联电、IBM 合攻20纳米市场

　　晶圆代工厂联电（2303）昨（29）日宣布与IBM签订技术授权合约，将以3D架构的鳍式场效晶体管（FinFET），促进次世代尖端20纳米CMOS制程的开发，以加速联电次世代尖端技术的研发时程。

　　根据联电及IBM的协议，IBM将授权其20纳米设计套件以及FinFET技术给联电，联电将可运用这些技术，加快推出这些制程给客户采用的时程。不过联电表示，虽取得技术授权，但联电并未加入由IBM主导的半导体技术研发联盟－通用平台（Common Platform）。

　　联电与IBM的合作协议，包括IBM的20纳米CMOS制程与FinFET技术。联电内部自行研发的20纳米平面（planar）制程，将与IBM的设计规则与制程/元件目标同步，未来联电的FinFET技术，将针对行动运算与通讯产品，此研发将于联电位于南科的研发中心进行。

　　目前全球的半导体厂的技术研发上，英特尔仍执牛耳，量产中的22纳米制程已导入「Tri-Gate」的3D晶体管架构。为了追上英特尔脚步，包括台积电、联电、IBM、三星、格罗方德（GlobalFoundries）等晶圆代工厂，均投入庞大资金进行3D架构的FinFET技术研发，最快在20纳米世代就会开始导入。

　　联电表示，获得IBM的技术授权后，联电20纳米制程技术除了平面制程，也会开始导入FinFET技术，且未来联电与IBM的20纳米制程兼容。

　　业者指出，联电此举等于20纳米制程将与IBM「互通」，过去在IBM及通用平台联盟投片的客户，可以在最短时间转到联电投片。而借重IBM的专业技术来缩减联电20纳米与FinFET研发周期，将可为联电与客户创造双赢。