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电子发烧友网>今日头条>金刚石薄膜的等离子体沉积与刻蚀—华林科纳半导体

金刚石薄膜的等离子体沉积与刻蚀—华林科纳半导体

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2023-07-02 11:36:401211

半导体前端工艺:沉积——“更小、更多”,微细化的关键(上)

半导体制程中,移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种,引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如,光刻工艺中的光刻胶涂敷,其实也是在基底上形成各种薄膜;又如氧化工艺中晶圆(硅)氧化,也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“沉积”工艺呢?
2023-06-29 16:58:37404

半导体前端工艺之沉积工艺

在前几篇文章(点击查看),我们一直在借用饼干烘焙过程来形象地说明半导体制程 。在上一篇我们说到,为制作巧克力夹心,需通过“刻蚀工艺”挖出饼干的中间部分,然后倒入巧克力糖浆,再盖上一层饼干层。“倒入巧克力糖浆”和“盖上饼干层”的过程在半导体制程中就相当于“沉积工艺”。
2023-06-29 16:56:17830

基于金刚石优异内在特性的光子学应用

学技术迎来了重大进展。通过化学气相沉积(CVD)合成光学质量金刚石的创新,金刚石色心工程,以及用于制造金刚石光学元件和光子结构的技术,使这些进展成为可能。  基于金刚石优异内在特性的光子学应用  高纯度的金刚石,在紫
2023-06-28 11:03:25367

等离子体蚀刻率的限制

随着集成电路互连线的宽度和间距接近3pm,铝和铝合金的等离子体蚀刻变得更有必要。为了防止蚀刻掩模下的横向蚀刻,我们需要一个侧壁钝化机制。尽管AlCl和AlBr都具有可观的蒸气压,但大多数铝蚀刻的研究
2023-06-27 13:24:11318

制造等离子纳米金刚石

近日,Nano Letters(《纳米快报》)在线发表武汉大学高等研究院梁乐课题组和约翰霍普金斯大学Ishan Barman课题组关于高效构建等离子增强NV色心的纳米器件研究进展,他们利用自下向上的DNA自组装方法开发了一种混合型独立式等离子体纳米金刚石
2023-06-26 17:04:52396

气体放电管- GDT /气体等离子体避雷器 2R3600ML5

交流电源板过载防护高电压气体放电管  气体放电管- GDT /气体等离子体避雷器 2R3600ML5  Gas Discharge
2023-06-14 17:30:02

金刚石半导体,全球首创

与传统上用于半导体的硅和其他材料相比,金刚石可以承受更高的电压,可以以更高的速度和频率运行,并且可以用于外层空间等高辐射环境。金刚石半导体作为下一代功率半导体的发展势头强劲。
2023-06-12 15:17:511249

入库!立项!同济大学《金刚石NV色心量子计算实验》入选教育部《课程思政案例库》

近日,教育部高等学校大学物理课程教学指导委员会课程思政工作委员对2022年高等学校“大学物理”和“大学物理实验”课程思政案例立项情况进行了公示,同济大学《金刚石NV色心量子计算实验》课程作为优秀
2023-06-12 11:04:19538

与传统溅射或热蒸发技术相比,离子束辅助沉积有哪些优势?

离子束辅助沉积 (IBAD) 是一种薄膜沉积技术,可与溅射或热蒸发工艺一起使用,以获得具有出色工艺控制和精度的最高质量薄膜
2023-06-08 11:10:22983

金刚石半导体”中隐藏的可能性

金刚石半导体具有优异的特性,作为功率器件材料备受期待。
2023-06-05 18:17:271436

半导体工艺装备现状及发展趋势

集成电路前道工艺及对应设备主要分八大类,包括光刻(光刻机)、刻蚀刻蚀机)、薄膜生长(PVD-物理气相沉积、CVD-化学气相沉积薄膜设备)、扩散(扩散炉)、离子注入(离子注入机)、平坦化(CMP设备)、金属化(ECD设备)、湿法工艺(湿法工艺设备)等。
2023-05-30 10:47:121131

基于PVD 薄膜沉积工艺

。 PVD 沉积工艺在半导体制造中用于为各种逻辑器件和存储器件制作超薄、超纯金属和过渡金属氮化物薄膜。最常见的 PVD 应用是铝板和焊盘金属化、钛和氮化钛衬垫层、阻挡层沉积和用于互连金属化的铜阻挡层种子沉积。 PVD 薄膜沉积工艺需要一个高真空的平台,在
2023-05-26 16:36:511749

KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用

上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子束溅射沉积 和 IBD 离子沉积是其典型的应用.
2023-05-25 10:18:34501

