MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固态硬盘（SSD）可延长寿命
2024-03-18 10:24:36
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MR25H256 MRAM 存储器 mikroBUS™ Click™ 平台评估扩展板
2024-03-14 22:03:11
什么是固态电容 固态电容的作用以及优点 固态电容与电解电容的区别 固态电容，也被称为固体电容器或超级电容器，是一种具有非常高能量和功率密度的电容器。与传统的电解电容器相比，固态电容具有更大的容量
2024-03-05 17:29:04259 晶体三极管的结构和作用以及工作原理 晶体三极管是一种半导体器件，广泛应用于电子电路中。它由三个区域构成，分别是一个N型半导体区域（称为发射区或发射极）、一个P型半导体区域（称为基区或基极）和再一
2024-03-05 16:47:39183 瑞萨日前宣布，公司已基于STT-MRAM的电路技术开发出具有快速读写能力的测试芯片。该MCU 测试芯片采用 22 纳米工艺制造，包括一个 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存储单元阵列。
2024-03-05 10:05:46194 
我们知道，自上个世纪90年代以来，WDM波分复用技术已被用于数百甚至数千公里的长距离光纤链路。对大多数国家地区而言，光纤基础设施是其最昂贵的资产，而收发器组件的成本则相对较低。
2024-02-21 09:34:20300 
晶振（Crystal Oscillator）是一种用于产生稳定频率的电子元件，主要应用在数字电路、通信设备、计算机等各种电子产品中。晶振通常由DAC8043AFSZ晶体谐振器和放大器组成，能够根据晶体的晶格结构和厚度，精确地产生固定频率的振荡信号。
2024-02-20 14:40:4678 MRAM是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。
2024-02-19 11:32:41367 
台积电近日宣布，与工研院合作开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，该芯片具有极低的功耗，仅为其他类似技术的1%。这一创新技术为次世代存储器领域带来了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 MRAM的基本结构是磁性隧道结，研发难度高，目前主要分为两大类：传统MRAM和STT-MRAM，前者以磁场驱动，后者则采用自旋极化电流驱动。
2024-01-22 10:50:50123 
据报道，全球领先的半导体制造公司台积电在次世代MRAM存储器相关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，并搭配创新的运算架构，使其功耗仅为其他类似技术的1%。
2024-01-19 14:35:126646 台积电在MRAM技术方面已经取得了显著进展，成功研发了22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线，并积累了大量内存和车用市场订单。
2024-01-18 16:44:044838 鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用对更高效率、稳定性和更低功耗的内存的需求愈发紧迫，如磁阻式随机存取内存（MRAM）这样的新一代内存技术已成为众多厂商争相研发的重点。
2024-01-18 14:44:00838 MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。
2024-01-09 14:24:03208 
MRAM是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。
2024-01-09 11:15:26200 
最近，Imec公布的超大规模自旋轨道转移MRAM (SOT-MRAM) 器件已实现创纪录的性能，每比特开关能量低于100飞焦耳，耐用性超过10的15次方。
2024-01-05 11:47:18428 
晶振的负载电容和等效电阻的概念、作用以及计算方法 晶振（也称为晶体振荡器）是电子产品中常用的一种振荡源，它能够提供稳定频率的信号，用于各种计时和时序控制应用。晶振的正常工作需要合适的负载电容和等效
2024-01-03 15:47:35385 型号: STT5PF20V-VB丝印: VB8338品牌: VBsemi参数:- 封装: SOT23-6- 沟道类型: P-Channel- 最大电压(Vds): -30V- 最大电流(Id
2024-01-03 11:35:45
“与MRAM相比，ReRAM有两个主要优势——工艺简单和更宽的读取窗口，”的内存技术专家Jongsin Yun说西门子EDA。“MRAM需要10层以上的堆叠，所有这些都需要非常精确地控制，才能形成匹配的晶体蛋白。
2023-11-22 17:16:15297 
目前三星仍然是全球专利第一，2002年三星宣布研发MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年间，三星对MRAM的研发一直不温不火，成本和工艺的限制，让三星的MRAM研发逐渐走向低调。
2023-11-22 14:43:53213 
变压器的作用以及其在改变相位方面的应用 变压器是一种能够改变交流电电压大小的电气设备，其中主要包括互感器和绕组，在电力系统中具有极其重要的作用。变压器主要用于电网输电、配电和功率变换等环节，同时
2023-11-20 14:44:12500 STT2408A50 可控硅规格书参数资料下载。
2023-11-15 14:44:11
0 DRAM有多种类型可供选择。有些速度非常快，如HBM，但也很昂贵。其他类型速度较慢，但价格便宜，如基本的DDR DIMM。然而，变化的是，在异构架构中，两者都可以发挥重要作用，以及多种其他DRAM类型和更狭义的存储器，如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13243 
