当前正在开发安卓APP，碰到无法读取后256个字节数据的问题，
手机端发送命令如下
0x02, 0x23, 0x40, 0x7fST25DV04回复
0x01,0x0f可以看到是读取失败了，请问一下应该如何读取？
2024-03-18 06:12:31
FS61C25MR电压检测器芯片IC是泛海微公司生产的一款高性能、高精度的电压检测器。该芯片采用CMOS工艺，具有N沟道特性，适用于各种需要电压检测的电子设备。其封装形式为SOT-23，具有小巧的体积和优异的电气性能，方便在实际电路中使用。
2024-03-17 22:51:31
37 
MR25H256 MRAM 存储器 mikroBUS™ Click™ 平台评估扩展板
2024-03-14 22:03:11
芯片生产中应用MR-MUF（批量回流模制底部填充）技术的传言并不属实。 三星在HBM生产中目前主要采用非导电薄膜（NCF）技术，而非SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）封装工艺。报道称之所以要采用MR-MUF是为了解决NCF工艺的一些生产问题。
2024-03-14 00:17:002498 
FS61C27MR电压检测器芯片IC是泛海微公司推出的一款高性能、高可靠性的产品。这款芯片采用SOT-23封装形式，具有CMOS N沟道特性，其额定电压检测阈值为2.7V。凭借其出色的性能
2024-03-13 18:30:20
FS61C25MR电压检测器芯片IC是泛海微公司生产的一款高性能、高精度的电压检测器。该芯片采用CMOS工艺，具有N沟道特性，适用于各种需要电压检测的电子设备。其封装形式为SOT-23，具有小巧
2024-03-13 18:28:01
FS61C24MR电压检测器芯片IC是泛海微公司推出的一款高性能产品，广泛应用于各种电子设备中。这款芯片采用SOT-23封装，具有CMOS N沟道特性，其阈值电压为2.4V。接下来，我们将
2024-03-13 18:24:44
工作，为低电平芯片输出关闭。H5119SL采用SOT23-6封装。
产品特征
l 支持宽压输入范围
l 平均电流工作模式
l 支持输出电流4A
l 转换效率最高可达95%
l 输出电流精度±3%
l
2024-03-08 18:12:14
芯片烧录行业领导者-昂科技术近日发布最新的烧录软件更新及新增支持的芯片型号列表，其中Macronix旺宏电子的256Mb位串行NOR闪存MX25L25673GM已经被昂科的通用烧录平台AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:3059 
光伏逆变器拓扑概述及关键技术
2024-02-21 09:47:20197 
MRAM是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。
2024-02-19 11:32:41367 
AT28C256是一款由Atmel公司生产的256KB的EEPROM芯片，具有高速读写特性，适用于多种应用场合，包括数据存储、程序存储、固件升级等。
2024-02-01 17:34:53517 台积电近日宣布，与工研院合作开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，该芯片具有极低的功耗，仅为其他类似技术的1%。这一创新技术为次世代存储器领域带来了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 据报道，全球领先的半导体制造公司台积电在次世代MRAM存储器相关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，并搭配创新的运算架构，使其功耗仅为其他类似技术的1%。
2024-01-19 14:35:126646 台积电在MRAM技术方面已经取得了显著进展，成功研发了22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线，并积累了大量内存和车用市场订单。
2024-01-18 16:44:044838 NVIDIA Omniverse™ Nucleus 是 NVIDIA Omniverse 的数据库和协作引擎。
2024-01-17 09:22:05186 
MRAM是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。
2024-01-09 11:15:26200 
高通宣布推出全新的Snapdragon XR2+ Gen 2芯片，这款芯片专为混合现实（MR）头戴设备设计。高通表示，三星和谷歌已经计划采用这款新芯片。
2024-01-05 15:15:32223 记者了解到，国内已有多家公司早早布局了MR产品，更有科创板公司明确表示已进入苹果MR产业链。
2023-12-21 14:21:57181 SENT总线的特征和优势 SENT总线是一种常用于计算机和电子设备之间的通信接口。它具有许多特征和优势，使得它在现代电子领域中得到广泛应用。 首先，SENT总线是一种数字串行通信协议，它通过串行
2023-12-07 11:15:32560 PY25Q128HA是一种串行接口闪存设备，设计用于各种大容量的基于消费者的应用程序，其中程序代码从闪存隐藏到嵌入式或外部RAM中进行执行。该设备灵活的擦除架构，其页面擦除粒度也是数据存储的理想选择，消除了对额外数据存储设备的需要。
