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上述公式是稳态工作时，功率器件上的电压、电流应力。选择功率器件时，其电压耐量可放一个合适的余量（保证最坏情况下的电压峰值不超过此值），电流耐量则得按器件的结温降额要求决定、它与外部散热条件和器件
2024-03-21 09:44:15
功率器件是指用于控制和调节电能的器件，其主要功能是将电能转换为其他形式的能量，如电机的驱动、电源的变换等。功率器件一般分为三类：晶闸管、功率二极管和场效应管。晶闸管主要用于大功率开关控制，功率二极管
2024-03-20 14:43:16
106 本文通过单项实验对比与分析，选取原生HgCdTe材料，对其进行PIN结构雪崩器件的全过程工艺模拟，形成大面积的雪崩Ⅰ区。采用微分霍尔、微分少子寿命等测试手段进行材料表征，评估获得了关键雪崩区域的真实材料晶体质量。
2024-03-15 09:38:28105 
常规的碲镉汞PIN结构雪崩器件一般采用non-p结构，其中最为关键的雪崩Ⅰ区采用离子注入及推结退火的后成结工艺。
2024-03-15 09:37:4975 
AP8022H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式
2024-03-09 11:09:32
0 和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。
2024-03-07 14:28:43103 
共读好书 杜隆纯 何勇 刘洪伟 刘晓鹏 （湖南国芯半导体科技有限公司 湖南省功率半导体创新中心） 摘要： 针对SiC功率器件封装的高性能和高可靠性要求，文章研究了芯片双面银烧结技术与粗铜线超声键合
2024-03-05 08:41:47103 
功率MOSFET的雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2024-02-25 16:16:35487 
当功率器件承受的雪崩耐量超过极限后，芯片最终会损坏，然而单脉冲雪崩与重复雪崩的失效机理并不相同。
2024-02-25 15:48:081122 
电子元器件的封装测试是确保元器件在正常工作条件下能够稳定运行的重要环节。
2024-02-23 18:17:171002 雪崩击穿（Avalanche Breakdown）是半导体器件中一个关键的物理现象，特别是在PN结二极管和各种类型的功率晶体管中。当这些器件的反向电压超过一定的临界值时，会突然有大量电流流过原本
2024-02-23 17:06:03243 
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。
2024-02-23 09:38:53343 
怎么一回事，制冷量和功率又该如何换算，一台10KW的空调，制冷量25000W，还有一个能效比是2.5，这个能效比是什么意思？家用电器的几级能耗是什么意思？这个和具体用电器的输入功率，输出功率，效率等什么因素有关？
2024-02-22 14:46:48
OPEAK提供雪崩光电探测器(APD)比带放大光电探测器（PIN），同样带宽下具有更高的灵敏度和更低的噪声，因此非常适合用于低光功率应用，一般而言，雪崩光电二极管利用内部增益机制提高灵敏度。在二极管
2024-01-23 09:25:260 高压功率放大器在半导体测试中扮演着重要的角色。半导体测试是指对半导体器件进行各种电性能参数测试和质量检测的过程。以下是关于高压功率放大器在半导体测试中的应用的详细介绍。 一、高压信号发生器
2024-01-15 11:24:49138 
氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:41667 功率器件 (Power Devices) 通常也称为电力电子器件，是专门用来进行功率处理的半导体器件。功率器件具有承受高电压、通过大电流的能力，处理电压的范围可以从几十伏到几千伏，通过电流的能力最高
2024-01-09 09:38:52400 光功率测试仪怎么使用？ 光功率测试仪是一种用于测量光纤连接的光功率的仪器。它是光通信设备测试和维护的重要工具。下面将详细说明光功率测试仪的使用方法。 一、准备工作 首先，确保光功率测试仪的电池充满
2024-01-05 14:31:37388 崩击穿和齐纳击穿是半导体器件中常见的两种击穿现象，它们在物理机制、电压特性和应用方面有很大的区别。本文将对这两种击穿现象进行详细的介绍和分析。 一、雪崩击穿 物理机制 雪崩击穿是指在高电场作用
2023-12-30 17:06:003140 
逆变电路中的功率开关器件是实现直流电转换为交流电的关键元件，其主要作用是在控制信号的作用下，将直流电源输出的电能转换为交流电能。在逆变电路中，功率开关器件的性能直接影响到整个逆变器的效率、可靠性
