现象：
用stm32的spi接口驱动MB85RS2MT(此芯片兼容FM25H20),问题是用示波器能看到单片机有数据输出，但是我读不出任何数据，读出的都是0x00，不知道是什么原因，发帖求助。下面
2024-03-20 08:08:05
我有个应用设计，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外扩了一片铁电存储器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作电压下都能正常工作，但铁电存储器FRAM的工作电压
2024-03-13 08:04:03
嵌入式铁电存储器可实现超低功耗微控制器的设计。将铁电存储器添加到微控制器中可以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理，是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性的理想选择，例如传感器与计量仪表到
2024-03-06 09:57:22
1) 允许一个物理内存（即 XRAM) 可同时作为程序存储器和数据存储器进行访问
如何使用 SCR XRAM 作为程序存储器和数据存储器。
1) 用于存储 scr 程序的程序存储器
2) 用于在 tricore 和 scr 之间交换数据的数据存储器。
2024-01-30 08:18:12
当我发送读取请求或 RDID 请求时，我没有收到从 FRAM 芯片返回的数据。
我不确定自己做错了什么。
我已经将我的波形 HOLD_N、CS_N、FRAM 中的串行数据、串行数据附加到 FRAM、CLK、WP_N 中。
2024-01-25 07:07:12
铁电存储器通常具有更快的随机存取时间（Access Time），能够更快地执行读取和写入操作。而闪存的存取速度较慢，通常与铁电存储器相比较为迟钝。
2024-01-23 18:17:51
517 
ADuCM360/1是否支持存储器到存储器DMA传输？
2024-01-15 07:43:09
MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。
2024-01-09 14:24:03212 
FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是：“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 mW。取消选择该器件时，CMOS待机电流小于200 A。 型号AT28C256-25FM/883功能描述电可擦除可编程只读存储器 256K 11MIL
2023-12-08 15:05:01
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
的系统硬件设计。 其中铁电存储器可使用国芯思辰PB85RS2MC，凭借高速读写功能，记录仪可以实时在线记录现场数据，并可以通过以太网通信方式与上位机进行
2023-11-15 10:34:19
何谓半导体存储器？ 半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制，使其具备数据存储保持功能的半导体电路装置。 与磁盘和光盘装置等相比，具有 数据读写快 存储密度高 耗电量少 耐震 等特点。 关闭电源
2023-11-15 10:20:01731 
单片机的存储器主要有几个物理存储空间
2023-11-01 06:22:38
单片机的存储器从物理上可划分为4个存储空间，其存储器的空间范围是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有谁知道AT89C52怎么选择外部存储器，我之前用的是P89V51，选择外部存储器是定义AUXR=0x02;，但是现在想用AT89C52单片了，程序该怎么改了啊？？AT89C52手册上找不到怎么选择外部存储器说明，各位高手有谁知道啊 ？
2023-10-26 06:11:25
AT32 SPIM Application Note描述了怎么使用AT32 MCU的SPIM作为外部存储器的扩展功能。
2023-10-24 08:03:56
最大占空比和PWM频率的振荡器。它还具有开机可编程软启动时间、短路PMOS关闭和自动重新启动保护功能。
特征
精密反馈参考电压：0.5V（2%）
宽电源电压工作范围：3.6至20V
低电流消耗：3
2023-10-19 14:19:01
的非易失性存储器，既可以进行非易失性数据存储，又可以像RAM一样操作。
本文将借助飞凌嵌入式OK3568-C开发板来为大家介绍一种采用FRAM的方案——使用SPI0挂载PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
存储器测试问题怎么才能稳定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存储器。因此铁电存储器（FRAM）是便携式医疗设备的理想解决方案。1、高写入耐久度PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
自举程序存储在 STM32 器件的内部自举 ROM 存储器（系统存储器）中。在生产期间由 ST编程。其主要任务是通过一种可用的串行外设（USART、CAN、USB、I2C 等）将应用程序下载到内部
2023-09-28 07:15:06
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何检测24c存储器容量
2023-09-25 06:48:32
对于做快速存储采集数据类产品的用户来说，在处理突发掉电情况时需要保存现有数据并避免数据丢失，这种情况下有很多种解决方案，铁电存储器(FRAM)就是个很好的选择。FRAM是一种具有快速写入速度
2023-09-22 08:01:59496 
的高精度参考（0.5V），内部死时间控制器和用于控制最大占空比和PWM频率的振荡器。它还具有开机可编程软启动时间、短路PMOS关闭和自动重新启动保护功能。
特征
精密反馈参考电压：0.5V（2%）
宽
2023-09-19 14:36:57
分别具有2,048个可擦除扇区和128个可擦除块。
小的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用中提供更大的灵活性。
(参见图5-1 CW25Q64A串行闪存框图。)。
CW25Q64A支持标准的串行
2023-09-15 08:11:20
1. 描述 引脚排列
