到负面影响，尤其是中国地区的业务。 为了能够尽快的解决这一情况，英伟达方面透露，正在为中国开发新的合规芯片，但表示这些不会对第四季度的收入做出实质性贡献。 英伟达Q3 业绩大增 从此次英伟达的财报来看，其2024财年第三财季期内实现
2023-11-23 00:15:00
1919 70565重要参数 2 Ohm ~0K Ohm 400Hz ~250KHz 100 milliwatt at 1KHz重量仅1.5g提供插件和贴片封装订货交期：1-2
2024-03-20 20:05:32
黄仁勋回应中国市场问题 推出L20和H20芯片 在黄仁勋接受全球媒体采访时黄仁勋强调了中国市场的重要性。英伟达面向中国市场推出了L20和H20芯片，这些向中国出售的芯片将符合要求。而且黄仁勋表示
2024-03-20 15:45:38434 三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低；在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判，目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22217 请问下 cyw920719b2q40evb 如何设置每一个蓝牙芯片的mac地址不一样呢？ 谢谢
2024-03-01 06:12:58
User Data?
Q2:如果Q1的结果是各区间无法缩减，那只剩下I2C EEPROM可以放置User Data?
Q3:另外是否能增加code Area的容量，大概可以增加多少?
2024-02-28 08:13:07
line删除?
我目前实验过的方式有透过CPU 把embedded line消除，
但因为资料搬动太大，导致没有画面输出。
Q2 : 我想把资料搬移改用DMA去做，想请问做得到吗?
Q3 : 因DMA
2024-02-28 08:11:23
\" Video 设备的\"屏幕截图。 从屏幕截图中可以看出，我的amcap.exe CAN 识别我当前的视频类型，FPGA输出2048 * 2048周期模式。
2024-02-26 08:36:23
Q1：flash的写接口函数一次性只能写一行（row）吗？
Q2：flash写之前必须要擦除吗？
Q3：调用写接口后，怎么查看flash内部的数据是否写成功？
2024-02-21 08:33:15
是否满足要求；
（2）复位：检查屏幕是否存在复位信号，且复位信号电平是否正常；
（3）背光：上电后屏幕背光是否正常亮起，背光电路是否有使能引脚，电平是否正常，PWM 信号是否正常，占空比不能为“0
2024-02-20 13:34:12
电子发烧友网站提供《20 V，双N沟道沟槽MOSFET PMDPB30XNA数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-20 10:03:24
0 苹果与高通达成协议，将调制解调器芯片（基带）的许可协议延长至2027年3月。这一决定由苹果单方面执行，凸显了苹果对高通技术的依赖。
2024-02-02 10:10:08246
小白对电路分析:Q5Q6控制电流方向，TIMERPH2 PH3 MTIOC3A为mcu的定时器。 首先Q5导通，Q6截止，电流经过Q4 Q3 从红色线圈过蓝色线圈回到Q5 漏极。
同时Q6导
2024-01-09 12:53:22
请问一下ADP1850/ADP1851 外部的DL/DH MOSFET为什么需要各摆2颗MOSFET,主要用途为何?为什么需要DL/DH需要各摆2颗?就以ADP1850的BSC0902NS
2024-01-09 07:33:10
半导体厂商强调，中国车企转向选用非车规级芯片将主要影响中国分销商报价。2021至2022年间，由于全球芯片供应紧张，IDM报价大幅上涨，然而2023年后立刻恢复常态。
2024-01-08 14:13:29185 ）降压成±15V，来得到这两种电压源。经测试本底噪声大约20mv，这和DC POWER SUPPLY DF1731SL3A的电压噪声是一样大小，也就是说电压源的噪声直接决定板子的噪声，且这里
2024-01-08 11:26:17
目前在使用上发现三例功率MOSFET（SIR442DP） Q5损坏且芯片EXTVCC管脚与GND短路
损坏后的MOSFET呈以下特性
：1、用万用表二极管档测量：VDD-S 为无穷大，VDS-D
2024-01-05 07:30:21
各位大佬，
萌新一枚，在查LT8612的时候看到了这个原理图，研究了一下，有几个问题想不明白，请教一下各位大佬。
请问一下Q5的作用是什么，Q2和Q3是开关管吗，还有就是LTC3632的Iset的806K的电阻是是干嘛的，是设计上电时间的嘛
2024-01-05 06:36:59
智绘微电子官方宣布，第二代具有完全自主知识产权的图形处理芯片“IDM929”成功实现了一次性流片成功，并顺利点亮！
2023-12-29 10:46:04452 根据全球主要的存储芯片原厂最新财报梳理可知：Q3整体库存仍处于较高水平，整体库存高位在Q1达到峰值，Q2有所回调，Q3下降相对明显。
2023-12-27 14:51:34159 
型号：CSD17579Q3A-VB丝印：VBQF1310品牌：VBsemi参数：- N沟道 MOSFET- 额定电压：30V- 最大持续电流：40A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：11m
