依托Crosslight先进的仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队成功开发出CdSe/ZnS量子点发光二极管(QDLED)模型。
由于半峰宽较窄、发光波长可调、制备工艺成本相对较低，CdSe/ZnSQDLED在下一代显示和照明领域具有极大的应用空间。然而，QDLED的器件尺寸一般较大，并且空穴迁移率较低，因此电流拥挤比较严重。上海大学杨绪勇教授团队提出在QDLED空穴注入层中嵌入MoO3层[如图一所示]，该插入层可以有效调节空穴的输运行为，改善电流扩展效应，提高空穴注入效率[如图二所示]，进而改善QDLED发光效率，该论文发表于AdvancedScience，DOI:10.1002/advs.202001760(IF=15.840)。
图一、(a)QDLED平衡态下的能带图(b)空穴电流输运示意图(c)具有MoO3电流扩展层的QDLED能带示意图
图二、(a)理论计算的器件A、B、C和D横向空穴电流分布图，(b)实验测量的hole-only器件的电流-电压关系图。其中，器件A不含MoO3层，器件B、C和D分别有一层、二层和三层MoO3层。
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发烧友学院发表于 2019-05-24 00:00
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