功耗可编程器件的领先供应商，近日宣布更新莱迪思ORAN™解决方案集合，为开放式无线接入网（ORAN）的部署提供灵活
2023-03-03 16:52:10
随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
高密度MRAM具有非常低的功率，高的读取速度，非常高的数据保留能力和耐久性，适用于广泛的应用。单元面积仅为0.0456平方微米，读取速度为10ns，读取功率为0.8mA/MHz/b，在低功耗待机模式
2020-07-02 16:33:58
宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。非易失性存储器是一个电表
2021-07-12 07:26:45
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重复编程FPGA的应用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。控制电路持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）结合了赛普拉斯行业领先的SRAM技术和一流的SONOS非易失性技术。在正常操作下，nv SRAM的行为类似于使用标准信号和时序的常规异步SRAM。nv SRAM执行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 适配器来自达拉斯的流行的电池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往会忘记其宝贵的数据。通过这种引脚兼容的铁电 RAM 升级，您可以放心，因为在室温下，它的数据保留时间为 150 年，无需任何电池供电。
2022-07-14 07:51:06
PLL、专用时钟沿和I/O gearing逻辑解决了高速串行传感器接口。最后，莱迪思半导体（Lattice）的 XP2提供了具有成本效益的8×8mm面积。此外，由于其非易失的特性，LatticeXP2系列
2011-05-24 14:17:00
。”高云半导体全球市场副总裁兼中国区销售总监黄俊先生表示，“GW1N系列器件可满足消费类电子、视频、安防、工业物联网、有线/无线通信等不同市场的智能连接、接口扩展等需求。通过GW1N系列产品，高云半导体可以向用户提供高安全性、单芯片、低成本、小薄封装等优势的最优化非易失性FPGA解决方案。”
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
这是一mt6169 40nm CMOS多模多频段收发器。射频收发器功能是完全集成的。本文描述了射频宏被嵌入到整个产品中的性能目标。MT6169主要特征区别MT6169是第一个M联ATEK射频收发器1
2018-08-28 19:00:04
Pango DesignSuite，可支持千万门级FPGA器件设计开发高云半导体：推出中国首颗55nm嵌入式Flash SRAM非易失性FPGA芯片，实现可编程逻辑器件、嵌入式处理器无缝连接安路
2021-09-10 14:46:09
，FPGA能否在以便携产品为主体的消费电子领域占到一席之地呢？对于这个问题，莱迪思半导体公司给出了肯定的答案。
2019-09-03 07:55:28
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice今日宣布，正式推出全国产化24nm工艺节点的4GbSPINANDFlash产品——GD5F4GM5系列。该系列产品实现了从设计研发、生产制造到
2020-11-26 06:29:11
兆易创新推出全国产化24nm SPI NAND Flash
2021-01-07 06:34:47
，加速产品上市进程，大大降低风险 美国俄勒冈州希尔斯波罗市 — 2015年3月2日 —莱迪思半导体公司（NASDAQ: LSCC）—超低功耗、小尺寸客制化解决方案市场的领导者，今日宣布推出三款可免费下载
2019-06-17 05:00:07
，安全问题该如何解决？ 2020年下半年，莱迪思推出了Sentry解决方案集合和SupplyGuard供应链保护服务，可提供端到端的供应链保护措施，将在通信、数据中心、工业、汽车、航空航天和客户计算等领域
2020-09-07 17:16:48
的 iCE40UltraPlus 器件，那么可以通过板上 MCU 或从外部 SPI 闪存设备来加载配置。另外，iCE40UltraPlusFPGA 还包含一次性可编程（OTP）片上非易失性配置存储器
2020-10-23 09:16:56
亲爱;我有Spartan™-3AN非易失性FPGA入门套件，我编写了VHDL程序，用于地址分配到与FPGA芯片接口的两个外部ROM。程序有（16位输入端口）和（16位输出端口），问题是：如何使用该套件在FPGA芯片上下载程序？如何确定哪个输入引脚和哪个是输出引脚？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保护您的嵌入式软件免受内存损坏本文的目的是提供一种软件方法，解释如何处理存储在非易失性设备（如小型 EEPROM 或闪存）中的内存数据集损坏。在微型嵌入式系统中看到这些数据集是很常见的，这些系统存储
2021-12-24 07:27:45
