电子发烧友网站提供《汽车类 4A、6A 增强型隔离双通道栅极驱动器UCC21551x-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 11:40:32
0 电子发烧友网站提供《双P沟道增强型mosfet TPS1120数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-19 09:19:010 电子发烧友网站提供《单P沟道增强型mosfet TPS1100数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-19 09:13:590 电子发烧友网站提供《ISO773x-Q1 EMC性能优异的高速、增强型三通道数字隔离器数据表.pdf》资料免费下载
2024-02-28 11:19:390 电子发烧友网站提供《ISO772x-Q1 EMC 性能优异的高速、增强型双通道数字隔离器数据表.pdf》资料免费下载
2024-02-28 11:18:330 电子发烧友网站提供《通用六通道增强型数字隔离器 ISO676x数据表.pdf》资料免费下载
2024-02-28 11:08:070 电子发烧友网站提供《高速、增强型六通道数字隔离器ISO776x-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-02-28 11:02:260 电子发烧友网站提供《EMC 性能优异的 ISO776x-Q1 高速、增强型六通道数字隔离器数据表.pdf》资料免费下载
2024-02-28 10:59:240 电子发烧友网站提供《ISO772x-Q1 EMC性能优异的高速、增强型双通道数字隔离器数据表.pdf》资料免费下载
2024-02-28 10:50:210 电子发烧友网站提供《ISO774x-Q1汽车级高速四通道增强型数字隔离器数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-28 10:45:380 电压时导电沟道是低阻状态，加上控制电压沟道电阻逐渐变大。
2、绝缘栅型场效应管分为N沟道和P沟道，每一种又分为增强型和耗尽型。
N沟道增强型MOS管在其栅源之间加正向电压，形成反型层和导电沟道，沟道电阻
2024-01-30 11:38:27
电子发烧友网站提供《NCE N沟道增强型功率MOSFET NCE3010S数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-24 11:06:590 电子发烧友网站提供《P沟道增强型场效应晶体管 CJ2301数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-19 13:39:580 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:36
1219 报告内容包含：
微带WBG MMIC工艺
GaN HEMT 结构的生长
GaN HEMT 技术面临的挑战
2023-12-14 11:06:58178 
。由于这些优势，GaN HEMT在射频功率放大器、微波通信、雷达、卫星通信和电源应用等领域被广泛采用。 然而，GaN HEMT也存在一些限制，其中一个是它不能作为低压器件使用。下面将详细探讨为什么GaN HEMT不能做成低压器件，以及该限制的原因。 首先，为了明
2023-12-07 17:27:20337 电子元器件的基础知识
2023-12-04 10:42:491813 
栅既解决栅极氧化层的可靠性问题、又提高了SiCMOSFET的性能?增强型M1HCoolSiC芯片又“强“在哪里？英飞凌零碳工业功率事业部高级工程师赵佳女士，在2023英
2023-11-28 08:13:57372 
电子发烧友网站提供《增强型Howland电流源(EHCS)电路的局限性及改进.pdf》资料免费下载
2023-11-23 16:10:338 据麦姆斯咨询报道，领先的模拟和混合信号器件专业代工厂X-FAB Silicon Foundries SE为其单光子雪崩二极管（SPAD）产品组合推出了一款新的近红外（NIR）增强型SPAD
2023-11-20 09:11:53398 增强型IEC插座电源滤波器是一种用于电源线路的电磁干扰滤波器，能够有效地抑制电磁干扰、提高供电质量的装置。
2023-11-08 10:13:31348 电压2.0V至3.6V，一系列的省电模式保证低功耗应用的要求。STM32F103xx大容量增强型系列产品提供包括从64脚至144脚的6种不同封装形式；根据不同的封装形式，器件中的外设配置不尽相同。下面
2023-10-10 06:14:17
电子发烧友网站提供《8位PIC单片机的位拆裂增强型UART.pdf》资料免费下载
2023-09-26 09:45:500 DMTH8003STLW产品简介DIODES 的 DMTH8003STLW 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON) ，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合
2023-09-21 11:10:36
DMTH8001STLW 产品简介DIODES 的 DMTH8001STLW 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件
2023-09-21 10:46:21
DMTH61M5SPSW 产品简介DIODES 的 DMTH61M5SPSW 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件
2023-09-21 09:43:45
DMTH6015LDVW产品简介DIODES 的 DMTH6015LDVW 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合
2023-09-20 20:00:49
电子发烧友网站提供《8位增强型USB单片机CH549、CH548 .pdf》资料免费下载
2023-09-20 14:57:220 DMTH4007SPS 产品简介DIODES 的 DMTH4007SPS 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常
2023-09-19 15:08:13
