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电子发烧友网>今日头条>使用n型GaSb衬底优化干法和湿法蚀刻工艺

使用n型GaSb衬底优化干法和湿法蚀刻工艺

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刻蚀室半导体IC制造中的至关重要的一道工艺,一般有干法刻蚀和湿法刻蚀两种,干法刻蚀和湿法刻蚀一个显著的区别是各向异性,更适合用于对形貌要求较高的工艺步骤。
2022-06-13 14:43:316

湿法蚀刻干法蚀刻有什么不同

的逐层秘密。随着制造工艺的变化和半导体结构的变化,这些技术需要在时间和程序上不断调整。虽然有许多工具有助于这些分析,如RIE(反应离子蚀刻-一种干法蚀刻技术)、离子铣削和微切割,但钨的湿法化学蚀刻有时比RIE技术更具重现性。
2022-06-20 16:38:205220

一种穿过衬底的通孔蚀刻工艺

蚀刻残留物。开发的最终工艺产生了具有大约80度的单斜面侧壁轮廓的穿过衬底的通孔,该通孔清除了蚀刻后的掩膜材料。
2022-06-23 14:26:57516

晶圆的湿法蚀刻法和清洁度

本文介绍了我们华林科纳在半导体制造过程中进行的湿法蚀刻过程和使用的药液,在晶圆表面,为了形成LSI布线,现在几乎所有的半导体器件都使用干蚀刻方式,这是因为干法蚀刻湿法蚀刻相比,各向异性较好,对于形成细微的布线是有利的。
2022-07-06 16:50:321538

GaN的晶体湿化学蚀刻工艺详解

目前,大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子体蚀刻完成的。1,2干法蚀刻有几个缺点,包括产生离子诱导损伤3和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法蚀刻产生的侧壁的典型均方根(rms)粗糙度约为
2022-07-12 17:19:243454

蚀刻工艺 蚀刻过程分类的课堂素材4(上)

蚀刻工艺 蚀刻过程分类
2022-08-08 16:35:34736

用于硅片减薄的湿法蚀刻工艺控制的研究

薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。更薄的模具需要装进更薄的包装中。与标准的机械背磨相比,在背面使用最终的湿法蚀刻工艺而变薄的晶片的应力更小。
2022-08-26 09:21:362363

磷酸的腐蚀特性及缓蚀剂 氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻

在半导体湿法蚀刻中, 热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺, 实践中发现温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。 从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发, 我们华林科纳分析了影响蚀刻率的各个因素, 并通过
2022-08-30 16:41:592993

简要说明湿法蚀刻干法蚀刻每种蚀刻技术的特点和区别

蚀刻不是像沉积或键合那样的“加”过程,而是“减”过程。另外,根据刮削方式的不同,分为两大类,分别称为“湿法蚀刻”和“干法蚀刻”。简单来说,前者是熔法,后者是挖法。
2023-01-29 09:39:003850

什么是金属蚀刻蚀刻工艺

金属蚀刻是一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的技术。金属蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有不同的腐蚀特性和强度。
2023-03-20 12:23:433172

PCB加工的蚀刻工艺

印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程,本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886

从头到尾的半导体技术

湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高
2023-04-10 17:26:10453

干法蚀刻湿法蚀刻-差异和应用

干法蚀刻湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片,是液体(湿法蚀刻)还是气体(干法蚀刻
2023-04-12 14:54:331004

高速硅湿式各向异性蚀刻技术在批量微加工中的应用

蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类:湿法蚀刻干法蚀刻湿法蚀刻进一步细分为两部分,即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12700

如何在蚀刻工艺中实施控制?

蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺,因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定,蚀刻率就会变化,因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学,以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575

浅谈蚀刻工艺开发的三个阶段

纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的,并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻(压痕)和通道释放步骤,以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071

半导体八大工艺之刻蚀工艺-干法刻蚀

离子束蚀刻 (Ion beam etch) 是一种物理干法蚀刻工艺。由此,氩离子以约1至3keV的离子束辐射到表面上。由于离子的能量,它们会撞击表面的材料。晶圆垂直或倾斜入离子束,蚀刻过程是绝对
2023-06-20 09:48:563989

干法电极工艺“骚动”

干法电极工艺再获国际车企巨头“力挺”。
2023-06-28 09:55:171027

如何实现PCB蚀刻工艺中的均匀性呢?有哪些方法?

PCB蚀刻工艺中的“水池效应”现象,通常发生在顶部,这种现象会导致大尺寸PCB整个板面具有不同的蚀刻质量。
2023-08-10 18:25:431013

低能量电子束曝光技术

直接蚀刻和剥离是两种比较流行的图案转移工艺。在直接蚀刻工艺中,首先使用光刻技术对聚合物抗蚀剂进行构图,然后通过干法蚀刻技术用抗蚀剂作为掩模将图案转移到衬底或子层上。
2023-09-07 09:57:14292

PCB线路板的蚀刻工艺需要注意哪些细节问题

一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲pcb打样蚀刻工艺注意事项有哪些?PCB打样蚀刻工艺注意事项。PCB打样中,在铜箔部分预镀一层铅锡防腐层,保留在板外层,即电路的图形部分,然后是其余的铜箔被化学方法腐蚀,称为蚀刻
2023-09-18 11:06:30670

干法刻蚀与湿法刻蚀各有什么利弊?

在半导体制造中,刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀,这两种技术各有优势,也各有一定的局限性,理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:003305

关于氮化镓的干蚀刻综述

GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限,因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺干法蚀刻开发一开始集中于台面结构,其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻
2023-10-07 15:43:56319

PCB的蚀刻工艺及过程控制

另外一种工艺方法是整个板子上都镀铜,感光膜以外的部分仅仅是锡或铅锡抗蚀层。这种工艺称为“全板镀铜工艺“。与图形电镀相比,全板镀铜的缺点是板面各处都要镀两次铜而且蚀刻时还必须都把它们腐蚀掉。
2023-12-06 15:03:45262

基于深氮化镓蚀刻的微米尺寸光子器件的研制

GaN和相关合金由于其优异的特性以及大的带隙、高的击穿电场和高的电子饱和速度而成为有吸引力的材料之一,与优化工艺过程相关的成熟材料是有源/无源射频光电子器件近期发展的关键问题。专用于三元结构的干法蚀刻工艺特别重要,因为这种器件通常包括异质结构。因此,GaN基光电器件的制造部分或全部依赖于干法刻蚀。
2023-12-11 15:04:20188

锂电隔膜出货中干法占比回弹 赶超湿法31个百分点

2023年锂电隔膜出货中干法占比回弹,增速方面赶超湿法31个百分点。
2024-02-21 09:17:41303

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