通过多级存储器的设计，存储器层次结构能够在存储容量和访问速度之间找到一个平衡点。高速缓存存储器和主存储器提供了快速的访问速度，而辅助存储器则提供了大量的存储空间。
2024-02-19 13:54:42
121 
Flash存储器的写操作具有特殊性，它只能将数据位从1写成0，而不能从0写成1。因此，在对存储器进行写入操作之前，必须先执行擦除操作，将预写入的数据位初始化为1。
2024-02-19 11:37:28536 
DRAM（动态随机存取存储器）存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷，而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。
2024-02-19 10:56:36264 
SRAM 中的每个存储单元由多个触发器构成。每个触发器可以存储一个位的数据，并在电源供电时一直保持该状态，不需要刷新操作。
2024-02-05 09:31:57950 1) 允许一个物理内存（即 XRAM) 可同时作为程序存储器和数据存储器进行访问
如何使用 SCR XRAM 作为程序存储器和数据存储器。
1) 用于存储 scr 程序的程序存储器
2) 用于在 tricore 和 scr 之间交换数据的数据存储器。
2024-01-30 08:18:12
更改的。 数据可靠性：只读存储器的数据是在生产过程中进行编程的，因此具有很高的可靠性。与可擦写存储器（如闪存）相比，ROM具有更低的故障率，并且不容易受到病毒或错误操作的影响。 高速读取：由于只读存储器中的数据是固定的，无需进行写
2024-01-17 14:17:39290 ADuCM360/1是否支持存储器到存储器DMA传输？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存储器），又称为SRAM（Static Random Access Memory，静态随机访问存储器）；另一种是Non-volatile RAM（非易失性存储器），又称
2024-01-12 17:27:15513 人工智能芯片通常使用 SRAM 存储器作为缓冲器（buffers），其可靠性和速度有助于实现高性能。
2024-01-03 17:16:041432 
ROM：Read-Only Memory，只读存储器。
2023-12-19 09:03:01781 SRAM (Static Random Access Memory)是一种高速、随机访问的存储器，它以其快速的读写操作和不需要刷新的特点而受到广泛使用。本文将详细介绍SRAM的读写电路设计
2023-12-18 11:22:39496 SRAM是采用CMOS工艺的内存。自CMOS发展早期以来，SRAM一直是开发和转移到任何新式CMOS工艺制造的技术驱动力。
2023-12-06 11:15:31635 在数字电子设备中，存储器是至关重要的部分。它负责存储和检索数据，以支持各种计算和数据处理任务。在存储器市场中，有两种主要的类型：随机访问存储器 ( RAM ) 和只读存储器 ( ROM )。尽管都是存储器，但它们之间存在一些关键区别。
2023-12-05 15:46:17732 
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
20世纪70 年代到 90年代中期，动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是异步接口，这样它可以随时响应控制输入信号的变化从而直接影响
2023-11-17 09:26:27378 ，VM）两大类。例如，人们熟知的闪速存储器 ( Flash Memory，简称 Flash）就属于 NVM，静态随机存取存储器 (Static Random Access Memory， SRAM）和动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)则属于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 后存储内容会丢失的存储器称作易失存储器（Volatile Memory），存储内容不会丢失的存储器称作非易失存储器（Non-Volatile Memory）。 半导体存储器分类 1、按功能分为 （1）随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随
2023-11-15 10:20:01731 
SRAM 的数量是任何人工智能处理解决方案的关键要素，它的数量在很大程度上取决于您是在谈论数据中心还是设备，或者是训练还是推理。但我想不出有哪些应用程序在处理元件旁边没有至少大量的 SRAM，用于运行人工智能训练或推理。
2023-11-12 10:05:05452 单片机的存储器主要有几个物理存储空间
2023-11-01 06:22:38
单片机的存储器从物理上可划分为4个存储空间，其存储器的空间范围是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有谁知道AT89C52怎么选择外部存储器，我之前用的是P89V51，选择外部存储器是定义AUXR=0x02;，但是现在想用AT89C52单片了，程序该怎么改了啊？？AT89C52手册上找不到怎么选择外部存储器说明，各位高手有谁知道啊 ？
2023-10-26 06:11:25
AT32 SPIM Application Note描述了怎么使用AT32 MCU的SPIM作为外部存储器的扩展功能。
2023-10-24 08:03:56
mcs-8051单片机的程序存储器是多少
2023-10-18 07:33:36
存储领域发展至今，已有很多不同种类的存储器产品。下面给大家介绍几款常见的存储器及其应用。
2023-10-17 15:45:50521 
内存地址空间是否一定大于所有物理存储器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存储器测试问题怎么才能稳定
2023-10-17 06:51:11
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
如何检测24c存储器容量
2023-09-25 06:48:32
在SoC中，存储器是决定性能的另一个重要因素。不同的SoC设计中，根据实际需要采用不同的存储器类型和大小。
2023-09-18 16:22:19325 
存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器两类，前者在掉电后会失去记忆的数据，后者即使在切断电源也可以保持数据。易失性存储器又可分为 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