金刚石光学真空窗片

金刚石光学真空窗片高质量的金刚石晶圆应用作为光学窗口是理想的,主要为红外,远红外和太赫兹范围。这些金刚石晶片由高功率微波等离子体辅助化学气相沉积(CVD)生长的高纯多晶金刚石组成。 
2023-05-24 11:26:37

氧化镓薄膜外延及电子结构研究

金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼、石墨烯等为代表的超宽禁带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性,有着显著的优势和巨大的发展潜力,越来越得到国内外的重视。
2023-05-24 10:44:29568

下一代高频高功率电子器件——金刚石半导体

金刚石是一种“终极材料”,在硬度、声速、热导率、杨氏模量等方面具有所有材料中最好的物理性能;其他性能包括从紫外线到红外线的宽波长光谱的透射率、热稳定性和化学稳定性以及可控的电阻和导电性。这些特性使金刚石可用于各种应用,如散热器、加工工具、光学元件、音频元件和半导体
2023-05-23 12:41:381291

半导体绝缘介质的填充-HDPOX

为了形成高密度等离子体,需要有激发混合气体的射频(RF)源,并直接使高密度等离子体到达硅片表面。在HDP-CVD反应腔中,主要是由电感耦合等离子体反应器(ICP)来产生并维持高密度的等离子体。当射频电流通过线圈(coil)时会产生一个交流磁场
2023-05-22 15:47:373162

强磁场中等离子体湍流的性质和机制

在天体物理学中,有许多天体都具有强大的磁场,例如恒星、行星和黑洞。这些天体周围通常有大量的等离子体,例如恒星风、行星际介质和吸积盘。
2023-05-17 09:24:16452

陶瓷基板常用的几种陶瓷材料

DPC(DirectPlatingCopper)薄膜工艺是一种利用磁控溅射技术制备铜薄膜的方法。该工艺是将目标材料为铜的铜靶放置在真空腔室中,通过磁控溅射技术使得铜靶表面产生等离子体,利用等离子体中的离子轰击靶表面,将其溅射成细小颗粒并沉积在基底上形成铜薄膜的过程。
2023-05-11 17:38:18843

射频等离子体源,射频离子

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准射频等离子体源 RF2100ICP Plasma Source上海伯东代理美国 KRi 考夫
2023-05-11 14:57:22

科学家发现金刚石缺陷可以确保数据传输和测量温度

色心之所以得名,是因为它们的光学特性。虽然金刚石本身对可见光是透明的,但色心是其中的斑点,具有技术吸引力的能力,可以吸收光并在相当窄的光谱带(即具有非常特定的颜色(波长))中有效地重新发射光。重要的是,色心可以有效地发射单光子。这种窄带单光子发射有几个潜在的应用。
2023-04-24 09:27:57495

半导体刻蚀工艺简述

等离子体均匀性和等离子体位置的控制在未来更加重要。对于成熟的技术节点,高的产量、低的成本是与现有生产系统竞争的关键因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蚀系统,从长远来看,可以为客户节省大量费用,有可能
2023-04-21 09:20:221349

半导体行业之刻蚀工艺介绍

压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓,同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体刻蚀速率的均匀性。
2023-04-17 10:36:431922

面向余热回收的金刚石纳米流体重力热管强化传热研究

器中的热量越多,被回收的热量也越多。因此在余热回收中提高重力热管的传热性能是重要的研究方向与热点之一。纳米金刚石具有优异的传热性能,能够分散在水中形成金刚石-水纳米流体作为重力热管的工质强化传热。然而
2023-04-14 09:46:53365

利用等离子体色散效应来增强硅基电光调制器的性能

全硅等离子体色散效应环形谐振器调制器具有诱人的发展前景。然而,其性能目前受限于调制深度和开关速度之间的权衡。
2023-04-12 09:12:121594

气体放电管- GDT /气体等离子体避雷器3600V

2RM3600A6L2 气体放电管- GDT /气体等离子体避雷器3600Discharge 2-Electrode Arrester  5.5*6 直流击穿电压3600V气体
2023-03-27 17:04:09

用于磁场和生物传感的集成纳米金刚石的光纤量子探针

金刚石中的氮-空位(NV)色心是一种可在室温下操作的优良量子体系, 因具有独特的电子自旋态及其可光学读取特性,近年来已迅速发展成为一种可探测多种物理量和生物对象的有力手段。
2023-03-25 16:40:511872

CVD金刚石窗片钻石基片真空太赫兹窗片

CVD金刚石窗片钻石基片真空太赫兹窗片    CVD金刚石具有很高的硬度,热导率高(> 1800 W / mK,是铜的五倍),且具有宽带光学透射效率。在UV紫外、可见光、中远
2023-03-23 09:46:55

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