2023-12-30 17:02:00702 碳化硅功率器件的实用性不及硅基功率器件吗 碳化硅功率器件相较于传统的硅基功率器件具有许多优势，主要体现在以下几个方面：材料特性、功率密度、温度特性和开关速度等。尽管碳化硅功率器件还存在一些挑战
2023-12-21 11:27:09285 开关电源功率常见的测试方法有：通过测量电压和电流来计算出功率、使用功率计直接测出功率。这两种测试方法各有优点与不足。以自动化方式测试开关电源工率，用开关电源测试软件不仅可以提高测试速度，还可以对测试数据进行多维度分析，确保测试数据和结果可靠性。
2023-12-20 16:03:42635 品牌：久滨型号：JB-JM5名称：耐碎石冲击试验机一、产品概述： 汽车材料耐碎石冲击测试机是一种高精密度的多重冲击仪器，它的优点在于所获得结果具有很好的重复性和可比性，通过压缩空气和加速的锋利粒子
2023-12-14 16:36:22
来激励被测材料或器件。功率放大器能够将低功率信号放大到所需的高功率水平，从而有效地激发被测试物体的响应。例如，在声学测试中，功率放大器可以将信号放大，以便在材料中产生足够的声音强度来进行声学特性测量。 提供可
2023-12-14 10:42:43177 
随着电力电子技术的不断发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新型的半导体材料，在电力电子领域的应用越来越广泛。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐压、高耐流等优点
2023-12-14 09:14:46240 光功率计测试光纤正常值多少？ 光功率计是用于测试光纤光信号强度的仪器，通过测量光纤上的光功率来判断其传输质量。在进行光功率计测试之前，我们需要了解光纤的正常功率值范围。 在光纤通信系统中，发射
2023-12-11 11:06:081754 SCK-Y玻璃瓶耐内压力测试仪适用于各种啤酒瓶、酒瓶、饮料瓶、输液瓶、西林瓶等各类玻璃瓶耐内压力测试，产品依据GB/T 4546-2008(玻璃容器 耐内压力试验方法)标准中实验项目规定，全自动
2023-12-08 13:11:41
【科普小贴士】MOSFET的性能：雪崩能力
2023-12-07 16:46:47423 
什么是雪崩失效
2023-12-06 17:37:53289 
季丰电子ATE实验室最新引进了两台双脉冲测试仪DPT1000A和Edison，分别覆盖功率单管和模块。
2023-12-05 18:09:59430 
功率半导体冷知识：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
功率半导体器件，以前也被称为电力电子器件，简单来说，就是进行功率处理的，具有处理高电压，大电流能力的半导体器件。典型的功率处理，包括变频、变压、变流、功率管理等等。早期的功率半导体器件：大功率二极管
2023-12-03 16:33:191134 
-产品详情-AF-01药用铝箔耐破度测试仪产品介绍AF-01铝箔耐破度测试仪专业应用于各类药用铝箔耐破强度试验,是铝箔强度性能检测的基本仪器,是食品、药品包装厂家、商检、科研等部]的理想检测设备
2023-12-01 14:29:45
本推文包含两个部分，一个是雪崩击穿和碰撞电离的关系，一个是光电器件仿真简介。旨在提倡用理论知识去指导仿真，和通过仿真结果反过来加深对理论理解的重要性。
2023-11-27 18:26:32699 
高压功率器件的开关技术简单的包括硬开关技术和软开关技术
2023-11-24 16:09:22534 
下，PN结中的载流子会迅速增多，形成一个大的电流。击穿特性是PN结的重要特点之一，对于电子器件设计和安全运行都有重要的影响。 雪崩击穿是PN结的一种击穿机制，当反向电压足够大时，电子和空穴在结区域的耗尽层中会获得足够的能量，以使它们
2023-11-24 14:20:271214 什么是雪崩击穿？单脉冲雪崩与重复雪崩有何不同？雪崩击穿失效机理是什么？ 雪崩击穿是指在电力系统中，由于过电压等原因导致绝缘击穿，进而引发设备失效的一种故障现象。在电力系统中，绝缘是保证设备正常运行
2023-11-24 14:15:36817 当功率器件PN结的反向电压增大到某一数值后，半导体内载流子通过碰撞电离开始倍增，这一现象与宏观世界中高山雪崩是很像的，所以我们称之为雪崩击穿。
2023-11-23 16:22:27572 
三分钟看懂雪崩光电二极管
2023-11-23 09:09:06640 
单光子雪崩二极管（SPAD）的关键特征是能够探测单个光子并提供数字信号输出。
2023-11-21 09:17:39582 
有关运放全功率带宽的问题，全功率带宽应该怎么测试？ADA4857和AD8479两款运放全功率带宽的测试条件不一样，一个输出电压峰峰值为2V，另一个输出电压峰峰值为20V，应该如何确定这个值？
