ITO薄膜在提高异质结太阳能电池效率方面发挥着至关重要的作用，同时优化ITO薄膜的电学性能和光学性能使太阳能电池的效率达到最大。沉积温度和溅射功率也是ITO薄膜制备过程中的重要参数，两者对ITO薄膜
2024-03-05 08:33:20
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近日，美国知名数字标牌解决方案供应商Stratacache与半导体技术公司Lumiode达成战略合作，共同推动Micro LED技术的进一步发展。Stratacache计划将Lumiode的背板沉积技术集成到其即将完成的Micro LED生产线E4当中。
2024-02-05 17:07:04583 碳化硅功率半导体生产流程主要包括前道的晶圆加工，包括长晶、切割、研磨抛光、沉积外延；第二部分芯片加工，这部分跟硅基IGBT类似。
2024-01-25 09:51:42216 真空电镀是一种物理沉积现象。即在真空状态下注入氩气，氩气撞击靶材，靶材分离成分子被导电的货品吸附形成一层均匀光滑的仿金属表面层。
2024-01-24 11:06:08188 
为实现碳化硅晶片的高效低损伤抛光，提高碳化硅抛光的成品率，降低加工成本，对现有的碳化硅化学机械抛光 技术进行了总结和研究。针对碳化硅典型的晶型结构及其微观晶格结构特点，简述了化学机械抛光技术对碳化硅
2024-01-24 09:16:36431 
晶片切割是半导体器件制造的关键步骤，切割方式和质量直接影响晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生产成本，同时对器件制造也有重大影响。碳化硅作为第三代半导体材料，在电子领域中具有重要地位。高质量碳化硅晶体
2024-01-23 09:42:20704 
LPCVD是低压化学气相沉积（low-pressurechemical vapor deposition）的缩写，低压主要是相对于常压的APCVD而言，主要区别点就是工作环境的压强，LPCVD的压强通常只有10~1000Pa，而APCVD压强约为101.3KPa。
2024-01-22 10:38:35166 
优化硅的形态与沉积方式是半导体和MEMS工艺的关键，LPCVD和APCVD为常见的硅沉积技术。
2024-01-22 09:32:15433 
通过化学镀镍沉积增强纳米多孔硅光电阴极的光电化学性能 可再生能源，特别是太阳能，是我们脱碳努力的关键。本文研究了纳米多孔硅及其Ni涂层杂化体系的光电化学行为。这些方法包括将Ni涂层应用于NPSi
2024-01-12 17:06:13112 
对其带载能力有很大影响，常用的MOS管材料有硅、碳化硅和氮化硅等。不同材料具有不同的特性，硅材料具有高电子迁移率和较低的电阻，适用于高频应用；碳化硅具有高电子饱和速度和高电压传导能力，适用于高功率应用；氮化硅具有高温特性和较高的能带间隙，适
2024-01-12 14:43:47424 的生产首先需要准备好所需的原材料。氮化镓是由高纯度金属镓和氮气通过化学气相沉积（CVD）或分子束外延（MBE）等方法制备而成。高纯度金属镓用于制备Ga热源，而氮气则用于形成氮化反应。此外，还需要购买其他辅助材料，例如基
2024-01-10 10:09:41501 。 氮化镓主要有金属有机化合物气相外延法（MOVPE）、分子束外延法（MBE）和金属有机化学气相沉积法（MOCVD）等制备方法。其中，MOVPE是最常用的制备方法之一。该方法通常在高温下进行，通过金属有机化合物镓和氮气反应生成氮化镓薄膜
2024-01-10 10:06:30195 同为第三代半导体材料，氮化镓时常被人用来与碳化硅作比较，虽然没有碳化硅发展的时间久，但氮化镓依旧凭借着禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、饱和电子漂移速度高和抗辐射能力强等特点展现了它的优越性。
2024-01-10 09:53:29567 
晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层：氮化镓衬底上生长一层氮化镓，形成二维电子气层。GaN材料的禁带宽度大，由于
2024-01-09 18:06:41667 材料不同。传统的硅半导体芯片是以硅为基材，采用不同的工艺在硅上加工制造，而氮化镓半导体芯片则是以氮化镓为基材，通过化学气相沉积、分子束外延等工艺制备。氮化镓是一种全化合物半导体材料，具有较宽的能隙，电子迁移率高以及较高的饱
