单片机（MicrocontrollerUnit，MCU）是一种集成电路芯片，它包含了中央处理器（CPU）、随机存取存储器（RAM）、MCP2515-I/ST只读存储器（ROM）、输入输出端口
2024-03-13 14:21:43
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光伏逆变器拓扑概述及关键技术
2024-02-21 09:47:20198 
ram在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。随机存取存储器（ram）既可向指定单元存入信息又可从指定单元读出信息。
2024-02-19 11:23:31570 
DRAM（动态随机存取存储器）存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷，而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。
2024-02-19 10:56:36264 
AT28C256是一款由Atmel公司生产的256KB的EEPROM芯片，具有高速读写特性，适用于多种应用场合，包括数据存储、程序存储、固件升级等。
2024-02-01 17:34:53518 ，包括其结构、特点以及如何写入数据。 一、STM32 Flash的结构 STM32 Flash存储器通常被分为多个扇区，每个扇区大小为2KB到256KB不等，根据不同的型号有所不同。每个扇区可以独立进行
2024-01-31 15:46:03420 数据和指令，而ROM则用于存储计算机的基本操作系统和启动程序。本文将探讨RAM和ROM的区别，以及它们与CPU之间的连接方式。 首先，我们来看看RAM和ROM的定义和特点。 RAM是指随机存取存储器。它的特点是可以随机读写数据，而且数据在断电之后会被丢失，所以它被称为“易失性存储器”。RAM由晶体管和
2024-01-31 14:14:31478 1) 允许一个物理内存（即 XRAM) 可同时作为程序存储器和数据存储器进行访问
如何使用 SCR XRAM 作为程序存储器和数据存储器。
1) 用于存储 scr 程序的程序存储器
2) 用于在 tricore 和 scr 之间交换数据的数据存储器。
2024-01-30 08:18:12
：基于静态随机存取存储器（SRAM）的FPGA，其配置可以在每次上电时重新加载。这类FPGA具有较高的灵活性，但功耗较高。
Flash-based FPGA ：基于闪存的FPGA，其配置可以在断电后保持。这类
2024-01-26 10:09:17
ROM（Read-Only Memory）是只读存储器，而RAM（Random Access Memory）是随机存取存储器。它们在计算机系统中扮演着不同的角色和功能。 ROM是一种非易失性存储器
2024-01-25 10:46:28616 英飞凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，扩展其集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线。这款新产品的设计初衷是为了满足航空和其他极端环境中的高性能计算需求。
2024-01-24 17:11:39358 铁电存储器通常具有更快的随机存取时间（Access Time），能够更快地执行读取和写入操作。而闪存的存取速度较慢，通常与铁电存储器相比较为迟钝。
2024-01-23 18:17:51518 
随机访问存储器（RAM）分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。由于动态存储器存储单元的结构非常简单，所以它能达到的集成度远高于静态存储器。但是动态存储器的存取速度不如静态存储器快。
2024-01-19 15:47:38517 
当电源断开时，随机存取存储器（RAM）中的数据通常会丢失。这是因为RAM是一种易失性存储器，它必须以恒定的电源供应来维持存储的数据。在断电时，RAM中的电荷会逐渐耗尽，导致其中的数据丢失。在这
2024-01-16 16:30:19847 ADuCM360/1是否支持存储器到存储器DMA传输？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存储器），又称为SRAM（Static Random Access Memory，静态随机访问存储器）；另一种是Non-volatile RAM（非易失性存储器），又称
2024-01-12 17:27:15515 MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。
2024-01-09 14:24:03212 
随机存取存储器 (RAM)的名称源自 CPU 访问它的方式，CPU对其进行随机扫描以获取适当的信息，而不是遵循严格的指示。这是为了均衡所有存储的数据位之间的访问时间。
2024-01-06 17:51:33158 
东芝不仅是家电巨头、消费电子巨头，还曾经是全球最大的半导体制造商之一。1985年，东芝率先研发出1M容量动态随机存取存储器(DRAM)。到了次年，东芝1M DRAM月产能超过100万片，包括东芝在内的日本厂商在 DRAM市场的份额则超过80%。
2023-12-21 16:19:48267 
根据协议内容，力成为合作项目提供必要的2.5D和3D先进封装服务，涵盖Chip on Wafer、凸块加工以及矽穿孔技术等多个环节，并优先推荐华邦电的矽中介层和其他尖端产品，如动态随机存取存储器 （DRAM） 和快闪存储器 （Flash） 等进行配合
2023-12-21 10:29:45151 从存储芯片的市场表现来看，两大类别DRAM（动态随机存取存储器）与NAND Flash（闪存存储器）目前的价格较今年谷底都出现了上涨。
2023-12-19 15:19:32136 其中，电阻式随机存取存储器（RRAM）依靠改变电阻水平来存储数据。最近发表在《Angewandte Chemie》杂志上的一项研究详细介绍了清华大学李原领导的研究小组的工作，他们开创了一种制造超分子忆阻器的方法，而忆阻器是构建纳米随机存取存储器的关键部件之一。
2023-12-06 16:05:36341 