随着相变存储器 (PCM)、STT-MRAM、忆阻器和英特尔的 3D-XPoint 等技术的快速发展，高速的、可字节寻址的新兴 NVM 的产品逐渐涌现于市场中
2023-11-14 09:28:10418 
2023年，工商业储能引起业界广泛关注，更被称之为“工商业储能元年”。伴随着市场需求的爆发，众多企业开始了在工商业储能产品的布局，新品逐一亮相，在众多入局企业当中，有一股趋势不容忽视——即光伏德业逆变器龙头。凭借在分布式光伏市场的客户积累，光伏逆变器龙头在工商业储能似乎更加游刃有余，得心应手。 随着现代科技的进步，Deye逆变器的出现为大家的生活提供了不小的便利，逆变器是把直流电能（电池、蓄电瓶）转变成交流电（
2023-10-30 16:50:08515 
磁环的基本概念、功能、应用以及未来的发展趋势 磁环是一种主要用于储存磁性信息的介质，由一条闭合的磁性材料组成。这种材料可以是硅钢、铁氧体、钴铁、铁硼等。磁环内部被分成多个小的磁性区域，每个区域分别
2023-10-25 15:42:55684 探讨变压器的作用以及其在改变相位方面的应用 变压器是一种基本的电力设备，可以将交流电的电压从一种电压等级转换到另一种电压等级。变压器由两部分组成，一部分是主线圈，另一部分是副线圈，二者之间通过
2023-10-18 16:59:23443 在当前我们比较熟悉的存储产品就是DRAM和NAND，DRAM和NAND也一直在寻求高带宽和低功耗的发展。
2023-10-07 10:18:221688 
微波效应中的作用以及大约20000篇关于微波生物效应的论文表明，目前的国际安全标准并不能预测生物危害。这些标准是基于一种错误的假设，即微波和其他低频EMF暴露的主要影响是由于加热。据报道，微波暴露
2023-09-26 07:23:25
亘存科技成立于2019年，是一家以mram技术为中心，致力于设计、开发和销售相关产品的Fabless企业。总公司设在深圳，在上海、苏州等地设有r&d中心和支持团队。
2023-09-20 10:27:21660 。
MA8601采用单事务转换器（STT）和Ganged电源管理来实现经济高效的解决方案。用户还可以通过外部
EEPROM*。
MA8601支持针对主流独立4端口集线器的SSOP28/SOP16包集市
2023-09-19 06:50:19
看完了前面的系列，对于Stageable、StageableKey是如何起作用的应该有一定的了解。今天再来看下Stage中关于terminal的作用
2023-09-02 14:15:32665 作为一种磁性技术，MRAM本质上是抗辐射的。这使得独立版本在航空航天应用中很受欢迎，而且这些应用对价格的敏感度也较低。它相对较大，在内存领域，尺寸意味着成本。
2023-08-30 15:28:50407 Netsol的MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要使用最少数量的引脚来快速存储、检索数据和程序的应用程序而言，是最为理想的存储器。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 MRAM在数据记录应用中，数据记录是如下持续、反复地将重要数据保存于设备的过程。可以记录系统内外部发生的事件；使用历史；环境参数 ；机器状态；用于分析目的的其他数据。因需要持续、反复地保存数据，内存需要快速的写入速度与高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 Everspin型号MR0A16A容量为1Mbit的MRAM存储芯片，组织为16位的65536个字。提供与SRAM兼容的35ns读/写时序，续航时间无限制。数据在20年以上的时间内始终是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 为了进行性能比较，使用了三种不同的存储芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR闪存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND闪存。
2023-05-31 17:14:24788 
：STT703I
我们的开发板不使用 SN65DSI83 mipi 到 lvds 转换器。i.MX8M-mini mipi dsi 直接连接到 STT703I 显示控制器。
我们希望了解 uboot 源文件
2023-05-31 09:01:30
恩智浦和台积电联合开发采用台积电16纳米FinFET技术的嵌入式MRAM IP 借助MRAM，汽车厂商可以更高效地推出新功能，加速OTA升级，消除量产瓶颈 恩智浦计划于2025年初推出采用该技术
2023-05-26 20:15:02396 MRAM是一种新型的非易失性存储器技术，与传统的存储器技术相比，MRAM具有更快的读写速度、更低的功耗、更高的可靠性和更长的寿命。
2023-05-23 17:34:15395 其数据始终是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的续航特性，它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。
2023-05-12 16:31:39268 S3A1604是一种NETSOL MRAM存储芯片。具有SPI总线接口、XIP(就地执行)性能和基于硬件/软件的数据保护系统。可以取代具有相同功能和非易失性的闪存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允许带宽扩展选项。
2023-04-27 17:33:44420 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462542 我想将 iMX RT1024 连接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 数据表声明它与 SRAM 接口兼容但是，通过比较 MR5A16A 数据表和 iMX RT1024 参考手册
2023-04-17 07:52:33
"HongKe&SADELABS"虹科与SADLABS正式合作！虹科与SADELABS正式合作，致力于提供冷链监控和室内跟踪应用以及智能解决的物联网方案！Part.01
2023-04-13 11:04:54216 