DMTH4001STLW 产品简介DIODES 的 DMTH4001STLW 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件
2023-09-19 14:13:48
DMTH3004LFGQ 产品简介DIODES 的 DMTH3004LFGQ 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件
2023-09-19 13:50:09
DMT6010LPS 产品简介DIODES 的 DMT6010LPS 这款新一代 n 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合
2023-09-18 15:18:40
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
电子发烧友网站提供《智嵌STM32F407开发板(增强型)V1.1原理图.pdf》资料免费下载
2023-09-15 15:24:477 DMP56D0UFB 产品简介DIODES 的 DMP56D0UFB 这款新一代 50V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件
2023-09-15 11:18:02
DMP45H21DHE 产品简介DIODES 的 DMP45H21DHE 这款 450V 增强型 P 沟道 MOSFET 为用户提供了具有竞争力的规格，可提供高效的功率处理能力、高阻抗
2023-09-15 10:49:09
DMP4047LFDE 产品简介DIODES 的 DMP4047LFDE 这款新一代 40V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能
2023-09-14 19:46:59
DMP3028LSD 产品简介DIODES 的 DMP3028LSD 这款新一代 30V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 RDS(on)，同时保持卓越的开关
2023-09-13 20:17:07
DMP3012LPS 产品简介DIODES 的 DMP3012LPS 这款新一代 30V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同时保持卓越的 开关性能。该
2023-09-13 11:02:48
借助其增强型 NDEF 功能（ANDEF），ST25TV512C 和 ST25TV02KC 标签IC具备了上下文自动NDEF消息传递服务。最终用户只需简单地“点击”标签，便可动态生成相应的响应
2023-09-13 06:33:45
DMP2066UFDE 产品简介DIODES 的 DMP2066UFDE 这款新一代 20V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能
2023-09-12 11:17:11
DMP2035UVT产品简介DIODES 的 DMP2035UVT 这款新一代 20V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能。该设备非常适合
2023-09-12 10:24:46
DMP2002UPS产品简介DIODES 的 DMP2002UPS 这款新一代 P 沟道增强型 MOSFET 是旨在最大限度地减少 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能表现。该器件非常适合
2023-09-11 16:41:44
DMP10H400SK3产品简介DIODES 的 DMP10H400SK3 这款新一代 100V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能。该器件
2023-09-11 12:45:53
DMP1045U产品简介DIODES 的 DMP1045U 这款新一代 12V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合便携式
2023-09-11 11:35:00
n沟道增强型绝缘栅场效应管 n沟道增强型绝缘栅场效应管，又称nMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），是一种非常
2023-09-02 10:05:251531 HC89F3XX1B系列是芯圣电子推出的增强型8位触摸单片机，内置增强型8051内核拥有最大32K的ROM、256Bytes的IRAM以及1K的XRAM；HC89F3XX1B系列拥有丰富的外设资源
2023-08-03 11:03:56432 
HC89F3XX1系列是芯圣电子推出的增强型8位触摸单片机，内置增强型8051内核，拥有最大32K的ROM、256Bytes的IRAM以及1K的XRAM；HC89F3XX1系列拥有丰富的外设资源
2023-08-03 10:49:47435 
电子发烧友网站提供《ATF-541M4低噪声增强模式伪HEMT微型无引线封装产品简介.pdf》资料免费下载
2023-07-20 10:17:430 点击上方 “泰克科技” 关注我们！ （本文转载自公众号： 功率器件显微镜 ，分享给大家交流学习） GaN HEMT功率器件实测及其测试注意事项。氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表，具有极快的开关
2023-07-17 18:45:02711 
在这篇文章中，我们将讨论一种增强型变压器电源电路设计，该电路设计由一个稳定和稳压良好的直流级以及一个通过外部脉冲工作的继电器驱动器级组成。
2023-07-12 14:33:14275 
。 以下是本周新品情报，请及时查收： 第三代MEMS技术 STMicroelectronics LIS2DUX12和LIS2DUXS12 AI增强型智能加速度计 贸泽电子即日起
2023-07-12 08:10:08449 
DMN2075UDW 产品简介DIODES 的 DMN2075UDW 这款新一代 20V N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能。该器件
2023-07-02 11:30:46