2023-11-21 08:21:30
电子发烧友网站提供《功率器件的热设计及散热计算.pdf》资料免费下载
2023-11-13 09:21:590 简介：本资料的主要内容包括风电及大功率逆变器中阻容器件及功率器件的应用，太阳能逆变器中膜电容及光驱动器件的应用以及电阻及功率器件在电动汽车的应用。
2023-11-09 15:40:110 一、功率器件在半导体产业中的位置功率半导体器件，简称功率器件，又称电力电子器件，属于半导体产品中的分立器件。功率集成电路也就是如下图的【功率IC】，典型产品有【电源管理芯片】和【各类驱动芯片
2023-11-08 17:10:15822 
一、引言食品复合袋耐内压力测试仪是一种专门用于测试食品复合袋耐内压力性能的实验设备。食品复合袋作为食品包装的重要形式，其耐内压力性能对于食品的保存和安全性具有重要影响。本文将介绍食品复合袋耐内压力
2023-10-25 16:42:21
网分的射频输出功率如何设置？改动射频输出功率，对测试参数有什么影响？ 网分器是一种常用的高频器件，它可以将输入的高频信号分成两个或多个输出端口，用于进行不同的测试或应用。网分器的射频输出功率是指在
2023-10-20 14:44:20557 功率半导体器件与普通半导体器件的区别在于，其在设计的时候，需要多一块区域，来承担外加的电压，如图5所示，300V器件[1]的“N-drift”区域就是额外承担高压的部分。与没有“N-drift”区的普通半导体器件[2]相比，明显尺寸更大，这也是功率半导体器件的有点之一。
2023-10-18 11:16:21879 
随着新能源汽车销量暴涨的东风，采用碳化硅功率器件可助力新能源汽车提升加速度、降低系统成本、增加续航里程以及实现轻量化等。碳化硅的优越性能使其在更多尖端领域有着迫切的需求。随着航天技术的快速发展，作为
2023-10-18 10:34:31378 
100家功率器件厂商汇总前言功率器件应用前景广阔，几乎涵盖了所有电子产业链。以MOSFET、IGBT为代表的功率器件需求旺盛。根据性能不同，广泛应用于汽车、充电桩、光伏发电、风力发电、消费
2023-10-18 08:33:092498 
探头与示波器被称为工程师的眼睛，是工程师进行电信号测量时必不可少的工具。探头在功率领域的应用是其发挥作用的重要方面，包括功率器件测试和变换器测试两个方面。
2023-10-17 14:37:10206 
碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半导体，用于制造电动汽车、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
纸张耐折度测试仪 耐折度是指纸或纸板在一定张力下所能承受往复135°的双折次数,以往复折叠的双折次数或按以10为底的双折次数对数值表示。 试验步骤：校准仪器水平,调节所需的弹簧
2023-10-12 16:47:27
电子元器件可靠性测试是保证元器件性能和质量的一个重要测试项目，同时也是电子设备可靠性的基础。常见的可靠性测试项目有机械冲击测试、高温存储测试、温度循坏测试、引线键合强度测试等。
2023-10-11 14:49:05350 
在当今的高科技社会中，氮化镓（GaN）功率器件已成为电力电子技术领域的明星产品，其具有的高效、高频、高可靠性以及高温工作能力等优势在众多领域得到广泛应用。然而，为了确保氮化镓功率器件的性能和可靠性，制定一套科学、规范的测试方案至关重要。
2023-10-08 15:13:23476 
长电科技在功率器件封装领域积累了数十年的技术经验，具备全面的功率产品封装外形，覆盖IGBT、SiC、GaN等热门产品的封装和测试。
2023-10-07 17:41:32398 龙腾半导体建有功率器件可靠性与应用实验中心，专注于产品设计验证、参数检测、可靠性验证、失效分析及应用评估，公司参考半导体行业可靠性试验条件和抽样原则，制定产品可靠性规范并依此对产品进行完整可靠性验证。
2023-09-20 16:29:21808 
氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50:342682 
玻璃瓶耐内压测试机 在玻璃瓶检测标准中，玻璃瓶的耐内压力是一项至关重要的指标。这是因为玻璃瓶的耐内压力直接关系到其易破碎程度，对于保证玻璃瓶在使用过程中的安全性和可靠性具有重要意义。根据
2023-09-19 14:19:04
IGBT 属于功率半导体器件, 在新能源汽车领域, IGBT 作为电子控制系统和直流充电桩的核心器件, 直接影响电动汽车的动力释放速度, 车辆加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358 功率循环测试-简介功率循环测试是一种功率半导体器件的可靠性测试方法，被列为AEC-Q101与AQG-324等车规级测试标准内的必测项目。相对于温度循环测试，功率循环通过在器件内运行的芯片发热使器件
