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电子发烧友网>今日头条>使用酸性溶液对硅晶片进行异常各向异性蚀刻

使用酸性溶液对硅晶片进行异常各向异性蚀刻

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2023-06-03 10:39:06259

KMXP5000磁栅尺传感器在石油石化的应用

KMXP5000磁栅尺传感器测量原理基于各向异性磁阻效应(AMR 效应)。这些传感器提供两种不同的DFN封装,可用于多个定位选项。这些封装可以轻松集成到自动装配过程中。
2023-06-03 10:16:34249

ELAF-100L-T30009力传感器的技术应用

ELAF-100L-T30009力传感器由晶体制成,晶体是各向异性的,非晶是各向同性的。 当某些晶体介质在一定方向受到机械力的作用时,会发生极化效应; 当除去机械力时,它又会恢复到不带电状态,即受到拉力或压力时。 有些晶体可能会产生电效应,也就是所谓的极化效应。
2023-06-02 10:50:06190

碳化硅晶片的超精密抛光工艺

使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验,探究了滴液速率、抛光头转 速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响,并对工艺参数进行了优化,最终 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子级光滑碳化硅晶片
2023-05-31 10:30:062215

LED封装晶片便携式推拉力测试机

博森源LED封装晶片便携式推拉力测试机是一种非常实用的测试设备,可以方便地进行LED封装晶片的推拉力测试,从而保证LED产品的质量。该测试机具有便携式设计、数字显示屏、高精度、高稳定性、高可靠性等特点,可以满足各种LED封装晶片的测试需求。
2023-05-31 10:05:25387

载体晶圆对蚀刻速率、选择性、形貌的影响

等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤,然而,载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓(GaN)设备,通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中,英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:54452

浅谈蚀刻工艺开发的三个阶段

纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻各向异性蚀刻各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻各向异性的,并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻(压痕)和通道释放步骤,以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071

硅在氢氧化钠和四甲基氢氧化铵中的温度依赖性蚀刻

过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻,这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾(KOH)为蚀刻剂,研究了单晶硅球和晶片各向异性蚀刻过程,测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率,用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据,提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

led晶片推拉力机半导体推拉力测试仪

led晶片
力标精密设备发布于 2023-05-24 17:40:04

如何在蚀刻工艺中实施控制?

蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺,因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定,蚀刻率就会变化,因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学,以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575

G-MRCO-052位移传感器原理

,KMXP 传感器提供比常用的霍尔传感器更高的精度,设计为在包括高温在内的严苛环境中提供可靠和准确的测量。G-MRCO-050传感器测量原理基于各向异性磁阻效应(AMR
2023-05-18 17:25:04314

PCB常见的五种蚀刻方式

一般适用于多层印制板的外层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作抗蚀刻 图形电镀之金属抗蚀层如镀覆金、镍、锡铅合金
2023-05-18 16:23:484917

高速硅湿式各向异性蚀刻技术在批量微加工中的应用

蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类:湿法蚀刻和干法蚀刻,湿法蚀刻进一步细分为两部分,即各向异性各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12700

KMXP1000磁阻直线位移传感器

KMXP磁阻传感器沿着磁尺移动,位置的变化产生正弦和余弦输出信号。为了取得满意的测量结果,KMXP磁阻传感器边沿与磁尺表面的间隙不能超过半个磁极距。由于KMXP磁阻传感器是基于各向异性磁阻效应,信号
2023-05-17 10:30:330

KMXP2000磁阻传感器

KMXP磁阻传感器沿着磁尺移动,位置的变化产生正弦和余弦输出信号。为了取得满意的测量结果,KMXP磁阻传感器边沿与磁尺表面的间隙不能超过半个磁极距。由于KMXP磁阻传感器是基于各向异性磁阻效应,信号
2023-05-17 10:30:030

G-MRCO-016磁阻角位移传感器

G-MRCO-016磁性角度传感器是基于各向异性磁阻效应的磁场传感器。例如,G-MRCO-016磁性角度传感器可以在磁场强度大于25kA/m的应用中独立感测磁场方向。G-MRCO-016磁性角度传感器包含两个平行的惠斯通电桥,每个电桥可以测量45度。
2023-05-16 16:00:380

G-MRCO-015磁阻传感器

G-MRCO-015磁性角度传感器是基于各向异性磁阻效应的磁场传感器。例如,KMT32B磁性角度传感器可以在磁场强度大于25kA/m的应用中独立感测磁场方向。G-MRCO-015磁性角度传感器包含两个平行的惠斯通电桥,每个电桥可以测量45度。
2023-05-16 16:00:040

晶片的酸基蚀刻:传质和动力学效应

抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先,硅单晶锭被切成圆盘(晶片),然后是一个称为拍打的扁平过程,包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤,蚀刻之后是各种单元操作,如抛光和清洗之前,它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584

简述晶圆减薄的几种方法

减薄晶片有四种主要方法,(1)机械研磨,(2)化学机械平面化,(3)湿法蚀刻(4)等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片减薄技术由两组组成:研磨和蚀刻。为了研磨晶片,将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变薄,而蚀刻则使用化学物质来使基板变薄。
2023-05-09 10:20:06979

酸性化学品供应控制系统

[技术领域] 本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体地说是一种酸性化学品供应控制系 统。 由于半导体行业中芯片生产线的工作对象是硅晶片,而能在硅晶片蚀刻图形 以及清洗硅晶片上的杂质、微粒子的化学品
2023-04-20 13:57:0074

首次MoS₂层间原位构建静电排斥实现超快锂离子传输

高理论容量和独特的层状结构使MoS₂成为一种很有前途的锂离子电池负极材料。然而MoS₂层状结构的各向异性离子输运和其较差的本征导电性,导致差的离子传输能力。
2023-04-13 09:23:09684

干法蚀刻与湿法蚀刻-差异和应用

干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片,是液体(湿法蚀刻)还是气体(干法蚀刻
2023-04-12 14:54:331004

从头到尾的半导体技术

湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高
2023-04-10 17:26:10453

智能电网时间序列异常检测:a survey

随着可再生能源发电一体化的快速增加和各种电器的广泛采用,电网面临着越来越多的挑战。一个突出的挑战是对电网内不同类型的异常行为进行有效的异常检测。这些异常行为可能是由用户的异常消费模式、电网基础设施
2023-04-04 16:13:250

PCB加工的蚀刻工艺

印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程,本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886

使用 ClF 3 H 2远程等离子体在氧化硅上选择性蚀刻氮化硅

在湿蚀刻的情况下,随着SiNx/SiOy层的厚度减小,剩余的SiOy层由于表面张力而坍塌,蚀刻溶液对孔的渗透变得更具挑战性。
2023-03-27 10:17:49402

各向异性润湿过程中的表面形态

在过去的几年中,随着器件尺寸的不断减小,蚀刻表面的粗糙度开始发挥越来越重要的作用。
2023-03-24 10:11:13251

步进电机的技术要点之永久磁铁

2) Nd-Fe-B磁铁 3) 铝镍钴磁铁 4)粘接钕铁硼磁铁3 . 各向同性与各向异性磁铁 4. PM型与HB型转子使用磁铁的差异 前言 基本信息 名称 描述说明 教材名称 步进电机应用技术 作者 坂
2023-03-23 10:42:580

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