CW24C32A/64A/128A是32768/65536/131072位的串行电可擦除只读存储器(EEPROM)，分别采用4096/8192/16384×8位的组织结构
2023-09-15 07:53:08
存储器组织结构：
- CW24C256A, 32768 × 8 (256K 位)
- CW24C512A, 65536 × 8 (512K 位)
2 线串行接口
施密特触发器，过滤输入，实现
2023-09-15 07:45:35
1. 描述 引脚排列
CW24C02A/04A/08A是2048/4096/8192位的串行电可擦除只读存储器（EEPROM），分别采用256/512/1024×8位的组织结构，广泛应用于低电压
2023-09-15 06:53:34
CW25Q128A(128M位)串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。
25Q系列提供的灵活性和性能远远超过普通的串行闪存设备。
它们非常适合将代码映射到RAM，直接从双/四SPI
2023-09-15 06:00:05
系统架构
多层AHB总线矩阵
存储空间
存储器映射
片上SRAM
位带操作
片上闪存
自适应闪存加速器（STM32F2新增）
启动模式
代码空间的动态重映射（STM32F2新增）
内嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
库的慢-慢工艺点对块进行合成，以200 MHz的目标速度确认时序特性。
接口存储器端口上的信号符合RAM编译器为TSMC CL013G工艺技术生产的单端口同步存储器组件所要求的时序要求
2023-08-21 06:55:33
存储器子系统的主要功能是在云计算和人工智能 (AI)、汽车和移动等广泛应用中尽可能快速可靠地为主机（CPU 或 GPU）提供必要的数据或指令。片上系统 (SoC) 设计人员可以选择多种类型的存储器
2023-08-17 09:54:20414 
发出警报声。 本文主要介绍国产铁电存储器PB85RS2MC用于医疗生命监护仪的存储方案中。对于这些应用，铁电存储器与EEPROM相比可以更频繁地写入，设备可以
2023-08-16 10:30:26
1Mbit EXCELON™ F-RAM是业内首款车规级串行F-RAM存储器。 这两款新品已通过AEC-Q100 1级认证，支持更宽泛的温
2023-08-09 14:32:40397 
铁电存储器(FRAM)具有非易失性，读写速度快，没有写等待时间等优势，能够像RAM一样操作，低功耗，擦写使用寿命长，芯片的擦写次数为100万次，比一般的E2PROM存储器高10倍。特别适合在为工业
2023-06-29 09:39:03382 ，非易失性存储器在计算机关闭后存储数据仍保留在计算机中。易失性存储器的主要特征是它们需要电源来维持其存储状态。主要分为两种类型：静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。 1963年，Fairchild发明了SRAM。作为即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上，铁电
2023-06-08 09:52:17
Everspin型号MR0A16A容量为1Mbit的MRAM存储芯片，组织为16位的65536个字。提供与SRAM兼容的35ns读/写时序，续航时间无限制。数据在20年以上的时间内始终是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 在单板设计中，无论是涉及到一个简易的CPU、MCU小系统或者是复杂的单板设计，都离不开存储器设计：
1、存储器介绍
存储器的分类大致可以划分如下：
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统
2023-05-19 15:59:37
SPI系列（FM25）容量覆盖512Mb~4Gb，温度覆盖-40℃~+105℃。PPI系列为（FM29）容量覆盖2Gb~8Gb，温度覆盖-40℃~+105℃。
2023-05-11 15:08:56477 单片机的程序存储器和数据存储器共处同一地址空间为什么不会发生总线冲突呢？
2023-05-10 15:17:56
下一阶段，复旦微电全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存储器全系列产品将覆盖64Kbit~2Mbit容量，FM25N将补全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378 
AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。 FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求，应用于
2023-05-04 13:56:111160 
工作的存储器件，其容量相对比较大，可用来存储工作数据或图像数据等。
W25Q16与开发板的连接关系为：
CS ----PA2
DO ---- PA6
WP ----3.3V
DI ---- PA7
2023-04-21 18:13:47
关于DMA，具有三种数据传输方式：存储器到存储器、存储器到外设、外设到存储器。在第十三章以及第二十七章，已讲解存储器到存储器传输方式以及存储器到外设传输方式，本章将讲解DMA外设到存储器传输方式。使用串口1作为外设，通过串口调试助手等向开发板发送数据，数据会被返回给开发板并通过串口调试助手显示。
2023-04-20 16:37:41
关于DMA，具有三种数据传输方式：存储器到存储器、存储器到外设、外设到存储器。前面已讲解过关于存储器到存储器数据传输方式，本章将讲解存储器到外设的传输方式以及在下一章将会讲解外设到存储器的传输方式
2023-04-20 16:35:13
基本上，我想将数据写入/读取 I.MX RT1170 评估板中的非易失性存储器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例应用程序可供参考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程讲解DMA存储器到存储器模式。存储器到存储器模式可以实现数据在两个内存的快速拷贝。程序中，首先定义一个静态的源数据，存放在内部 FLASH，然后使用DMA传输把源数据拷贝到目标地址上（内部SRAM），最后对比源数据和目标地址的数据，判断传输是否准确。