虹科与SADELABS正式合作，致力于提供冷链监控和室内跟踪应用以及智能解决的物联网方案！
2023-04-11 15:52:15316 
STT-MRAM它具有SPl总线接口、XIP（就地执行）功能和基于硬件/软件的数据保护机制。SPl（串行外围接口）是一个带有命令、地址和数据信号的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样
2023-04-07 16:41:05
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在较慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上运行，但还允许系统设计人员利用MRAM的四倍随机存取周期时间。Everspin
2023-04-07 16:26:28
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
2023-04-06 18:38:17
IC DVR LOW SIDE SOT-223-4
2023-04-06 18:38:17
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
2023-04-06 18:38:17
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
2023-04-06 18:38:09
BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
2023-04-06 18:38:04
BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
2023-04-06 18:38:01
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
2023-04-06 18:37:01
IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN
2023-04-06 16:00:29
SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS
2023-04-06 11:21:52
MRAM磁性随机存储器 2.7V~3.6V 256Mb
2023-04-06 11:14:58
MRAM磁性随机存储器 UDFN8_2X3MM_EP VCC=1.8V~5.5V
2023-04-06 11:13:38
IC MOTOR DRIVER 5V-34V SOT223
2023-04-06 10:21:50
电机驱动器及控制器 VD=5V~34V PD=1.19W
2023-04-06 10:21:43
DIPSOCKETS
2023-04-04 21:24:50
CONN IC DIP SOCKET 32POS TIN
2023-04-04 21:24:44
DIPSOCKETS
2023-04-04 21:24:36
DIPSOCKETS
2023-04-04 21:24:29
DIPSOCKETS
2023-04-04 21:24:20
DIPSOCKETS
2023-04-04 21:24:15
CONN IC DIP SOCKET 14POS TIN
2023-04-04 21:24:11
IC MRAM 1MBIT 35NS 32SOIC
2023-04-04 20:35:38
IC MRAM 256KBIT 35NS 32SOIC
2023-04-04 20:35:38
L6520, STT13005D - Lighting, Ballast Control Evaluation Board
2023-03-30 11:45:44
PLIERSCOMBOFLATNOSE9.38"
2023-03-29 21:01:11
PGR-6200 TUTORIAL SOFTWARE
2023-03-29 20:07:30
SCR 1.5A 50V SOT-223
2023-03-29 18:34:38
SCR 1.5A 400V SOT-223
2023-03-29 18:34:30
SCR 600V 1.5A Sensitive Gate Surface Mount SOT-223
2023-03-29 18:33:48
在PLC(可编程逻辑控制器)产品中，MRAM芯片的应用也日渐普及，本文将介绍MRAM芯片应用于PLC产品上的特性。--代理商：吉芯泽科技
2023-03-29 16:31:221169 
TRANS NPN 400V 2A SOT-32FP
2023-03-29 15:59:00
TRANS NPN 400V 2A SOT-32
2023-03-29 15:55:38
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4
2023-03-29 11:43:24
MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6
2023-03-29 10:55:04
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
2023-03-29 10:02:08
MOSFET N-CH 20V SOT23-6
2023-03-29 10:01:58
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
2023-03-29 09:56:40
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-6
2023-03-28 22:30:50
MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6
2023-03-28 22:18:08
FET LOW SIDE DRIVER
2023-03-27 12:54:48
CONN IC DIP SOCKET 8POS TIN
2023-03-23 03:37:40
电子发烧友App
工商网监
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