2023-12-27 14:58:24424 氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料，在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18326 TOPCon 电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、BSG 去除和背面刻蚀、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝沉积、正背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试分选，约 12 步左右。从技术路径角度：LPCVD 方式为目前量产的主流工艺，预计 PECVD 路线有望成为未来新方向。
2023-12-26 14:59:112727 
在太阳能电池的薄膜沉积工艺中，具有化学气相沉积（CVD）与物理气相沉积（PVD）两种薄膜沉积方法，电池厂商在沉积工艺中也需要根据太阳能电池的具体问题进行针对性选择，并在完成薄膜沉积工艺后通过
2023-12-26 08:33:01312 在芯片制造中，有一种材料扮演着至关重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:09511 
共读好书 魏红军 谢振民 （中国电子科技集团公司第四十五研究所） 摘要： 电化学沉积技术，作为集成电路制造的关键工艺技术之一，它是实现电气互连的基石，主要应用于集成电路制造的大马士革铜互连电镀工艺
2023-12-20 16:58:23154 
京瓷株式会社（以下简称京瓷）成功研发用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下简称SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234 
沉积到PCB焊盘表面的一种工艺。这种方法通过在焊盘表面用银（ Ag ）置换铜（ Cu ），从而在其上沉积一层银镀层。
优点与缺点并存，优点是可焊性、平整度高，缺点是存储要求高，易氧化。
沉金板
沉金
2023-12-12 13:35:04
碳化硅晶片薄化技术，碳化硅断裂韧性较低，在薄化过程中易开裂，导致碳化硅晶片的减薄非常困难。碳化硅切片的薄化主要通过磨削与研磨实现。
2023-12-12 12:29:24189 
共读好书 魏红军 谢振民 （中国电子科技集团公司第四十五研究所） 摘要： 电化学沉积技术，作为集成电路制造的关键工艺技术之一，它是实现电气互连的基石，主要应用于集成电路制造的大马士革铜互连电镀工艺
2023-12-11 17:31:18234 
金属栅极的沉积方法主要由HKMG的整合工艺决定。为了获得稳定均匀的有效功函数，两种工艺都对薄膜厚度的均匀性要求较高。另外，先栅极的工艺对金属薄膜没有台阶覆盖性的要求，但是后栅极工艺因为需要重新填充原来多晶硅栅极的地方，因此对薄膜的台阶覆盖 性及其均匀度要求较高。
2023-12-11 09:25:31659 
碳化硅和氮化镓的区别 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是两种常见的宽禁带半导体材料，在电子、光电和功率电子等领域中具有广泛的应用前景。虽然它们都是宽禁带半导体材料，但是碳化硅和氮化镓在物理性质
2023-12-08 11:28:51740 半导体前端工艺（第五篇）：沉积——“更小、更多”，微细化的关键
2023-11-27 16:48:42217 
通过有效控制AlN薄膜与Si衬底之间的界面反应，利用脉冲激光沉积（PLD）在Si衬底上生长高质量的AlN外延薄膜。英思特对PLD生长的AlN/Si异质界面的表面形貌、晶体质量和界面性能进行了系统研究。
2023-11-23 15:14:40232 
众所周知，材料的宏观性质，例如硬度、热和电传输以及光学描述符与其微观结构特征相关联。通过改变加工参数，可以改变微结构，从而能够控制这些性质。在薄膜沉积的情况下，微结构特征，例如颗粒尺寸和它们的颗粒
2023-11-22 10:20:59214 
）级别氮化硅硅光芯片的量产，工艺良率超95%。 相对于传统硅光技术，氮化硅材料具有损耗低、光谱范围大、可承载光功率大等突出优点。此外，氮化硅硅光芯片也是优异的多材料异质异构平台，可集成磷化铟（InP）、铌酸锂（LiNbO₃）等材料，实现应用更
2023-11-17 09:04:54654 气态前驱体在晶圆上反应，形成所需的薄膜沉积在晶圆表面。CVD可用于沉积多种金属，如钨、铜、钛等。
2023-11-16 12:24:30548 
背景 András Deák博士的研究重点是了解分子如何相互作用并附着在纳米颗粒表面背后的物理学。许多应用依赖于以预定方式附着在纳米颗粒表面的引入分子。然而，如果纳米颗粒已经有分子附着在其表面，则不