2023-12-20 10:47:53
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承诺短路能力，有少数在数据手册上标明短路能力的几家，也通常把短路耐受时间（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us内。
2023-12-13 11:40:56890 
您好，目前使用贵司ad2s1210解码芯片，遇到上电偶尔报奇偶校验故障，且电机运行中存在位置信息突变情况。 位置和故障信息都是在配置模式通过spi读取，位置突变时都是D7位由0变为1，例如：电机不动
2023-12-01 06:05:03
让IoT传感器节点更省电：一种新方案，令电池寿命延长20%！
2023-11-30 17:12:17317 
USB线如何快速延长？USB延长线太长会有影响吗？USB延长线带电源怎么使用？ USB（Universal Serial Bus，通用串行总线）是一种常见的数字通信接口，用于连接电脑和其他外部设备
2023-11-28 15:51:011591 据芯八哥不完全统计，在2023年前三季度，A股主控芯片、存储器、模拟芯片、功率器件、传感器、通信芯片、被动器件等7大细分行业中，仅功率器件和被动器件表现较好，其余赛道和去年相比，业绩同比下滑明显；而在今年Q3季度，受此前库存管控的影响
2023-11-22 16:22:19544 
铠侠公司为应对存储芯片价格的持续下跌，从2022年10月开始采取了将晶片减产30%的措施。2023年q3的nand闪存价格将比q2上涨5%至9%，出货量将比前一个月减少10至14%。以美元为准，nand闪存价格将比前一个月上涨0至4%。
2023-11-15 10:17:03335 近段时间生产线上的K型温度传感器时不时报错，不能正常显示温度值，现场的温度传感器距离电柜有10米左右距离，且要过地沟，地沟内环境不是很好，潮湿有时还存在水，热电偶本身线3米，通过接线端子过渡再加一段
2023-11-15 07:57:53
，第二级是一个反相放大器。这个电路输入信号是电流传感器传出的纯交流电压信号，输出需要严格控制在0~3V以便送入DSP中。
仿真波形如上图所示，感觉比较完美，于是用ADA4891-2在洞洞板上搭建实物电路
2023-11-15 06:12:04
经历漫长的下行周期之后，存储芯片市场价格止跌，部分型号存储芯片价格出现反弹，该行业的疲软需求可能终于触底。
2023-11-14 10:47:57617 MHz,
这个条件的意思是实际上这两个指标并没有实际测试，只是在上述测试条件下，测试出此时的输出2阶交调和3阶交调分量，然后通过公式计算得到的。
请问，我的理解对么？能给出相关的计算过程么？
2023-11-13 13:52:34
三星电子的核心半导体、半导体部门q3继上季度（4万4000亿韩元）之后，出现了3万7500亿韩元的营业亏损。这是因为虽然dram和nand的价格出现恢复势头，但由于存储器市场低迷，无法避免亏损，再加上智能手机和电脑的需求减少。
2023-10-31 14:39:22428 怎么才能延长这个读写寿命
2023-10-24 07:50:49
多线程idm下载软件
2023-10-23 09:23:270 如何延长FLASH的读写寿命?
2023-10-23 06:46:23
最大占空比和PWM频率的振荡器。它还具有开机可编程软启动时间、短路PMOS关闭和自动重新启动保护功能。
特征
精密反馈参考电压：0.5V（2%）
宽电源电压工作范围：3.6至20V
低电流消耗：3
2023-10-19 14:19:01
在读写次数不变的情况下，如何尽可能的延长flash读写寿命
2023-10-13 07:22:56
D3V3Q1B2LP3 产品简介DIODES 的 D3V3Q1B2LP3 这款新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸和高 ESD 浪涌能力的结合使其非常适合
2023-10-11 09:47:55
恒流输出电源芯片20W电路图
2023-10-07 09:18:390 2N7002Q 产品简介DIODES 的 2N7002Q该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准，并由 PPAP 支持。 产品规格
2023-09-25 14:34:57
DMTH6005LK3Q 产品简介DIODES 的 DMTH6005LK3Q 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AECQ101 资格并得到 PPAP 支持。
2023-09-20 19:31:41
DMTH6004SK3Q 产品简介DIODES 的 DMTH6004SK3Q 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AECQ101 资格并得到 PPAP 支持。
2023-09-20 16:54:39
FP6102 20V、3A降压开关调节器芯片
一般说明
FP6102是一种用于广泛工作电压应用领域的降压开关调节器。FP6102包括高电流P-MOSFET，用于将输出电压与反馈放大器进行比较
2023-09-19 14:36:57
DMTH3004LK3Q 产品简介DIODES 的 DMTH3004LK3Q 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AECQ101 资格并得到 PPAP 支持。