2023-09-10 08:27:59857 
随着新能源汽车的快速发展，碳化硅功率器件在新能源汽车领域中的应用也越来越多。碳化硅功率器件相比传统的硅功率器件具有更高的工作温度、更高的能耗效率、更高的开关速度和更小的尺寸等优点，因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 功率器件在工业应用中的解决方案，议程分为：功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
功率半导体器件在现代电力控制和驱动系统中发挥着重要作用。IGBT模块和IPM模块是其中两个最为常见的器件类型。它们都可以用于控制大功率负载和驱动电机等应用，但是它们的内部结构和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494672 
功率二极管有哪些？二极管是功率器件吗? 功率二极管是一种功率电子器件，它与普通的二极管的不同之处在于其能够承受更大的电流和电压，用于控制和转换电能。功率二极管是一种关键的电子器件，广泛应用于许多领域
2023-09-02 11:13:57790 氮化镓功率器件具有较低的导通阻抗和较高的开关速度，使其适用于高功率和高频率应用，如电源转换、无线通信、雷达和太阳能逆变器等领域。由于其优异的性能，氮化镓功率器件在提高功率密度、提高系统效率和减小尺寸方面具有很大的潜力。
2023-08-24 16:09:151942 范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为
2023-08-21 17:14:581144 
功率器件可靠性
2023-08-07 14:51:532 碳化硅功率器件主要应用于新能源车的电驱电控系统，相较于传统硅基 功率半导体器件，碳化硅功率器件在耐压等级、开关损耗和耐高温性方面具备许多明显的优势，有助于实现新能源车电力电子驱动系统轻量化、高 效化。
2023-08-02 10:49:59363 反向雪崩击穿和正向浪涌鲁棒性是半导体功率器件在高电场和大电流密度等极端条件下非平衡载流子动力学的基本特征，也是所有元器件在电动汽车、轨道交通、电网和新能源等实际应用场景中承受瞬态过压(Overvoltage)、过流(Overcurrent)等应力冲击的先决条件。
2023-07-30 17:20:10841 
电子发烧友网站提供《功率器件在工业应用中的解决方案.pdf》资料免费下载
2023-07-29 15:34:440 功率半导体，又称电力电子器件或功率电子器件，是电子产业链中最核心的一类器件之一。能够实现电能转换和电路控制，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）和整流（交流转直流）等作用。
2023-07-27 16:17:151630 
功率半导体包括功率半导体分立器件（含模块）以及功率 IC 等。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、晶闸管和晶体管等。
2023-07-26 09:31:035043 
电子发烧友网站提供《SBR雪崩能量应用笔记.pdf》资料免费下载
2023-07-25 17:37:300 PN8034内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET，集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。
2023-07-21 15:55:072352 
点击上方 “泰克科技” 关注我们！ （本文转载自公众号： 功率器件显微镜 ，分享给大家交流学习） GaN HEMT功率器件实测及其测试注意事项。氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表，具有极快的开关
2023-07-17 18:45:02711 
对功率器件动态参数进行测试是器件研发工程师、电源工程师工作中的重要一环，测试结果用于验证、评价、对比功率器件的动态特性。
2023-07-10 16:28:08343 碳化硅功率器件作为新一代功率半导体器件，以其优异的特性获得了广泛的应用，同时也对其动态特性测试带来了挑战，现阶段存在的主要问题有以下三点
2023-07-08 15:14:02325 
车规级功率器件未来发展趋势
材料方面: SiC和GaN是必然趋势，GaAs在细分领域有可能
●封装方面:高功率密度、高可靠性和定制化
●评测方面:多应力综合测试方法、新型结温测试方法和技术
●进展方面:国产在赶超进口(参数和性能)，可靠性还需要时间沉淀
2023-07-04 10:48:05415 