DMN2015UFDF 产品简介DIODES 的DMN2015UFDF这款新一代 20V N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能。该器件
2023-06-30 16:25:18
DMN2015UFDE 产品简介DIODES 的DMN2015UFDE这款新一代 20V N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能。该器件
2023-06-30 16:13:40
DMN2013UFDE产品简介DIODES 的DMN2013UFDE 这款新一代 20V N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合
2023-06-30 15:30:05
DMN10H170SK3 产品简介DIODES 的 DMN10H170SK3这款新一代 100V N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能
2023-06-29 15:10:47
MOSFET可进一步分为耗尽型和增强型。这两种类型都定义了MOSFET的基本工作模式，而术语MOSFET本身是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。
2023-06-28 18:17:137748 
HY1908D/U/V N沟道增强型MOSFET规格书免费下载。
2023-06-14 17:04:041 最重要的器件之一，在功率器件和射频器件领域拥有广泛的应用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等异质衬底上通过金属有机气象外延(MOCVD)进行外延制备。由于异质
2023-06-14 14:00:551652 
HC89F3XX1系列是芯圣电子推出的增强型8位触摸单片机，内置增强型 8051 内核，拥有最大32K的ROM、256Bytes的IRAM以及1K的XRAM。
2023-06-01 16:39:56227 
应用领域：
增强型1T 8051，16KB Flash，最快48MHz外设运行，双运放，双比较器，PGA，数字功能自由映射。 CMS8S69xx系列MCU具有丰富的模拟外设，可简化产品外围电路，被
2023-05-18 09:26:34
应用领域： CMS80F231x系列MCU，增强型1T 8051 Flash MCU，最快支持48MHz外设运行，24MHz内核运行，被广泛应用于物联网智能家居、新能源、医疗电子、小家电、电机
2023-05-11 11:10:28268 MS80F751x系列MCU是增强型1T 8051 Flash MCU，最快支持48MHz外设运行，24MHz内核运行，工作电压2.1V-5.5V，GPIO最多可达30个，内置LCD/LED驱动模块
2023-05-06 09:28:45
GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率，得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG）。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本结构。
2023-04-29 16:50:00793 
初步用户手册 带 32 位 RISC CPU 内核的 ERTEC 400 增强型实时以太网控制器用户手册
2023-04-28 20:12:090 HEMT D 型放大器，适用于 2.0 - 2.4 GHz 频率运行。该器件支持脉冲操作，输出功率水平为 450 W (56.6 dBm)，采用空气腔热增强型封
2023-04-23 14:19:48
对于N沟道增强型MOS管而言，为何漏源电压增大到一定反型层会消失？此时栅极和衬底间不是仍然有一个正压吗
2023-03-31 15:31:55
互补对增强型MOSFET
2023-03-28 18:20:06
N沟道增强型MOSFET
2023-03-28 18:19:14
N沟道增强型功率MOSFET
2023-03-28 16:50:12
8 位增强型 USB 单片机
2023-03-28 15:16:01
N沟道增强型功率MOSFET
2023-03-28 15:14:32
P沟道增强型功率MOSFET
2023-03-28 15:08:36
N沟道增强型功率MOSFET
2023-03-28 15:05:48
P沟道增强型MOSFET
2023-03-28 14:59:18
N沟道增强型功率MOSFET
2023-03-28 14:31:42
N沟道增强型MOSFET
2023-03-28 12:54:29
P沟道增强型MOSFET
2023-03-28 12:54:28
N沟道增强型MOSFET
2023-03-28 12:54:17
P沟道增强型功率MOSFET
2023-03-28 12:45:09
P沟道增强型功率MOSFET
2023-03-28 12:44:45
P沟道增强型功率MOSFET
2023-03-27 11:56:57
N沟道增强型功率MOSFET
2023-03-27 11:56:57
N沟道增强型功率MOSFET
2023-03-27 11:56:57
N沟道增强型功率MOSFET
2023-03-27 11:14:09
N沟道增强型功率MOSFET
2023-03-27 11:14:09
N沟道增强型功率MOSFET
2023-03-24 15:12:54
N沟道增强型功率MOSFET
2023-03-24 15:12:53
P沟道增强型MOSFET
2023-03-24 14:48:36
N沟道增强型功率MOSFET
2023-03-24 14:48:16
P沟道增强型MOSFET
2023-03-24 14:45:49
增强型I/O型8位OTP MCU
2023-03-24 13:36:59
2.4寸增强型串口HMI屏
2023-03-24 13:35:50
2.8寸增强型串口HMI屏
2023-03-24 13:35:50
3.2寸增强型串口HMI屏
2023-03-24 13:35:50
3.5寸增强型串口HMI屏
2023-03-24 13:35:50
N沟道增强型MOSFET
2023-03-24 10:04:33
电子发烧友App
工商网监
湘ICP备 2023018690 号
评论