2023-11-15 10:33:52174 
中的应用。 胶体量子点作为一种半导体纳米晶，具有独特的高表面活性以及量子限制效应的物化特性，拥有室温溶液处理的能力，更容易与硅基兼容。但随着硅基板尺寸逐渐缩小，对敏感膜沉积的精度和工艺要求开始变高，目前常用于
2023-11-03 09:09:10767 
这是纳米碳化硅模块烧结工艺，使用铜键合技术，高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热电阻现有工程相比改善了10%以上，工作温度可达175igbt模块相比损失大幅减少40%以上，车辆行驶距离5 - 8%提高了。
2023-11-02 11:19:18342 高效硅太阳能电池的加工在很大程度上取决于高几何质量和较低污染的硅晶片的可用性。在晶圆加工结束时，有必要去除晶圆表面的潜在污染物，例如有机物、金属和颗粒。当前的工业晶圆加工过程包括两个清洁步骤。第一个
2023-11-01 17:05:58135 
氮化硅（Si3N4） 基板在各项性能方面表现最佳，可以提供最佳的可靠性和高功率密度，例如在高级电动汽车驱动逆变器中的应用。
2023-10-23 12:27:13408 
在钙钛矿太阳能电池的生产工艺中，ITO薄膜沉积是能够提升钙钛矿太阳能电池光电转换率的关键步骤，其中，真空蒸镀沉积技术可较为便捷的制备高纯度、高质量的ITO薄膜，是沉积工艺中的一项核心技术
2023-10-10 10:15:53649 作为第三代功率半导体的绝世双胞胎，氮化镓MOS管和碳化硅MOS管日益受到业界特别是电气工程师的关注。电气工程师之所以如此关注这两种功率半导体，是因为它们的材料与传统的硅材料相比具有许多优点。
氮化
2023-10-07 16:21:18325 
经过离子枪聚焦、加速后作用于样品表面，实现离子的成像、注入、刻蚀和沉积。 截面分析是SEM/FIB（Scanning Electron Microscope/Focused Ion beam）双束系统
2023-10-07 14:44:41393 
PECVD作为太阳能电池生产中的一种工艺，对其性能的提升起着关键的作用。PECVD可以将氮化硅薄膜沉积在太阳能电池片的表面，从而有效提高太阳能电池的光电转换率。但为了清晰客观的检测沉积后太阳能电池
2023-09-27 08:35:491772 由于异质结电池不同于传统的热扩散型晶体硅太阳能电池，因此在完成对其发射极以及BSF的注入后，下一个步骤就是在异质结电池的正反面沉积ITO薄膜，ITO薄膜能够弥补异质结电池在注入发射极后的低导电性
2023-09-21 08:36:22407 GaN 技术持续为国防和电信市场提供性能和效率。目前射频市场应用以碳化硅基氮化镓器件为主。虽然硅基氮化镓（GaN-on-Si）目前不会威胁到碳化硅基氮化镓的主导地位，但它的出现将影响供应链，并可能塑造未来的电信技术。
2023-09-14 10:22:36647 
，正逐步替代传统表面处理工艺，下面来看各项技术对比：激光熔覆VS热喷涂激光熔覆制备涂层组织致密、无气孔，且涂层与基体为冶金结合方式，结合强度高。热喷涂涂层沉积速率较高
2023-09-04 16:09:43295 
如果有人认为化学镀铜和其他金属化系统深不可测，那么关于电镀就更像是复杂的脑外科手术。
2023-08-29 09:39:161023 
热点新闻 1、传日本更可能实施对光刻/薄膜沉积设备的出口管制 据报道，随着日本对华半导体设备出口禁令于7月23日正式生效，业内普遍想知道这将对中国半导体行业产生的影响。此次出口管制共计23品类半导体
2023-08-28 16:45:011551 
1. 传日本更可能实施对光刻/ 薄膜沉积设备的出口管制 据报道，随着日本对华半导体设备出口禁令于7月23日正式生效，业内普遍想知道这将对中国半导体行业产生的影响。此次出口管制共计23品类半导体
2023-08-28 11:19:30579 
在半导体制程中，移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种，引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如，光刻工艺中的光刻胶涂敷，其实也是在基底上形成各种薄膜；又如氧化工艺中晶圆（硅）氧化，也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“沉积”工艺呢？
2023-08-17 15:33:27370 
该研究首次应用紫外光辅助原子层沉积（UV-ALD）技术于石墨烯表面，并展示了利用UV-ALD沉积Al2O3薄膜在石墨烯场效应晶体管（GFETs）中的应用。在ALD过程中进行5秒最佳紫外照射，导致在石墨烯表面上沉积出更加致密平滑的Al2O3薄膜