在数字电子设备中，存储器是至关重要的部分。它负责存储和检索数据，以支持各种计算和数据处理任务。在存储器市场中，有两种主要的类型：随机访问存储器 ( RAM ) 和只读存储器 ( ROM )。尽管都是存储器，但它们之间存在一些关键区别。
2023-12-05 15:46:17732 
非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM) 是一种即使断电也能保留数据的存储器，提供非易失性存储。
2023-12-05 10:09:56303 DDR4(第四代双倍数据速率同步动态随机存取存储器)是一种高带宽的存储器，今天主要讲述一下DDR4在Layout过程中的一些细节。在DDR的设计过程中，DDR的Layout是十分重要的环节。
2023-11-29 15:39:101477 
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
功能描述：CY7C1470BV25、CY7C1472BV25和CY7C1474BV25是2.5V 2M x 36/4M x 18/1M x 72同步流水线容发无总线延迟的SRAM(NoBL)逻辑。它们被设计成支持无限制的真正的背对背读取或者没有等待状态的写操作。CY7C1470BV25,CY7C1472BV25和CY7C1474BV25配有启用连续读取或需要
2023-11-24 16:10:46
GX250516Kb只添加存储器可识别和存储与其关联的产品相关信息。可以通过最小化的接口（例如微控制器的单个端口引脚）访问该批次或产品特定的信息。
2023-11-21 16:04:27191 
低功耗双倍速率同步动态随机存取存储器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)简称为 LPDDR，是DDR SDRAM 的一种，由于广泛用于移动
2023-11-21 09:37:36257 
在同步动态随机存取存储器（SDRAM)的工作模式中，以数据读取速率来分类，有单倍数据速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、双倍数据速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
Distributed Memory Generator IP 核采用 LUT RAM 资源创建各种不同的存储器结构。IP可用来创建只读存储器 (ROM)、单端口随机存取存储器 (RAM) 和简单
2023-11-17 17:00:30687 
20世纪70 年代到 90年代中期，动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是异步接口，这样它可以随时响应控制输入信号的变化从而直接影响
2023-11-17 09:26:27379 ，VM）两大类。例如，人们熟知的闪速存储器 ( Flash Memory，简称 Flash）就属于 NVM，静态随机存取存储器 (Static Random Access Memory， SRAM）和动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)则属于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 根据贸易部周二公布的数据，存储芯片出口同比增长1%，较9月份下滑了18%。多芯片封装产品引领了反弹，增长了12.2%，而利润丰厚的动态随机存取存储器的销售额首次收窄至个位数。
2023-11-15 17:37:26719 后存储内容会丢失的存储器称作易失存储器（Volatile Memory），存储内容不会丢失的存储器称作非易失存储器（Non-Volatile Memory）。 半导体存储器分类 1、按功能分为 （1）随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随
2023-11-15 10:20:01731 
本文将介绍芯片设计中动态随机存取存储器（DRAM）的相关知识，包括其工作原理、分类以及在现代电子设备中的应用。
2023-10-23 10:07:34817 存储器测试问题怎么才能稳定
2023-10-17 06:51:11
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，动态随机存取存储器 16Gb低VDDQ移动低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一种高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
相同点？
感觉6116数据的存取很简单呀？设置成“写入”状态，在地址端0001-0101依次输入数据0001，0010，0011，0100，0101后，把存储器设置成“读出”状态就可以看到输出端
2023-10-07 08:39:25
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
、随机存取存储器、定时器以及并行接口等。微处理器执行存放在程序存储器中的各种保护程序，对由数据采集系统输入到随机存取存储器中的数据进行分析处理，以完成各种继电器保护的功能。 3、数字量输入/输出接口 即开关量输入/输出
2023-09-22 16:34:33546 
存储器是计算机中的重要组成部分，用于存储程序、数据和控制信息等。根据存储信息的介质和访问方式的不同，存储器可以分为随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）和硬盘存储器等几类。本文将介绍存储器的工作原理、分类及结构。
2023-09-09 16:18:272106 STM32 F7 概述• STM32总线架构和存储器映射• 总线架构• 存储器映射• Cache• STM32F7性能• Boot模式• 片上闪存(Flash)• 系统配置控制器(SYSCFG)• 复位和时钟控制(RCC)• 电源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
微控制器的处理器类型根据不同的应用而有所不同。可供选择的范围从简单的4位、8位或16位处理器到更复杂的32位或64位处理器。微控制器还可以使用不同类型的存储器，包括易失性存储器，如随机存取存储器
