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电子发烧友网>今日头条>用蚀刻法测定硅晶片表面的金属杂质

用蚀刻法测定硅晶片表面的金属杂质

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2023-05-18 16:23:484918

高速硅湿式各向异性蚀刻技术在批量微加工中的应用

蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类:湿法蚀刻和干法蚀刻,湿法蚀刻进一步细分为两部分,即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12700

帆宣集团 华友化工分公司代理美国康宁晶片表面形态测量系统

来源:华友化工国际贸易(上海) 随着传统工业技术改造、工厂自动化以及企业信息化发展提速,产业链升级与自动化提升也迫在眉睫。面对落后的产能和工艺,华友化工国际贸易(上海)有限公司针对美国康宁晶片表面
2023-05-17 10:23:16772

晶片的酸基蚀刻:传质和动力学效应

抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先,硅单晶锭被切成圆盘(晶片),然后是一个称为拍打的扁平过程,包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤,蚀刻之后是各种单元操作,如抛光和清洗之前,它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584

硅片表面染色对铜辅助化学蚀刻的影响

在硅基光伏产业链中,硅晶片的制造是最基本的步骤。金刚石切片是主要的硅片切片技术,采用高速线性摩擦将硅切割成薄片。在硅片切片过程中,由于金刚石线和硅片的反复摩擦,硅片表面发生了大量的脆性损伤和塑性损伤。
2023-05-15 10:49:38489

简述晶圆减薄的几种方法

减薄晶片有四种主要方法,(1)机械研磨,(2)化学机械平面化,(3)湿法蚀刻(4)等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片减薄技术由两组组成:研磨和蚀刻。为了研磨晶片,将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变薄,而蚀刻则使用化学物质来使基板变薄。
2023-05-09 10:20:06979

氧指数测定

【产品介绍】氧指数测定仪根据试验环境温度可分为室温氧指数测定仪和高温氧指数测定仪,PY-2406A氧指数测定仪是依据GB/T2406.3-2022《塑料 氧指数法测定燃烧行为 第3部分:高温试验
2023-05-09 08:38:01

面向百万像素胶体量子点焦平面的片上谐振腔增强技术

与现有分子束外延材料不同,胶体量子点可与互补金属-氧化物-半导体(CMOS)读出电路实现直接片上电学互联,并可利用CMOS读出电路表面的钝化层与金属层形成谐振腔,提升量子点薄膜的光学吸收。
2023-05-08 14:17:34756

铝箔等离子表面处理设备原理 增加铝箔表面的粘附力

通过金徕等离子体处理,可以提高金属表面的活性,改善金属表面的结合力、增强涂层附着力等性质,使得金属制品的质量和性能得到明显的改善和提升。此外,等离子体处理还可以改善金属表面的光洁度,使得金属表面更加平整光滑。
2023-05-05 10:51:23526

碳化硅晶片的磨抛工艺详解

薄膜的质量以及器件的性能,所以碳化硅衬底材料的加工要求晶片表面超光滑,无缺陷,无损伤,表面粗糙度在纳米以下。‍‍
2023-05-05 07:15:001154

全面解析机器视觉工业缺陷检测(光源,相机,镜头,算法)

表面缺陷检测主要是物体表面局部物理或者化学性质不均匀的区域,比较常见的有金属或者塑料制品表面的划痕(如:手机壳/屏幕表面的划痕)、斑点和孔洞(如:PCB板漏了焊点或者表面多了焊点),纸张表面的色差、脏污点、破损,纸制品表面的压痕、凸起,玻璃等非金属制品表面的杂质、破损、污点、平整度等。
2023-04-28 15:58:333786

PCB表面成型的介绍和比较

反应,生成优异的IMC(金属间化合物)Ni3Sn4,从而可以确保良好的组装可焊性。在催化表面的作用下,ENP通过与NaH2PO2作为还原剂的氧化还原反应导致镍层的沉积。一旦镍层完全被钯催化表面覆盖,单质
2023-04-24 16:07:02

《炬丰科技-半导体工艺》单晶的湿法蚀刻和红外吸收

和晶格完善性。一个正六边形的蚀刻坑密度约为4000厘米在AlN的铝表面上观察文章全部详情:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁到单晶。 EPD沿纤锌矿结构滑移方向呈线阵分布,表明其规模相当大晶体在生长过程中所产生的热应力。 XRD全宽半最大值(FWHM)晶体为35弧秒,表明晶格
2023-04-23 11:15:00118