2023-09-19 14:01:02
DMPH3010LK3Q 产品简介DIODES 的 DMPH3010LK3Q 这种MOSFET是为满足汽车应用的严格要求而设计的。它符合AEC-Q101的要求，并得到PPAP的支持
2023-09-15 15:28:32
DMP4015SK3Q 产品简介DIODES 的 DMP4015SK3Q 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准，受 PPAP 支持，非常适合
2023-09-14 19:38:09
DMP4011SK3Q 产品简介DIODES 的 DMP4011SK3Q 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准并得到 PPAP 支持。
2023-09-14 12:37:28
DMP4010SK3Q 产品简介DIODES 的 DMP4010SK3Q 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效
2023-09-14 11:43:55
9月12日，据《韩国经济日报》报导，三星电子近期与客户（谷歌等手机制造商）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较现有合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。
2023-09-14 10:56:18206 随着行动内存芯片市场迹象显示出复苏迹象，并且最早在第四季度供不应求，三星电子已宣布将提高动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存芯片的价格，幅度达到10%~20%。 韩国经济日报报道，知情人
2023-09-13 14:22:34486 STEVAL-IPMNG3Q 是一种基于 SLLIMM™-nano（小型低损耗智能成型模块）第 2 系列产品（STGIPQ3H60T-H）的紧凑型电机驱动电源板。该产品为驱动大功率电机提供了一种经济
2023-09-13 07:01:19
DMP3007LK3Q 产品简介DIODES 的 DMP3007LK3Q 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准并得到 PPAP 支持。
2023-09-12 19:05:20
DMN4030LK3Q 产品简介DIODES 的 DMN4030LK3Q 这种MOSFET的设计满足汽车应用。它符合 AEC-Q101 标准，并由 PPAP 支持。 产品规格
2023-09-08 16:58:16
传感器企业，则存在大量的“第四种”模式，也即组装厂模式，不涉及任何对传感器敏感元件、MEMS芯片的研发。 这其中，IDM模式显然对传感器企业的技术实力和资金实力，考验最大。在中国，有能力做IDM的传感器企业屈指可数，那么，中国有哪些传感器企业是真
2023-09-04 16:04:561313 
快速订制需求，同时交期短、供货快。主要应用于200G/400G PAM4高速业务的通信领域。产品特点芯片COC全工艺国产，自主可控低噪声，高灵敏度性价比高，交期短
2023-08-28 15:37:05
DMA-330周期型号是一款高性能、面积优化的SDRAM或移动SDR内存控制器，可为DMA传输提供AXI接口。
它由两个APB接口编程和控制，一个在TrustZone安全模式下运行，另一个在非安全
2023-08-16 06:41:45
50瓦Mosfet放大器的第一级是基于晶体管Q1和Q2的差分放大器。电容器 C8 是直流输入去耦，C1 R1 限制输入电流，并且电容器旁路不需要的高频。第二级由导频相晶体管Q3和Q4组成。输出级是基于MOSFET IRF9530和IRF530的互补推挽级。
2023-08-11 17:44:50978 
消息人士称，在IDM强劲需求的推动下，汽车芯片销售收入已占Ardentec总收入的20%以上。消息人士称，尽管来自中国大陆和中国台湾的IC设计公司订单有所下降，但该测试公司预计其汽车IC业务将在2023年实现同比收入增长。
2023-08-04 16:52:58533 膏通过适当且一致的监控和维持在单独的冷藏库中冷却。
延长 PCB 的储存保质期
我们不能忘记PCBA存储是工业 PCB 健康的重要因素。因此，为了延长 PCB 的保质期，我们需要从各个方面避免 PCB
2023-07-30 17:16:19
最新研究报告表明，电视面板价格正在持续上涨，并预计未来的趋势将继续上涨。自2023年2月以来，各尺寸电视面板的价格已经累计上涨超过20%，超过了面板厂商的总成本。
2023-07-24 16:37:18826 根据介绍，明确新能源汽车车辆购置税减免政策延长4年，即延长至2027年12月31日。其中——对在2024年1月1日至2025年12月31日期间购置的新能源汽车免征车辆购置税，每辆汽车免税额不超过3万元。
2023-07-20 15:52:17576 UPA2600T1R 数据表 (N-CHANNEL MOSFET / 20 V, 7.0 A, 13.8 m-Omega)
2023-07-13 19:54:300 UPA2631T1R 数据表 (P-CHANNEL MOSFET / -20 V, -6.0 A, 32 m-Omega)