2023-08-16 15:52:37282 
来源：天科合达 据天科合达官微消息，8月8日，北京天科合达全资子公司江苏天科合达半导体有限公司碳化硅晶片二期扩产项目开工活动在徐州市经济开发区成功举办。 （图源：金龙湖发布） 据悉，江苏天科合达二期
2023-08-10 16:45:49797 
采用砂浆多线切割工艺加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶体，研究了此工艺中钢线张力、 线速度、进给速度等切割参数对晶片切割表面的影响。通过优化切割工艺参数，最终得到高平坦度、低翘曲度、 低线痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。
2023-08-09 11:25:311051 
氮化镓和碳化硅正在争夺主导地位，它们将减少数十亿吨温室气体排放。
2023-08-07 14:22:08837 
薄膜沉积是指在基底上沉积特定材料形成薄膜，使之具有光学、电学等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:487774 
氮化硅是一种半导体材料。氮化硅具有优异的热稳定性、机械性能和化学稳定性，被广泛应用于高温、高功率和高频率电子器件中。它具有较宽的能隙（大约3.2电子伏特），并可通过掺杂来调节其导电性能，因此被视为一种重要的半导体材料。
2023-07-06 15:44:433823 氮化铝具有较高的热导性，比氮化硅高得多。这使得氮化铝在高温环境中可以更有效地传导热量。
2023-07-06 15:41:231061 氮化硅陶瓷轴承球与钢质球相比具有突出的优点:密度低、耐高温、自润滑、耐腐蚀。疲劳寿命破坏方式与钢质球相同。陶瓷球作为高速旋转体产生离心应力，氮化硅的低密度降低了高速旋转体外圈上的离心应力。
2023-07-05 10:37:061561 
近日，泛林集团 (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX产品，这是业界首个晶圆边缘沉积解决方案，旨在更好地应对下一代逻辑、3D NAND和先进封装应用中的关键制造挑战。随着半导体芯片
2023-07-05 00:39:29422 和在刻蚀工艺中一样，半导体制造商在沉积过程中也会通过控制温度、压力等不同条件来把控膜层沉积的质量。例如，降低压强，沉积速率就会放慢，但可以提高垂直方向的沉积质量。因为，压强低表明设备内反应气体粒子
2023-07-02 11:36:401211 
在半导体制程中，移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种，引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如，光刻工艺中的光刻胶涂敷，其实也是在基底上形成各种薄膜；又如氧化工艺中晶圆（硅）氧化，也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“沉积”工艺呢？
2023-06-29 16:58:37404 
在前几篇文章（点击查看），我们一直在借用饼干烘焙过程来形象地说明半导体制程 。在上一篇我们说到，为制作巧克力夹心，需通过“刻蚀工艺”挖出饼干的中间部分，然后倒入巧克力糖浆，再盖上一层饼干层。“倒入巧克力糖浆”和“盖上饼干层”的过程在半导体制程中就相当于“沉积工艺”。
2023-06-29 16:56:17830 
近日，泛林集团推出了Coronus DX产品，这是业界首个晶圆边缘沉积解决方案，旨在更好地应对下一代逻辑、3D NAND和先进封装应用中的关键制造挑战。随着半导体芯片关键尺寸的不断缩小，其制造变得
2023-06-29 10:08:27650 韫茂科技成立于2018年，致力于成为平台形态的纳米级薄膜沉积设备制造企业。目前拥有ald原子层沉积系统、pvd物理气体沉积系统、cvd化学气体沉积系统、uhv超高真空涂层设备等12种产品。
2023-06-28 10:41:03540 3D NAND 工艺通过堆叠存储单元, 提供更高的比特密度, 上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪适用于先进半导体工艺（如沉积和蚀刻）所需的定量气体分析. 沉积应用中: 实时过程
2023-06-21 10:09:13197 
检测方案已成功应用于 low-k 电介质沉积应用 ( 特别是氮化硅 Si3N4 ), 在减少颗粒污染的同时, 缩短了生产时间.