2023-09-07 15:54:332181
-40℃~+85℃
片上只读存储器
384KB
片上静态随机存取存储器
512KB
外部闪光
8MB
封装内 PSRAM
2MB
无线上网
IEEE 802.11 b/g/n，2.4Ghz 频段
2023-09-07 10:05:03
我们知道除了只读存储器外还有随机存取存储器，这一篇将介绍另一种 存储类IP核 ——RAM的使用方法。RAM是 随机存取存储器 （Random Access Memory），是一个易失性存储器，断电丢失。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入或读出数据。
2023-08-29 16:46:071660 
和“读写”段，前者包含代码和只读数据，后者包含初始化和未初始化或零初始化(ZI)数据。
通常，“只读”段被放在只读存储器中，而“读写”段在开始执行之前从只读存储器复制到随机存取存储器。
2023-08-24 08:23:51
。
SMI将AMBA高级系统总线(ASB)连接到AMBA微控制器的外部存储器总线。
这允许连接多达8个256MB的32位宽静态存储器(SRAM、ROM等)。
并与测试接口控制器(TIC)一起提供
2023-08-21 06:22:01
技术，每种技术都具有不同的特性和高级功能。双数据速率 (DDR) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM) 已成为主系统存储器最主流的存储器技术，因为它使用电容器作为存储元件来实现高密度和简单架构、低延迟和高性能、无限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。
2023-08-03 12:27:03649 
动态随机存取存储器（RAM）
•片上系统（SoC）外围设备中已经存在的高速链路。
TMC也可以作为系统中的先进先出（FIFO）操作。这减少了跟踪
通过平均跟踪带宽得出溢出和跟踪端口大小
2023-08-02 14:35:05
PrimeCell静态存储器控制器（SMC）是一款符合高级微控制器总线架构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备，由ARM有限公司开发、测试和许可。
SMC是一个AMBA从模块，连接到高级高性能
2023-08-02 12:21:46
SC054 ASB静态存储器控制器（SMC）是一款符合高级微控制器总线架构（AMBA）的片上系统外围设备，由ARM开发、测试和许可。SC054 ASB SMC是一个AMBA从模块，连接到高级系统总线
2023-08-02 07:39:45
，用于从计算机的RAM（随机存取存储器）或其他设备的内存中提取关键信息，以便了解设备在特定时间点的状态和活动。内存取证的主要目的？内存取证的主要目的是获取在计算机或设
2023-08-01 11:21:511056 
一个可随时存取数据的存储器，即可读(取)或写(存)的存储器，简称ram。
2023-07-25 15:28:37641 该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
静态随机存取存储器(SRAM)和嵌入式闪存、一个提供时钟、复位和电源管理功能的模拟子系统以及模数转换器(ADC)子系统组成。本数据手册描述ADuCM4050 MCU的A
2023-07-17 15:08:25
和微控制器单元 (MCU) 子系统。ADuCM300 具有 128 kB 程序闪存/EE、4 kB 数据闪存/EE 和 6 kB 静态随机存取存储器 (SRAM)
2023-07-17 13:56:20
随机存取存储器（RAM）用于实时存储CPU正在使用的程序和数据。随机存取存储器上的数据可以被多次读取、写入和擦除。RAM是存储当前使用的数据的硬件元素。它是一种易失性存储器。
2023-07-06 14:22:271949 ，非易失性存储器在计算机关闭后存储数据仍保留在计算机中。易失性存储器的主要特征是它们需要电源来维持其存储状态。主要分为两种类型：静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。 1963年，Fairchild发明了SRAM。作为即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 静态随机存储器(SRAM: Static Random Access Memory) 和动态随机存储器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
应用领域：
256KB Flash，可编程增益放大器，比较器，CAN2.0B，DAC，RTC，硬件乘除法器。广泛适用于智慧交通、智慧城市，绿色能源及智能家居等，如智能门锁、无线监控设备、BMS电池
2023-06-16 10:58:23
随机存取存储器(SRAM)，而系统存储器(4KB)除可作启动加载程序(Bootloader)外，也可一次性配置成一
般用户程序和数据区，达到64+4KB的最大空间使用。片上还集成1个OTG控制器(设备模式支持
2023-06-08 16:10:08
铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上，铁电
2023-06-08 09:52:17
随机存储器可以随时从任何一个指定地址中读出数据，也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元中
2023-06-05 15:49:47785 
作为一种非易失性存储器，铁电存储器兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点，虽然容量和密度限制了其大规模应用，但在要求高安全性与高可靠性等工业应用场合，铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低及高抗干扰能力得到用户的青睐。
2023-06-01 10:57:52134 
16-MBIT（1M X 16）静态随机存储器
2023-06-01 09:18:00
无论是在网飞上看电影、玩电子游戏，还是单纯地浏览数码照片，你的电脑都会定期进入内存获取指令。没有随机存取存储器（RAM），今天的计算机甚至无法启动。