2023-07-13 19:54:050 博格华纳继eDM电驱动模块实现量产后，顺势推出适用于纯电力驱动和P4混动的（iDM，integrated Drive Module）全集成电驱动解决方案。 博格华纳iDM电驱动模块是汽车产业电气化
2023-07-05 10:51:35529 今年Q3，存储产品价格有望迎来拐点。
2023-07-03 10:48:31613 高速公路服务区的重要基础设施，确保电动汽车在日常驾驶和长途旅行中有地方充电。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列产品，通过优化器件结构设计，采用先进的工艺制造技术，进一步提高了产品性能，具有
2023-06-13 16:30:37
热点新闻 1、三星、SK海力士在华晶圆厂将获美国延长“豁免期” 据最新报道，美国拜登政府已经向韩国领先的芯片公司发出信号，表示将延长允许它们将美国芯片制造设备运往中国的许可，称这是对盟友的让步，也是
2023-05-11 20:16:37632 
到货，部分型号较于1月初降价明显。而部分难以替换的汽车芯片依旧热门，交期目前52周起步，价格居高不下；即便有低价货流入市场也是被光速清货，如用于车身稳定系统的L9369、用于安全气囊的L9680等等
2023-05-10 10:54:09
我正在尝试使用 ESP-01 驱动 MOSFET 来控制 12V 电源。附上原理图。这是我的简单代码 -
代码：全选#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
本篇是读懂MOSFET datasheet系列第三篇，主要介绍绝对最大额定值相关的参数。 主要包括VDS、VGS、ID、IDM、IAS、EAS、PD、TJ、TSTG几个参数，参数列表如下所示。
2023-04-26 17:51:293543 
点式漏水传感器，采用交变电流采集积水的电感参数，电极即使长时间浸泡，也不会发生电泳极化，不依赖特殊电极，做到寿命长，检测可靠。
网上看到的定义，请各位指教一下，交变电流采集积水的电感参数，是怎么实现的？
2023-04-26 11:58:09
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
您能否建议如何对 HT2DC20S20 dfevice 进行编程？ 你能推荐一个硬件工具吗？
2023-04-11 06:51:01
如何解决PCB制造中的HDI工艺内层涨缩对位问题呢？
2023-04-06 15:45:50
封装MOSFET器件匹敌的电气和功率性能表现。KM3134K是一款20V750mA的N-MOSFET，KM3139K则是-20V-660mA的P-MOSFET，两款器件
2023-04-04 16:10:39987 
，左下为6个MOS的PWM波形。 第一扇区 状态一： Q1/Q2/Q6导通，此时不存在续流，电流流向用红色手绘线表示 状态二： 在此位置Q3即将打开，Q6关闭。为了避免出现上下直通，需要插入死区
2023-04-04 15:36:31
快速成长，报bom是不二选择，这个我会在第2点说）炒料：是原厂交期长，然后渠道，香港现货，分货等，都被一家或者数家公司一起吃掉，如果遇到这种型号，你去找型号，发现一个型号有N家公司有现货排名，且报价
2023-04-03 14:13:19
UPA2600T1R 数据表 (N-CHANNEL MOSFET / 20 V, 7.0 A, 13.8 m-Omega)
2023-03-31 18:48:290 UPA2631T1R 数据表 (P-CHANNEL MOSFET / -20 V, -6.0 A, 32 m-Omega)
2023-03-31 18:48:160 您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片内部使用的 MOSFET 的 IV 特性，该 MOSFET 开关用于数据输出链中的反向散射。有人可以提供这些数据吗？非常感谢~
2023-03-31 07:53:20
KIT REF DESIGN MDL - IDM
2023-03-30 11:45:14
”是什么意思？我找不到它的缩写。Q3:SDRAM 的 Bank Address Bits (BA0 and BA1) 到底是什么意思？为什么SRAM/NAND/NOR/DBI没有BA0和BA1。我找不到 BA 的确切定义。
2023-03-29 08:09:01
IDM05G120C5
2023-03-28 14:47:19
或反向地施加到电动机上，从而实现正向、反向转动和制动等功能。 该电路由四个独立开关管（MOSFET）组成，在H桥电路中，两个开关管组成一对，如上图所示。当我们接通Q1和Q4，关闭Q3和Q2时，电源
2023-03-27 16:28:00
、S32K144EVB-Q100和S32K142EVB-Q100有什么区别吗，我查了两块板子的datasheet，两块板子的特性没有区别。（只有芯片）2. 我可以通过 MC33771C/772C 评估 GUI 下载 S32K142EVB-Q100 的 SREC 3. FRDM33771CSPEVB 是否有示例代码？
2023-03-27 06:52:10
我想索取S32K3X4EVB-Q172开发板的3D模型。我已经下载了硬件设计文件，但没有包含 3D 模型。你能给我一份 .step 格式的吗？
2023-03-24 07:12:57
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