2023-06-21 10:03:30238 
各向异性的。选择性低，因为其对各个层没有差异。气体和被打磨出的材料被真空泵排出，但是，由于反应产物不是气态的，颗粒会沉积在晶片或室壁上。
2023-06-20 09:48:563989 
PDMS微流控芯片表面修饰方法主要有高能氧化技术、动态修饰技术、本体修饰技术、溶胶- -凝胶技术、 层叠组装修饰、化学气相沉积、表面共价嫁接技术等。
2023-06-16 17:12:211673 请问一下8寸 原子层沉积设备ALD，单晶片。国内设备大约在什么价位啊？
2023-06-16 11:12:27
原子层沉积（Atomic layer deposition，ALD）是一种可以沉积单分子层薄膜的特殊的化学气相沉积技术。
2023-06-15 16:19:212037 
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
器件尺寸的不断缩小促使半导体工业开发先进的工艺技术。近年来，原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)已经成为小型化的重要加工技术。ALD是一种沉积技术，它基于连续的、自限性的表面反应。ALE是一种蚀刻技术，允许以逐层的方式从表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步骤的等离子体或热连续反应。
2023-06-15 11:05:05526 
离子束辅助沉积 (IBAD) 是一种薄膜沉积技术，可与溅射或热蒸发工艺一起使用，以获得具有出色工艺控制和精度的最高质量薄膜。
2023-06-08 11:10:22983 
在了解芯片沉积工艺之前，先要阐述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于单原子到几毫米间的薄金属或有机物层。
2023-06-08 11:00:122192 
通过测量晶片上的残留物得知，晶片上已经分配并干燥了含有金属盐作为示踪元素的溶液。假设有两种不同的沉积机制：吸附和蒸发沉积。
2023-06-08 10:57:43220 硅的碱性刻蚀液：氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺（TMAH）溶液，晶片加工中，会用到强碱作表面腐蚀或减薄，器件生产中，则倾向于弱碱，如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒，一部分机理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验，探究了滴液速率、抛光头转 速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响，并对工艺参数进行了优化，最终 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子级光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
电镀是一种利用电化学性质，在镀件表面上沉积所需形态的金属覆层的表面处理工艺。
电镀原理：在含有欲镀金属的盐类溶液中，以被镀基体金属为阴极，通过电解作用，使镀液中欲镀金属的阳离子在基体金属表面沉积，形成镀层。如图13所示。
2023-05-29 12:07:23644 
PVD篇 PVD是通过溅射或蒸发靶材材料来产生金属蒸汽，然后将金属蒸汽冷凝在晶圆表面上的过程。应用材料公司在 PVD 技术开发方面拥有 25 年以上的丰富经验，是这一领域无可争议的市场领导者
2023-05-26 16:36:511749 上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子束溅射沉积 和 IBD 离子束沉积是其典型的应用.
2023-05-25 10:18:34501 
上海伯东代理美国 KRi 考夫曼离子源适用于安装在 MBE 分子束外延, 溅射和蒸发系统, PLD 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等！
2023-05-25 10:10:31378 
工艺进行基板表面金属化，先是在真空条件下溅射钛，然后再是铜颗粒，最后电镀增厚，接着以普通pcb工艺完成线路制作，最后再以电镀/化学镀沉积方式增加线路的厚度。
2023-05-23 16:53:511333 
近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，上交所股票代码：688012）推出自主研发的12英寸低压化学气相沉积（LPCVD）设备Preforma Uniflex CW。这是中微公司深耕高端微观加工设备多年、在半导体薄膜沉积领域取得的新突破，也是实现公司业务多元化增长的新动能。