2023-05-30 15:19:55317 主存储器的主要技术指标
* **存储容量**
存储器可以容纳的二进制信息量（寻址空间，由CPU的地址线决定）
* **实际存储容量：** 在计算机系统中具体配置了多少内存。
* **存取速度：** 存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间，也称为读写周期；
2023-05-26 11:28:10823 
SDRAM是动态随机存取存储器，与CPU的时钟速度同步。SDRAM也代表SDR SDRAM（单数据速率SDRAM）。单数据速率意味着SDR SDRAM在一个时钟周期内只能读/写一拍数据。在传输下一个读/写操作之前，需要等待命令完成。SDR 速度从 66 MHz 到 133 MHz 不等。
2023-05-26 10:43:371535 
，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
SRAM：
SRAM利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。
3.产品应用
2023-05-19 15:59:37
Flash的容量往往较小。NOR设备在每次写操作时都必须以块的方式写入数据。并行NOR闪存利用静态随机存取存储器(SRAM)快速访问芯片的可寻址区域，实现了存储字节的快速访问。与NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
在定义方面它们有本质的区别，硬盘属于“ 非易失性存储器”，而内存是“随机存取存储器”，属于“易失性存储设备“。
2023-05-17 15:40:191542 描述♦ BL24C256A提供262144位串行电可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织为32768字，每个8位。♦ 该设备被优化用于许多工业和商业应用，其中低功率和低压操作是必不可少
2023-05-17 10:19:18
EMI Serial SRAM是为串行接口的SRAM，外扩SRAM可以通过使用SPI的接口来将外部RAM添加到几乎所有应用中。串行访问的静态随机存取存储器采用先进的CMOS技术进行设计和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
RAM ：随机存取存储器（random access memory，RAM）又称作“随机存储器”。
2023-04-25 15:58:205062 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462547 本章教程讲解DMA存储器到存储器模式。存储器到存储器模式可以实现数据在两个内存的快速拷贝。程序中，首先定义一个静态的源数据，存放在内部 FLASH，然后使用DMA传输把源数据拷贝到目标地址上（内部SRAM），最后对比源数据和目标地址的数据，判断传输是否准确。
2023-04-17 15:28:08
SRAM存储器子系统：• 具有 SECDED ECC 的高达 2MB 的片上 RAM(OCSRAM)：– 可以按 256KB 的增量分成更小的存储器组，多达 8 个独立的存储器组– 每个存储器组可分
2023-04-14 15:42:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行闪速存储器，可直接从双/四SPI接口执行代码，存储语音、文本和数据，提供的灵活性和性能远超普通串行闪速存储器，非常适合于
2023-04-14 10:42:553818 
SHARC 系列数字信号处理器 (DSP) 中的一款产品，采用 ADI 公司的超级哈佛架构。这些 32 位/40 位/64 位浮点处理器已针对高性能音频/浮点应用进行优化，具有大型片内静态随机存取存储器
2023-04-11 17:36:45479 。随机存取存储器(random access memory，RAM)又称作\"随机存储器\"。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将
2023-04-10 16:43:04
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
/写存储器，在断电时无需外部电池即可保留数据。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS与MR3A16ACMA35原作者：宇芯电子
2023-04-07 16:26:28
可用于断电（NMI）中断或其他目的的通用比较器。该器件的工作电压为2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存储器容量。快速的写入速度和无限的耐用性使该存储器可以用作额外
2023-04-07 16:23:11
EPROM存储器 PLCC32 256Kb
2023-04-06 17:11:41
设备基于运行频率高达 80 MHz 的第 2 版 ColdFire 内核，以实现性能和低功耗。片上存储器与处理器内核紧密耦合，包括 512 KB 闪存和 64 KB 静态随机存取存储器 (SRAM)。片
2023-03-31 08:49:25
(Flash)及32KB随机存取存储器(SRAM)，片上还集成了多达5个UART、2个SPI(可复用I²S)、2个I²C、1个SDIO和1个CAN接口(2.0B主动)、1个16位高级定时器、5个16位通用
2023-03-30 10:44:55308 EEPROM存储器 256K I2C串行 SOIC8
2023-03-28 18:25:28
3 v 256位 串行快闪存储器 双/四spi, qpi和DTR
2023-03-27 11:55:03
ReRAM代表电阻式随机存取存储器，是一种非易失性存储器，具有如低功耗和快速写入的特长。该存储器在所有存储器产品中的读取电流都最小，特别适合于助听器等可穿戴设备。
2023-03-25 15:49:351054 单片机程序存储器64KB是外扩的还是外扩加内部的呢？
2023-03-24 17:44:04
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