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电子发烧友网>业界新闻>厂商新闻>罗姆试制出漏电流减少95%的SiC制MOSFET

罗姆试制出漏电流减少95%的SiC制MOSFET

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漏电流的测试方案分享

漏电流是一种普遍存在于电器电子设备中的现象。当设备中的绝缘被破坏或未经充分绝缘而形成的电流,被称为泄漏电流。泄漏电流对电器电子设备正常运行产生了很大的影响。为了保证设备的正常工作,我们需要及时检测泄漏电流电流探头就是在这个过程中起着重要的作用。
2023-05-18 09:45:211151

如何降低驱动系统漏电流

驱动系统总漏电流由驱动器本身漏电流、电机电缆线漏电流、电机漏电流组成。驱动系统漏电流大小取决于驱动器逆变IGBT的开关频率,逆变IGBT的开关的速度,直流母线电压的幅值,电机的绕组对机壳的分布电容(i=C*dU/dt),因此,IGBT的开关频率由10kHz降低到5kHz时,漏电流明显降低
2023-05-17 10:19:53730

MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗?

MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗?栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗?
2023-05-16 14:33:51

测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项:一般测量方法

SiC MOSFET具有出色的开关特性,但由于其开关过程中电压和电流变化非常大,因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作-前言”中介
2023-05-08 11:23:14642

MOS晶体管漏电流的6个原因

漏电流会导致功耗,尤其是在较低阈值电压下。了解MOS晶体管中可以找到的六种泄漏电流。 在讨论MOS晶体管时,短通道器件中基本上有六种类型的漏电流元件: 反向偏置PN结漏电流 亚阈值漏电流
2023-05-03 16:27:007772

了解短通道MOS晶体管中的漏电流元件

本文介绍了MOS晶体管的基础知识,以期更好地了解此类晶体管中可能发生的漏电流。 MOS晶体管正在缩小,以最大限度地提高其在集成电路内的封装密度。这导致了氧化物厚度的减少,从而降低了MOS器件
2023-05-03 11:33:001279

R课堂 | SiC MOSFET:栅极-源极电压的浪涌抑制方法-总结

本文是“SiC MOSFET:栅极-源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的总结篇。介绍SiC MOSFET的栅极-源极电压产生的浪涌、浪涌抑制电路、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策和浪涌抑制电路的电路板
2023-04-13 12:20:02813

碳化硅SiC MOSFET:低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管

,单极性反向导通电流是条形花纹排列SBD实现电流的两倍。2.7mΩ・cm2条件下,RonA降低约20%。SiC MOSFET用于电机驱动应用逆变器时,这种经过验证的改进效果是至关重要的。目前正在继续进行
2023-04-11 15:29:18

测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项:一般测量方法

SiC MOSFET具有出色的开关特性,但由于其开关过程中电压和电流变化非常大,因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731

沟槽结构SiC MOSFET常见的类型

SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道,尽管其工艺复杂,单元一致性比平面结构差。
2023-04-01 09:37:171329

SiC MOSFET的短沟道效应

在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异,PracticalAspectsandBod
2023-03-31 10:48:08529

ROHM的SiC MOSFETSiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC MOSFETSiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13

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