功率MOSFET的UIS雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2023-06-29 15:40:541276 
功率器件是指用于控制、调节和放大电能的电子元件。它们主要用于处理大功率电信号或驱动高功率负载，例如电机、变压器、照明设备等。
2023-06-28 17:02:091644 光隔离探头主要用于开关电源、逆变器、充电桩、变频器、电机驱动等由功率半导体组成的高压高频电路的测试，尤其是宽禁带半导体器件包括氮化镓、碳化硅器件组成的半/全桥电路的测试。
2023-06-27 17:32:33555 
1 Buck 变换器的功率器件设计公式 （1）：Buck 变换器的电路图： （2）：Buck 变换器的主要稳态规格： （3）：功率器件的稳态应力： -- 有源开关 S： -- 无源开关 D： 上述
2023-06-26 10:06:01434 
MOS 管可能会遭受与其他功率器件相同的故障，例如过电压（半导体的雪崩击穿）、过电流（键合线或者衬底熔化）、过热（半导体材料由于高温而分解）。
2023-06-11 15:58:46452 
提升硅基氮化镓横向功率器件可靠性的难点在于如何准确测试出器件在长期高压大电流应力工作下的安全工作区，如何保证器件在固定失效率下的寿命。硅基氮化镓横向功率器件在高压大电流场景下的“可恢复退化”与“不可恢复退化”一直以来很难区分，这给器件安全工作区的识别和寿命评估带来了极大挑战。
2023-06-08 15:37:12477 
功率模组OSRG测试什么 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT
2023-05-31 09:39:49671 EAS单脉冲雪崩击穿能量, EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。以低于Tj(max)为极限。
2023-05-24 09:51:302761 
功率MOSFET的雪崩强度限值是衡量器件针对于感性负载在开关动作应用中的重要参数。 清楚地理解雪崩强度的定义，失效的现象及评估的方法是功率MOSFET电路设计必备的能力。 本文将以下面三个方面进行探讨。
2023-05-15 16:17:451133 
碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点，被广泛应用在电动汽车、风能发电、光伏发电等新能源领域。近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国
2023-05-15 10:04:53804 
MOS 管可能会遭受与其他功率器件相同的故障，例如过电压(半导体的雪崩击穿)、过电流(键合线或者衬底熔化)、过热(半导体材料由于高温而分解)。
2023-05-05 09:11:22556 通过对现有功率器件封装方面文献的总结，从器件封装结构散热路径的角度可以将功率器件分为单面散热器件、双面散热器件和多面散热器件。
2023-04-26 16:11:33917 
平台型多通道消光比测试仪可独立进行偏振消光比测试、光功率测试、插损变化测试等，配备 USB(RS232) 接口，上位机软件可自动进行数据测试、 记录、分析，可方便地组成自动测试系统。 广泛应用于光通信设备、光纤、光无源器件与光有源器件的测试，功率范围宽、测试精度高、性价比高、可靠性好。
2023-04-25 17:35:450 骚扰功率测试是绝大多数AV类产品，家电以及电动工具产品在认证时常见的EMC测试之一。本文从骚扰功率的测试原理说起，论述测试要点，以及出现测试不合格的原因分析，和可以采取的对策。后给出一个实际的整改案例加以说明。
2023-04-18 10:45:191646 
在有限的封 装空间内，如何把芯片的耗散热及时高效的释放到外界环境中以降低芯片结温及器件内部各封装材料的工作温度，已成 为当前功率器件封装设计阶段需要考虑的重要问题之一。本文聚焦于功率器件封装结构
2023-04-18 09:53:235973 
电压摆幅在MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。
2023-04-17 09:45:061407 
单光子探测器是一种可检测单个光子能量的高灵敏度器件。按工作原理不同，单光子探测器可分为光电倍增管（PMT）、超导单光子探测器（SSPD）和单光子雪崩光电二极管（SPAD）。
2023-04-15 16:00:591405 碲镉汞线性雪崩焦平面探测器具有高增益、高带宽及低过剩噪声等特点，在航空航天、天文观测、军事装备及地质勘探等领域展现了巨大的应用潜力。
2023-03-28 09:12:33727
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