2023-11-30 16:38:00275 
PY25Q64HA是一种串行接口闪存设备，设计用于各种大容量的基于消费者的应用程序，其中程序代码从闪存隐藏到嵌入式或外部RAM中进行执行。该设备灵活的擦除架构，其页面擦除粒度也是数据存储的理想选择，消除了对额外数据存储设备的需要。
2023-11-29 16:45:57397 
PY25Q32HB是一种串行接口闪存设备，设计用于各种大容量的基于消费者的应用程序，其中程序代码从闪存隐藏到嵌入式或外部RAM中进行执行。
2023-11-28 17:43:07435 
目前三星仍然是全球专利第一，2002年三星宣布研发MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年间，三星对MRAM的研发一直不温不火，成本和工艺的限制，让三星的MRAM研发逐渐走向低调。
2023-11-22 14:43:53213 
本文介绍用BurnTool给星闪芯片BS25烧写程序。
2023-11-22 09:49:37999 
本文介绍用BurnTool给海思的星闪芯片BS25烧写程序。
2023-11-14 09:08:291749 
松下 MR240使用说明书
2023-10-31 11:45:08
0 控制多片PLL芯片时，串行控制线是否可以复用？ 当需要控制多片PLL芯片时，使用复杂电路来进行控制并非理想方案，因为使用多个电路芯片会导致整个系统变得复杂且难以处理。因此，确定一个适当的解决方案
2023-10-30 10:16:42149 电子发烧友网为你提供ADI(ADI)DS28E25: DeepCover Secure Authenticator with 1-Wire SHA-256 and 4Kb User EEPROM
2023-10-16 18:55:54
型号：VK1618
品牌：永嘉微电/VINKA
封装形式：SOP18
概述：VK1618是一种带键盘扫描接口的数码管或点阵LED驱动控制专用芯片，内部集成有3线串行接口、数据锁存器、LED 驱动
2023-10-12 14:23:43
电子发烧友网为你提供ADI(ADI)MAX66250 ISO 15693, SHA3-256, 256, 256-256, 256-Bit用户EEPROM 安全认证数据表相关产品参数、数据手册，更有
2023-10-09 19:19:02
串行数据传输：因为在芯片内部数据都是并行传输的，只是在芯片发送器一端转换为串行形式
2023-10-08 16:15:264992 
usb 转25针并口的芯片电路有么
2023-09-25 06:04:58
C语言概述以及如何上机运行
2023-09-18 11:05:060 ，每个页面256字节。
一次最多可编程256个字节。
可以按16个组(4KB扇区擦除)、128个组(32KB块擦除)、256个组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)来擦除页面。
CW25
2023-09-15 08:11:20
1. 描述 引脚排列
CW24C256A/512A是262144/524288位的串行电可擦除只读存储器(EEPROM)，分别采用32768/65536 ×8位的组织结构，广泛应用于低电压和低功耗
2023-09-15 07:45:35
1. 描述 引脚排列
CW24C256B/512B是262144/524288位的串行电可擦除只读存储器(EEPROM)，分别采用32768/65536 ×8位的组织结构，广泛应用于低电压和低功耗
2023-09-15 07:20:24
。
CW25Q128A分别具有4,096个可擦除扇区和256个可擦除块。
小的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用中提供更大的灵活性。
(参见图5-1 CW25Q128A串行闪存框图。)。
CW25Q128A支持
2023-09-15 06:00:05
意法半导体ST25TV芯片系列提供了NFC forum标签，使消费者能够体验数字化生活。嵌入式EEPROM存储器的存储密度范围从512位到64 Kb不等，可覆盖各种应用，包括品牌保护和门禁控制。
ST25TV系列提供最先进的RF性能以及强大的保护功能，例如block lock机制与加密密码。
2023-09-14 08:25:12
作为一种磁性技术，MRAM本质上是抗辐射的。这使得独立版本在航空航天应用中很受欢迎，而且这些应用对价格的敏感度也较低。它相对较大，在内存领域，尺寸意味着成本。
2023-08-30 15:28:50407 当前正在开发安卓APP，碰到无法读取后256个字节数据的问题，
手机端发送命令如下
0x02, 0x23, 0x40, 0x7fST25DV04回复
0x01,0x0f可以看到是读取失败了，请问一下应该如何读取？
感谢
2023-08-07 15:08:46
电子发烧友网站提供《MR4.11固件.zip》资料免费下载
2023-07-29 09:32:340 电子发烧友网站提供《MR16 EMC的参考设计.pdf》资料免费下载
2023-07-24 10:52:050 随着VR和AR技术的发展，有厂商开始将两者融合到一起，推出了MR头显设备。这些设备结合了虚拟现实和增强现实的功能，能够提供更加丰富和交互性的体验。MR头显设备使用传感器跟踪用户的头部动作，并通过显示器将虚拟元素叠加到用户的真实环境中。