我应该用什么API来存储非易失性数据？我使用CYW43907，手册上说它支持外部闪存。我想知道我是否应该使用WiDeDssFlash写来存储数据，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
预编程设备的引导加载，我们有一个困难，显然制造商没有对NVLS编程，因此引导加载程序拒绝重新编程闪存。有一个问题出现（对于PSoC 3和PSoC 5LP，我们使用在其他板上）：如何读取PSoC处理器的非易失性锁存器？安德烈亚斯
2019-08-15 06:46:55
各位前辈们，有谁有求UMC 55nm LP工艺(low power)的PDK？请不吝赐予
2021-06-22 07:25:15
求一份tsmc 7nm standard cell library求一份28nm或者40nm 的数字库
2021-06-25 06:39:25
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
0、引言电子产品的可靠性预计一直是困扰各个无线通信公司的难题之一，目前比较通用的可靠性预计方法是由贝尔实验室在2001年推出的Bellcore-SR332方法。该方法的不足之处在于它仅根据产品
2019-06-19 08:24:45
，在特殊工艺方面，LCD Driver IC、OLED Driver IC量很大，多数采用的是80nm、40nm工艺，在此基础上，UMC准备将这些IC制造导入到28nm上来。还有在MCU的特殊工艺方面
2018-06-11 16:27:12
前的验证。这是双方工程团队为进一步提升良率、增强可靠性并缩短生产周期而努力合作的成果。Virtex-6系列通过生产验证,意味着联华电子继2009年3月发布首批基于40nm工艺的器件后,正式全文下载
2010-04-24 09:06:05
。此外，FPGA通常有很宽的温度范围，并有很长的产品生命周期。 针对ECP2M和ECP3器件系列，莱迪思（Lattice）半导体公司最近推出了DVI/HDMI接口的参考设计。莱迪思半导体公司
2019-06-06 05:00:34
40nm等工艺节点推出蓝牙IP解决方案，并已进入量产。此次推出的22nm双模蓝牙射频IP将使得公司的智能物联网IP平台更具特色。结合锐成芯微丰富的模拟IP、存储IP、接口IP、IP整合及芯片定制服务、专业及时的技术支持，锐成芯微期待为广大物联网应用市场提供更完善的技术解决方案。
2023-02-15 17:09:56
40 nm 工艺的电路技术40-nm 工艺要比以前包括65-nm 节点和最近的45-nm 节点在内的工艺技术有明显优势。最引人注目的优势之一是其更高的集成度，半导体生产商可以在更小的物理空
2010-03-03 08:42:13
14 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
安华高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表现
Avago Technologies(安华高科技)日前宣布，已经在40nm CMOS工艺技术上取得20 Gbps的SerDes性能表现。延续嵌入式SerDes应用长久以
2008-08-27 00:34:23701 传40nm制程代工厂良率普遍低于70%
据业者透露，包括台积电在内的各家芯片生产公司目前的40nm制程良率均无法突破70%大关。这种局面恐将对下一代显卡和FPGA芯片等产品
2010-01-15 09:32:551000 台积电称其已解决造成40nm制程良率不佳的工艺问题
据台积电公司高级副总裁刘德音最近在一次公司会议上表示，台积电40nm制程工艺的良率已经提升至与现有65nm制程
2010-01-21 12:22:43893 赛灵思40nm Virtex-6 FPGA系列通过全生产验证
全球可编程逻辑解决方案领导厂商赛灵思公司(Xilinx, Inc. )与全球领先的半导体代工厂商联华电子( UMC (NYSE: UMC; TSE: 2303))今天共
2010-01-22 09:59:51716 赛灵思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列即将转入量产
赛灵思公司(Xilinx, Inc.)与联华电子(UMC)今天共同宣布，采用联华电子高性能40nm工艺的Virtex-6 FPGA，已经完全通过生产前的验
2010-01-26 08:49:17851 华邦电子宣布将于年内开始40nm制程技术研发
华邦电子公司的总裁詹东义近日宣布，华邦公司将于年内开始40nm制程工艺的开发，不过华邦拒绝就其将于尔必达合作进
2010-02-02 18:00:12783 三星首家量产40nm级工艺4Gb DDR3绿色内存芯片
三星电子宣布，该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。
这种内存芯片支
2010-02-26 11:33:42780 台积电无奈出B计划：AMD下代显卡40nm工艺＋混合架构
AMD曾在多个场合确认将在今年下半年发布全系列新显卡，我们也都期待着全新的
2010-04-01 09:17:50712 Synopsys和中芯国际合作推出65-nm到40-nm的SoC设计解决方案经过验证的联合解决方案确保晶晨半导体达到以高性能产品抢占市场的目标