2023-05-17 17:08:41831 研究人员首先对银纳米颗粒/铜纳米线进行了合成，并对制备的铜纳米线和化学沉积后负载不同尺寸银纳米颗粒的铜纳米线进行了形貌和结构表征（图1）。随后，利用制备的银纳米颗粒/铜纳米线材料制备获得银纳米颗粒/铜纳米线电极，用于后续无酶葡萄糖传感性能的研究。
2023-05-12 15:19:28631 
DPC（DirectPlatingCopper）薄膜工艺是一种利用磁控溅射技术制备铜薄膜的方法。该工艺是将目标材料为铜的铜靶放置在真空腔室中，通过磁控溅射技术使得铜靶表面产生等离子体，利用等离子体中的离子轰击靶表面，将其溅射成细小颗粒并沉积在基底上形成铜薄膜的过程。
2023-05-11 17:38:18843 薄膜的质量以及器件的性能，所以碳化硅衬底材料的加工要求晶片表面超光滑，无缺陷，无损伤，表面粗糙度在纳米以下。
2023-05-05 07:15:001154 
新能源电动汽车爆发式增长的势头不可阻挡，氮化硅陶瓷基板升级SiC功率模块，对提升新能源汽车加速度、续航里程、充电速度、轻量化、电池成本等各项性能尤为重要。
2023-05-02 09:28:451169 
ALD技术是一种将物质以单原子膜的形式逐层镀在基底表面的方法，能够实现纳米量级超薄膜的沉积。
2023-04-25 16:01:052439 
在下面的图3中找到。
化学镍步骤是一种自动催化过程，包括在钯催化的铜表面上沉积镍。必须补充含有镍离子的还原剂，以提供产生均匀涂层所需的适当浓度，温度和酸度。在浸金步骤中，金通过分子交换粘附在镀镍
2023-04-24 16:07:02
有人曾这样形容磁控溅射技术——就像往平静的湖水里投入了石子溅起水花。磁控溅射真空镀膜技术是物理气相沉积（Physical Vapor Deposition）的一种，其原理是：用带电粒子加速轰击靶材表面，发生表面原子碰撞并产生能量和动量的转移，使靶材原子从表面逸出并沉积在衬底材料上的过程。
2023-04-18 10:30:071766 近日，上海玻璃钢研究院有限公司的高级工程师赵中坚沿着该思路，以纯纤维状α-Si3N4粉为主要原料，通过添加一定比例氧化物烧结助剂，经冷等静压成型和气氛保护无压烧结工艺烧结制备出了能充分满足高性能导弹天线罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461274 目前，常用电子封装陶瓷基片材料包括氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）、氧化铍（BeO）、碳化硅（SiC）等。那么，谁才是最有发展前途的封装材料呢？
2023-04-13 10:44:04801 氮化硅基板是一种新型的材料，具有高功率密度、高转换效率、高温性能和高速度等特点。这使得氮化硅线路板有着广泛的应用前景和市场需求，正因为如此斯利通现正全力研发氮化硅作为基材的线路板。
2023-04-11 12:02:401364 
光隔离器是一种只允许单向光通过的无源光器件，其主要特点是：正向插入损耗低，反向隔离度高，回波损耗高。目前已经有多种片上光隔离方案，但这些方案大多依赖于磁光材料的集成或声光或电光调制器的高频调制。
2023-04-03 16:19:041633 
氮化硅研磨环由于研磨环存在内外气压差，可以在密闭的真空或者很浓密的场景中快速的上下运动，氮化硅磨介圈在大的球磨机里不仅起到研磨粉碎的作用，更重要的是众多的氮化硅磨介圈环会发生共振现象，氮化硅
2023-03-31 11:40:35597 
清洗过程在半导体制造过程中，在技术上和经济上都起着重要的作用。超薄晶片表面必须实现无颗粒、无金属杂质、无有机、无水分、无天然氧化物、无表面微粗糙度、无充电、无氢。硅片表面的主要容器可分为颗粒、金属杂质和有机物三类。
2023-03-31 10:56:19314 
在整个晶圆加工过程中，仔细维护清洁的晶圆表面对于在半导体器件制造中获得高产量至关重要。因此，湿式化学清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中应用最重复的处理步骤。
2023-03-30 10:00:091940 
导热填料其主要成份为纳米氮化硅镁、纳米碳化硅、纳米氮化铝、纳米氮化硼、高球形度氧化铝、纳米氮化硅（有规则取向结构）等多种超高导热填料的组合而成，根据每种材料的粒径、形态，表面易润湿性，掺杂分数，自身
2023-03-29 10:11:55531 是ENIG。都是通过化学的方法在铜面上沉积一层镍，然后在镍层上再沉积一层金，所以表面看上去是金黄色。沉金的厚度一般是1u”和2u“。沉金的流程也是三个主要步骤：前处理—沉金—后处理。当然沉金里面又分有水洗、除
2023-03-24 16:59:21
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