2023-07-18 15:34:511699 Netsol的MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要使用最少数量的引脚来快速存储、检索数据和程序的应用程序而言，是最为理想的存储器。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 设计的R1芯片。Apple Vision Pro售价3499美元起，换算成人民币超过2.5万元。 苹果公司计划削减混合现实（MR）头显Vision Pro的生产目标，原因是因为Vision Pro设计的
2023-07-04 11:58:571938 AT25DF256 数据表
2023-07-03 18:51:340 AT25DN256 数据表
2023-07-03 18:49:280 新思科技一直致力于打造“人人都能懂”的行业科普视频，传播更多芯片相关小知识，解答各类科技小问题。每周3分钟，多一些“芯”知识。 这一期，我们聊一聊VR、AR与MR的那些事儿。 VR、AR、MR
2023-06-30 17:35:03966 
MRAM在数据记录应用中，数据记录是如下持续、反复地将重要数据保存于设备的过程。可以记录系统内外部发生的事件；使用历史；环境参数 ；机器状态；用于分析目的的其他数据。因需要持续、反复地保存数据，内存需要快速的写入速度与高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 产品概述MR-50EXP辐射检测仪（射线电离辐射）采用美国进口“盖革技术管”制作而成是一款新型性价比超高的多功能射线辐射探测仪。 辐射检测仪（MR-50 EXP
2023-06-09 16:46:25
苹果MR Vision Pro供应链分析。在光学、显示、交互和芯片方面采用的都是何种方案。
2023-06-08 10:17:09553 
JAQUET-DSD25传感器是适用于铁路应用的3通道和4通道霍尔效应速度传感器。
目前有两大主要的趋势在推动列车速度传感器需求的增加。首先，轨道车辆的成本和重量在降低；其次，列车控制系统的升级
2023-06-03 10:27:31286 
Everspin型号MR0A16A容量为1Mbit的MRAM存储芯片，组织为16位的65536个字。提供与SRAM兼容的35ns读/写时序，续航时间无限制。数据在20年以上的时间内始终是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 为了进行性能比较，使用了三种不同的存储芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR闪存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND闪存。
2023-05-31 17:14:24788 
。或将其描述为把具有特定功能的芯片放置在一个与其兼容的外部容器中，并为芯片运行提供稳定的工作环境。下图所示，由晶元、封装基板、键合线、焊球以及PCB板等组成为典型封装结构。
2023-05-25 09:36:042511 
点击上方 蓝字 关注我们 芯片设计流程概述 芯片设计分为前端设计和后端设计，前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计）并没有统一严格的界限，涉及到与工艺有关的设计就是后端设计。 1. 规格
2023-05-22 19:30:01396 产品概述 MR-50EXP辐射检测仪（射线电离辐射）采用美国进口“盖革技术管”制作而成是一款新型性价比超高的多功能射线辐射探测仪。 辐射检测仪（MR-50 EXP）体积小，重量轻，携带方便，同时可以
2023-05-22 16:30:15280 
描述BL24C256A提供262144位串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为32768每个字8位。该设备经过优化，可用于多种用途工业和商业应用低功率和低电压操作本质
2023-05-16 15:12:07
908MR32我们已经用了10多年了，现在很难买到，所以想用新的MCU来代替908MR32。有推荐的型号吗？+5V 电源是首选。
2023-04-28 07:38:01
S3A1604是一种NETSOL MRAM存储芯片。具有SPI总线接口、XIP(就地执行)性能和基于硬件/软件的数据保护系统。可以取代具有相同功能和非易失性的闪存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允许带宽扩展选项。
2023-04-27 17:33:44420 最近项目用来了QSPI驱动W25Q256FV这款芯片。由于SFUD有这款芯片的驱动，就找了bsp stm32l475-atk-pandora下的port烧录后的现象是可以识别芯片，但是读写不正常
2023-04-27 11:34:00
ISL12022MR5421 数据表
2023-04-26 20:04:470 SPI是Serial Peripheral interface的缩写，是一种串行外设接口。全双工通信，有4根信号线，在MCU、SOC、FLASH、DSP等芯片上常见。