2023-04-17 15:28:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行闪速存储器，可直接从双/四SPI接口执行代码，存储语音、文本和数据，提供的灵活性和性能远超普通串行闪速存储器，非常适合于
2023-04-14 10:42:553817 
在嵌入式系统中，Flash和EEPROM能够存储可用于通信或执行某些功能的数据。它们可以通过多种不同的串行协议（包括SPI或串行外围设备接口）来连接存储设备。在单片机中也集成了多种不同类型的SPI
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
/写存储器，在断电时无需外部电池即可保留数据。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS与MR3A16ACMA35原作者：宇芯电子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件将FRAM存储器与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存储器，实时时钟，低VDD复位，看门狗定时器，非易失性事件计数器，可锁定的64位序列号区域以及
2023-04-07 16:23:11
随着万物智联时代的到来，智能汽车等新兴应用场景对存储提出了更高的性能要求。加贺富仪艾电子旗下代理品牌富士通半导体存储器解决方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501 我们正在尝试将内部 ROM 闪存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的辅助存储器（而不是 EEPROM）。是否可以将 FLASH 用作辅助存储器，如果可能，我们如何使用。请指导我们实现这一目标
2023-04-04 08:16:50
内部引导模式。当我们尝试通过串行下载程序对熔丝进行编程时，出现错误，提示未找到外部存储器。我们如何在不读取 boot_cfc2[2:0] 并连接到外部存储器的情况下对保险丝进行编程？
2023-04-03 07:03:34
存储器按存储介质特性来说，可以分为两类，一类就是易失性存储器，一类是非易失性存储器。从计算机角度上看，易失性存储器可以理解为内存，而非易性存储器可以理解为硬盘。
2023-03-30 14:22:431551 
存储器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存储器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存储器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存储器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8TDFN
2023-03-28 21:00:46
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
2023-03-28 21:00:26
FRAM存储器 16Kbit (2K× 8) SOIC8_150MIL VDD=2.7V~3.6V
2023-03-27 13:53:15
FRAM存储器 2.7~3.65V 64KB 20MHz SOIC8_150MIL
2023-03-27 13:53:02
FRAM存储器 SOIC8_150MIL 20MHz 64kb
2023-03-27 13:52:57
2MBIT PARALLEL FRAM MEMORY
2023-03-27 13:52:05
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8TDFN
2023-03-27 13:48:57
FRAM存储器 SOIC8_150MIL 40MHz 512KB
2023-03-27 13:45:05
64 K（8 K×8）位I2C存储器FRAM
2023-03-27 13:39:18
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:17:21
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8TDFN
2023-03-27 13:17:01
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8TDFN
2023-03-27 13:13:37
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8DIP
2023-03-27 13:12:17
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:04:33
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8TDFN
2023-03-27 13:04:33
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:04:33
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8TDFN
2023-03-27 13:04:32
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8DIP
2023-03-27 12:43:27
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8TDFN
2023-03-27 12:02:03
FRAM存储器 通信接口:SPI 2Mbit 3V 40MHz SOP8_208MIL
2023-03-27 12:02:02
3 v 256位 串行快闪存储器 双/四spi, qpi和DTR
2023-03-27 11:55:03
1.8 v 64位 串行快闪存储器 双/四spi和qpi
2023-03-27 11:55:03
3 v 64位 串行快闪存储器 双/四spi & qpi & DTR
2023-03-27 11:45:15
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8DIP
2023-03-25 03:25:44
电子发烧友App
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