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ISSI具有纠错功能的Async SRAM

2020年05月28日 14:54 次阅读

近年来,对精密半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车,通信和数字消费,工业及医疗市场。这些产品需要增加内存容量,以帮助处理大量数据。ISSI为汽车,通信,数字消费者以及工业和医疗提供了高速低功耗SRAM和中低密度DRAM
 
IS61/64WVxxxxxEDBLL系列是具有纠错(ECC)功能的异步静态随机存储器(Async SRAM),该器件内置独立的ECC单元,极大程度提升了数据的完整性;同时得益于先进的设计理念及65nm的制程工艺,期耗、读写速度均处于业界领先水平。

 
产品主要特性:
●每-字节都带有独立的纠错单元; .
●纠错单元可以侦测到数据错误,組为悔一字节纠正- 比特的错误,大幅度降低SER,提升可靠性;
●可直接替代现有的无ECC功能的标准SRAM器件,客户不必更改原有的电路板设计即可使用以提高系统可靠性。
●最快存取时间可达到8ns
●温度范围可达-40°C到+125C

带有ECC纠错功能的异步SRAM可以在芯片内部侦测并纠正数据错误,最大限度地提高了数据的可靠性。相较于传统ECC电路设计方法,该器件所有校验及纠错动作在片内完成,无需另外的错误校正芯片,从而简化.了硬件线路及软件算法设计,同时节省电路板空间。该器件可满足不同应用对数据完整性的严苛要求,广泛适用于汽车,医疗,工控及通讯领域。
 
 
ISSI代理商高速异步SRAM 

型号 容量 位宽 电压 速度 封装
IS64WV51216EDBLL 8Mb 512Kx16 2.4-3.6V 10 TSOP2(44),BGA(48)
IS61WV10248EDBLL 8Mb 1Mx8 2.4-3.6V 8,10,20 TSOP2(44),BGA(48)
IS61WV51216ALL/BLL 8Mb 512Kx16 1.65-3.6V 8,10,20 TSOP2(44),BGA(48)
IS61WV51216EDALL/BLL 8Mb 512Kx16 1.65-3.6V 8,10,20 TSOP2(44),BGA(48)
IS61WV25632ALL/BLL 8Mb 256Kx32 1.65-3.6V 8,10,20 BGA(90)
IS61WV10248ALL/BLL 8Mb 1Mx8 1.65-3.6V 8,10,20 TSOP2(44),BGA(48)

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