2023-04-24 17:29:441169 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462547 功率分配器和耦合器是直截了当的无源元件。这是注意设计细节、设计执行和制造质量。这将导致高性能组件。在本教程中，我们将介绍一个基本的Marki微波功率分配器和耦合器概述及功率定义。
2023-04-19 09:12:17331 中的波形，我发现 iMX RT1024 SRAM 操作存在一个问题。MR5A16A MRAM 声明地址线必须在芯片启用变低时有效iMX RT1024 参考手册指出，芯片启用在地址有效之前变为低电平
2023-04-17 07:52:33
先简单的介绍一下VR、AR、MR、CR的意思：
VR=Virtual Reality，即虚拟现实；
AR=Augmented Reality，即增强现实；
MR=Mixed
2023-04-14 14:32:4034395 
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行闪速存储器，可直接从双/四SPI接口执行代码，存储语音、文本和数据，提供的灵活性和性能远超普通串行闪速存储器，非常适合于
2023-04-14 10:42:553818 
MGV125-25-H20MACOM 的 MGV125-25-H20 是电容为 0.18 pF、电容比为 3.5 至 9.0、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 3000
2023-04-10 15:28:33
STT-MRAM它具有SPl总线接口、XIP（就地执行）功能和基于硬件/软件的数据保护机制。SPl（串行外围接口）是一个带有命令、地址和数据信号的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 产品会取代独立存储器目前各厂商已经基本掌握了用于实现第一阶段应用的关键技术。在车载MCU中,通常是将设备工作时使用的sram存储器和用于存放程序的闪存集成在同一块芯片上。如果能够将自旋注入MRAM集成到
2023-04-07 16:41:05
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在较慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上运行，但还允许系统设计人员利用MRAM的四倍随机存取周期时间。Everspin
2023-04-07 16:26:28
IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN
2023-04-06 16:00:29
MRAM磁性随机存储器 2.7V~3.6V 256Mb
2023-04-06 11:14:58
IC MRAM 256KBIT 35NS 32SOIC
2023-04-04 20:35:38
MGV100-25-H20MACOM 的 MGV100-25-H20 是电容为 0.18 pF、电容比为 2.3 至 4.5、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 3000
2023-03-31 15:20:22
W25Q256JWPIQ
2023-03-29 21:53:02
W25Q256JWEIQ
2023-03-29 21:44:52
在PLC(可编程逻辑控制器)产品中，MRAM芯片的应用也日渐普及，本文将介绍MRAM芯片应用于PLC产品上的特性。--代理商：吉芯泽科技
2023-03-29 16:31:221169 
3V 256M位串行闪存，带双通道/四通道SPI接口
2023-03-28 18:31:00
3V 256M位串行闪存，带双通道/四通道SPI接口
2023-03-28 18:28:24
256 Kbit I2C串行EEPROM
2023-03-28 18:25:28
EEPROM存储器 256K I2C串行 SOIC8
2023-03-28 18:25:28
双线串行EEPROM 256K（8位宽）
2023-03-28 18:13:12
带双/四SPI的3V 256M位串行闪存
2023-03-28 15:18:04
USB串行端口芯片
2023-03-28 15:05:25
USB串行端口芯片
2023-03-28 15:05:18
256M BIT（32M Byte）串行接口闪存
2023-03-28 13:02:29
IC RAM 256KBIT SPI 40MHZ 8DFN
2023-03-27 13:45:24
256 K位 （32 K × 8） 串行 （I²C） F-RAM
2023-03-27 12:55:59
2-Mbit（256 K × 8） 串行 （SPI） F-RAM
2023-03-27 11:55:14
3 v 256位 串行快闪存储器 双/四spi, qpi和DTR
2023-03-27 11:55:03
我正在使用 iMXRT1160，IVT 标头的版本描述及其用法是什么？
2023-03-23 09:10:07
具有 SPI 总线的 256K 低功耗串行 SRAM
2023-03-23 07:33:32
256K I2C™ CMOS串行EEPROM SOIC8
2023-03-23 04:56:18
电子发烧友App
工商网监
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