用于制造半导体晶体的脱气室和使用其的脱气工艺

本文涉及一种用于制造半导体元件的滴气室及利用其的滴气工艺;晶片内侧加载的腔室,安装在舱内侧,包括通过加热晶片激活晶片上残存杂质的加热手段、通过将晶片上激活的杂质吸入真空以使晶片上激活的杂质排出外部的真空吸入部、以及通过向通过加热手段加热的舱提供氢气以去除晶片金属氧化膜的氢气供给部
2023-04-23 10:22:02337

印制电路板PCB的制作及检验

三种。  摇槽法最简单,所用的设备是一只放腐蚀剂的槽,装于不断摇动的台面上。  浸蚀法是将工件浸没在盛有能保温的大槽中蚀刻。  喷蚀法生产速度较快,泵将腐蚀剂喷于印制板表面进行腐蚀加工。  2.工业
2023-04-20 15:25:28

《炬丰科技-半导体工艺》金属氧化物半导体的制造

半导体工艺 1.CMOS晶体管是在硅片上制造的   2.平版印刷的过程类似于印刷机   3.每一步,不同的材料被存放或蚀刻   4.通过查看顶部和顶部最容易理解文章全部详情:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁简化制造中的晶圆截面的过程   逆变器截面   要求pMOS晶体管的机身   逆变器掩模组 晶体管
2023-04-20 11:16:00247

PCB印制线路该如何选择表面处理

包含多个步骤的过程在导体表面上形成一个薄锡镀层,包括清理、微蚀刻、酸性溶液预浸、沉浸非电解浸锡溶液和最后清理等。化锡处理可以为铜和导体提供良好保护,有助于HSD电路的低损耗性能。遗憾的是,由于随着
2023-04-19 11:53:15

原子吸收光谱法测定中成药中微量元素

,用原子吸收光谱法测定了其中微量元素的含量。采用 4:1的HNO3―HCI04混酸体系作为消化液,选取样品中当归,对各种测定元素做了加标回收率实验,回收率高。实验结果表明,滋补类中药中Fe,Mn,Zn,Cu的含量较高。
2023-04-18 10:41:39780

氧指数测定

全自动氧指数测定仪氧指数测定仪塑料氧指数测定燃烧行为第3部分:高温试验  依据标准:GB/T2406《塑料 氧指数法测定燃烧行为》第3部分 高温试验  GB
2023-04-18 10:03:21

pcb线路板表面常见的处理方法有哪几种呢?

PCB垫表面的铜在空气中容易氧化污染,所以必须对PCB进行表面处理。那么pcb线路板表面常见的处理方法有哪几种呢?
2023-04-14 14:34:15

光子晶体用硅中圆柱形纳米孔的深反应离子蚀刻

反应离子蚀刻 (RIE)是一种干法蚀刻工艺,与半导体工业中使用的互补金属氧化物半导体(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253

干法蚀刻与湿法蚀刻-差异和应用

干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片,是液体(湿法蚀刻)还是气体(干法蚀刻
2023-04-12 14:54:331004

共形可重构超表面的远场波束扫描和双波束产生

为多通道信息传输提供了新的设计思路。阵列天线共形可以很容易地集成在飞机、导弹、卫星等载体平台的表面,而不会破坏载体的形状、结构和空气动力学。报告主要研究共形可重构超表面的远场波束扫描及多波束产生。
2023-04-10 14:15:04907

氮化铝单晶的湿法化学蚀刻

清洗过程在半导体制造过程中,在技术上和经济上都起着重要的作用。超薄晶片表面必须实现无颗粒、无金属杂质、无有机、无水分、无天然氧化物、无表面微粗糙度、无充电、无氢。硅片表面的主要容器可分为颗粒、金属杂质和有机物三类。
2023-03-31 10:56:19314

湿清洗过程中硅晶片表面颗粒去除

在整个晶圆加工过程中,仔细维护清洁的晶圆表面对于在半导体器件制造中获得高产量至关重要。因此,湿式化学清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中应用最重复的处理步骤。
2023-03-30 10:00:091940

使用 ClF 3 H 2远程等离子体在氧化硅上选择性蚀刻氮化硅

在湿蚀刻的情况下,随着SiNx/SiOy层的厚度减小,剩余的SiOy层由于表面张力而坍塌,蚀刻溶液对孔的渗透变得更具挑战性。
2023-03-27 10:17:49402

各向异性润湿过程中的表面形态

在过去的几年中,随着器件尺寸的不断减小,蚀刻表面的粗糙度开始发挥越来越重要的作用。
2023-03-24 10:11:13251

完整的表面处理工艺过程介绍

电镀 是利用电解原理在某些金属或其它材料制件的表面镀上一薄层其它金属或合金的过程。
2023-03-23 12:38:45465

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