2010-11-16 10:36:12830 单芯片BCM43142是业界首款适用于笔记本电脑和上网本的40nm Wi-Fi蓝牙组合芯片。该新芯片实现了Wi-Fi Direct互连与就近配对的无缝结合，极大地简化了家庭中的无线互连。这款组合芯片支持
2011-06-02 08:43:248793 灿芯半导体（上海）有限公司与中芯国际今天共同宣布灿芯半导体第一颗 40nm 芯片在中芯国际一次性流片验证成功。
2011-06-22 09:16:331258 瑞萨电子宣布开发出业界首款适用于汽车实时应用领域的40nm工艺嵌入式闪存技术。瑞萨电子也将是首先使用上述40nm工艺闪存技术，针对汽车应用领域推出40nm嵌入式闪存微控制器(MCU)的厂
2012-01-05 19:44:13797 意法·爱立信今天发布了业界首个采用40nm制造工艺的整合GPS、GLONASS、蓝牙和FM收音的平台CG2905。这款开创性产品将提高定位导航的速度和精度，推动市场对扩增实境应用和先进定位服务
2012-03-01 09:04:38783 据业内人士透露，台湾芯片代工厂商联电（UMC）已向高通交付了28nm芯片样品进行验证，并与Globalfoundries的竞争，努力成为继台积电之后高通第二个28nm芯片代工合作伙伴。
2013-01-18 09:04:46776 1月28日，展讯通信宣布，其首款集成了无线连接的单芯片40nm GSM/GPRS手机基带平台SC6531正式商用，该平台集成了FM与蓝牙功能，以帮助2.5G手机制造商降低手机设计成本。
2013-01-29 10:23:5618801 
全球领先的嵌入式解决方案供应商赛普拉斯半导体公司和全球领先的半导体代工厂联华电子公司（以下简称“UMC”）于今日宣布，赛普拉斯由UMC代工的专有40nm嵌入式 电荷捕获 （eCT™） 闪存微控制器（MCU），现已开始大单出货。
2016-12-29 15:46:582253 作为中国本土半导体制造的龙头企业，中芯国际（SMIC）的新闻及其取得的成绩一直是行业关注的焦点。2017新年伊始，其一如既往地吸引着人们的眼球。前几天，该公司宣布正式出样采用40nm工艺的ReRAM（非易失性阻变式存储器）芯片，并称更先进的28nm工艺版很快也会到来。
2017-01-17 09:40:003747 目前在下一代存储芯片的研发当中，除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片（非易失性阻变式存储器）。2016年3月，Crossbar公司宣布与中芯国际达成合作，发力中国市场。其中，中芯国际将采用自家的40nm CMOS试产ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:553396 的产品集成度将帮助2.5G功能型手机制造商降低整个平台成本，并增加工业设计的灵活性。 “SC6531采用40nm CMOS工艺，为客户提供
2018-11-14 20:39:01419 “芯启源”）共同合作，集成USB3.0物理层设计（PHY）与控制器 （Controller）并应用于中芯国际40nm和55nm的工艺技术，推出完整的USB 3.0 IP解决方案。
2018-12-05 14:06:566394 合作，一同成立合资企业，并在马来西亚新建一座12英寸晶圆工厂。 据了解，富士康提及到该工厂将会锁定28nm及40nm制程，并且预计该晶圆厂投产后，每个月能够提供4万片的产能。目前市面上的微控制器、传感器、连接相关芯片等都广泛使用了28nm制程，因此例如台积电等制
2022-05-18 16:35:032398 IP_数据表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:19:391 IP_数据表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:20:310 IP 数据表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:152 IP_数据表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:26:530 IP_数据表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:100 IP_数据表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:040 IP_数据表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:111 IP_数据表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561 IP 数据表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260 IP_数据表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:510 IP_数据表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241 IP_数据表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122
电子发烧友App
工商网监
评论