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电子发烧友网>制造/封装>电子技术>IEDM:PCM研究朝20nm迈进

IEDM:PCM研究朝20nm迈进

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2018-07-14 07:21:005058

解密业界首款16nm产品核心技术

以赛灵思 20nm UltraScale 系列的成功为基础,赛灵思现又推出了全新的 16nm UltraScale+ 系列 FPGA、3D IC 和 MPSoC,凭借新型存储器、3D-on-3D 和多处理SoC(MPSoC)技术,再次领先一代提供了遥遥领先的价值优势。
2017-02-11 16:08:11660

16nm/10nm/7nm处理器差距有多大?为你解答

我们要先搞清楚什么是制程。那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。其实这些数值所代表的都是一个东西,那就是处理器的蚀刻尺寸,简单的讲,就是我们能够把一个单位的电晶体刻在多大尺寸的一块芯片上。
2017-07-05 09:24:482962

20nm技术的发展应景

  20nm会延续摩尔定律在集成上发展趋势,但是要付出成本代价。2.5D封装技术的发展,进一步提高了集成度,但是也增大了成本,部分解决了DRAM总线电源和带宽问题,在一个封装中集成了种类更多的IC。随着系统性能的提高,这一节点也增加了体系结构的复杂度。目前为止,它也是功耗管理最复杂的节点。
2017-09-15 09:54:3010

PCM的含义及PCM原理及应用介绍

一、PCM接入设备概述 PCM的含义 PCM:Pulse Code Modulation的缩写,即:脉冲编码调制。脉冲编码调制的作用:将模拟信号经抽样、量化、编码转成标准的数字信号。 PCM设备
2017-11-16 16:26:0544

赛灵思业界20nm技术首次投片标志着UltraScale架构时代来临

在28nm技术突破的基础上,赛灵思又宣布推出基于20nm节点的两款业界首创产品。赛灵思是首家推出20nm商用芯片产品的公司。此外,该新型器件也是赛灵思将向市场推出的首款采用UltraScale技术
2018-01-12 05:49:45706

PCM2912A与PCM2912的应用差异信息

该应用报告提供了PCM2912A和PCM2912设备之间的差异。
2018-05-17 16:42:0038

南亚科完成首颗自主研发的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,重返PC市场

台塑集团旗下DRAM大厂南亚科技术能力大跃进,完成首颗自主研发的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,并通过个人电脑(PC)客户认证,本月开始出货,为南亚科转攻利基型DRAM多年后,再度重返个人电脑市场,明年农历年后将再切入服务器市场,南亚科借此成为韩系和美系大厂之后,另一稳定供货来源。
2018-08-28 16:09:212734

赛灵思最新发布的UltraScale+16nm系列FPGA、3D IC和MPSoC介绍

关键词:UltraScale+ , MPSoC , 3D IC 引言 在赛灵思 20nm UltraScale MT 系列成功基础上,赛灵思现又推出了全新的 16nm UltraScale+ 系列
2018-12-28 00:02:02832

Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上的8个电源开启顺序的确定

ADI Guneet Chadha探讨电源系统管理(PSM)如何确定Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上8个电源的时序或按照预定顺序开启各电源
2019-07-24 06:16:001618

火热的半导体究竟有哪些秘密?

而台积电在坚持了 20nm 和 16nm 两代之后,也主动回到了 10nm 的正轨。原因非常简单,因为 NAND 颗粒并不是制程越小性能越好,20nm 之后就会发生严重的电子干扰,所以在 20nm
2019-05-01 10:50:002136

Xilinx宣布与TSMC开展7nm工艺合作

“台积公司是我们在 28nm20nm 和 16nm 实现‘三连冠(3 Peat)’成功的坚实基础。其出色的工艺技术、3D 堆叠技术和代工厂服务,让赛灵思在出色的产品、优异的品质、强大的执行力以及领先的市场地位上享有了无与伦比的声誉。
2019-08-01 09:24:522209

Xilinx投片首个ASIC级可编程架构的行业首款20nm器件

赛灵思UltraScale架构:行业第一个ASIC级可编程架构,可从20nm平面晶体管结构 (planar)工艺向16nm乃至FinFET晶体管技术扩展,从单芯片(monolithic)到3D IC扩展。
2019-12-18 15:30:23801

魏少军:20nm以下制程为半导体生态系统带来根本性的改变

20nm以下制程,该公司也将沿用此一发展策略,持续加强与IC设计公司合作,进一步提高生产效率与降低投资风险。
2020-09-08 14:11:272024

2019 IEDM:IBM和Leti论文

BM和Leti在IEDM上发表的关于Nanosheet的工作进展:改进蚀刻工艺,基于偶极子的Vt控制,在叠层下引入介电层降低寄生电容以及对纳米片叠层中应力的理解,以使Nanosheet架构朝着量产迈进。应力会影响载流子迁移率,进而影响器件性能,因此也是未来工艺优化的关键。
2020-12-24 15:52:21186

三星将在3nm时代进一步拉近自己与台积电的芯片代工技术差距

晶体管是器件中提供开关功能的关键组件。几十年来,基于平面晶体管的芯片一直畅销不衰。走到20nm时,平面晶体管开始出现疲态。为此,英特尔在2011年推出了22nm的FinFET,之后晶圆厂在16nm/14nm予以跟进。
2021-03-22 11:35:242075

利用FPGA的可编程能力以及相关的工具来准确估算功耗

AMD-Xilinx在20nm & 16nm节点Ultrascale系列器件使用FinFET工艺,FinFET与Planar相比在相同速度条件下功耗低20%-50%。
2022-12-29 14:44:491165

基于20nm工艺制程的FPGA—UltraScale介绍

UltraScale是基于20nm工艺制程的FPGA,而UltraScale+则是基于16nm工艺制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544129

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