系统架构
多层AHB总线矩阵
存储空间
存储器映射
片上SRAM
位带操作
片上闪存
自适应闪存加速器（STM32F2新增）
启动模式
代码空间的动态重映射（STM32F2新增）
内嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
存储器是计算机中的重要组成部分，用于存储程序、数据和控制信息等。根据存储信息的介质和访问方式的不同，存储器可以分为随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）和硬盘存储器等几类。本文将介绍存储器的工作原理、分类及结构。
2023-09-09 16:18:272105 STM32 F7 概述• STM32总线架构和存储器映射• 总线架构• 存储器映射• Cache• STM32F7性能• Boot模式• 片上闪存(Flash)• 系统配置控制器(SYSCFG)• 复位和时钟控制(RCC)• 电源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根据专利要点，提供本申请的一种存储器是检测方法及存储半导体相关技术领域中存储单位与上线之间漏电测定的复杂技术问题，该存储器的检测方法如下：选通字线，通过位线在所有存储单元中写设定存储。
2023-09-07 14:27:24523 
库的慢-慢工艺点对块进行合成，以200 MHz的目标速度确认时序特性。
接口存储器端口上的信号符合RAM编译器为TSMC CL013G工艺技术生产的单端口同步存储器组件所要求的时序要求
2023-08-21 06:55:33
存储器子系统的主要功能是在云计算和人工智能 (AI)、汽车和移动等广泛应用中尽可能快速可靠地为主机（CPU 或 GPU）提供必要的数据或指令。片上系统 (SoC) 设计人员可以选择多种类型的存储器
2023-08-17 09:54:20414 
AHB MC是一种符合高级微控制器总线体系结构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备。它由ARM有限公司开发、测试和许可。
AHB MC利用了新开发的动态存储器控制器（DMC）和静态存储器控制器
2023-08-02 14:51:44
AHB MC是一种符合高级微控制器总线体系结构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备。它由ARM有限公司开发、测试和许可。
AHB MC利用了新开发的静态存储器控制器（SMC）。AHB MC有一个
2023-08-02 07:14:25
AHB MC是一种符合高级微控制器总线体系结构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备。它由ARM有限公司开发、测试和许可。
AHB MC利用了新开发的动态存储器控制器（DMC）和静态存储器控制器
2023-08-02 06:26:35
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存储器是一种易失性存储器，意味着当断电时，存储在其中的信息会丢失。这是因为DRAM使用电容来存储数据，电容需要持续地充电来保持数据的有效性。一旦断电，电容会迅速失去电荷，导致存储的数据丢失。
2023-07-28 15:02:032204 本次操作的SRAM的型号是IS62WV51216，是高速，8M位静态SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技术，按照512K个字（16）位进行组织存储单元。
2023-07-22 14:58:561092 
FSMC称为灵活的静态存储器，它能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡连接，STM32F4的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存储器。
2023-07-22 14:46:531961 
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 17:01:58
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 11:31:16
何谓半导体存储器？ 半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制，使其具备数据存储保持功能的半导体电路装置。 与磁盘和光盘装置等相比，具有 数据读写快 存储密度高 耗电量少 耐震 等特点。 关闭电源
2023-07-12 17:01:131098 
铁电存储器(FRAM)具有非易失性，读写速度快，没有写等待时间等优势，能够像RAM一样操作，低功耗，擦写使用寿命长，芯片的擦写次数为100万次，比一般的E2PROM存储器高10倍。特别适合在为工业
2023-06-29 09:39:03382 ，非易失性存储器在计算机关闭后存储数据仍保留在计算机中。易失性存储器的主要特征是它们需要电源来维持其存储状态。主要分为两种类型：静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。 1963年，Fairchild发明了SRAM。作为即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 PLC系统中的存储器主要用于存放系统程序、用户程序和工作状态数据。PLC的存储器包括系统存储器和用户存储器。
2023-06-26 14:02:453775 静态随机存储器(SRAM: Static Random Access Memory) 和动态随机存储器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
I/O寄存器、程序ROM、数据闪存和外部存储器区域。 图16. RA6M3存储器映射 8.1 SRAM RA6 MCU提供带
2023-06-21 12:15:03421 
************************************************* *************************************
* 详细说明：
* 这个例子的目的是展示如何保存数据在 SRAM 存储器中通过
2023-06-05 09:47:48
存储器是集成电路领域的通用器件，其市场用量巨大，从类型上分为 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251 
主存储器的主要技术指标
* **存储容量**
存储器可以容纳的二进制信息量（寻址空间，由CPU的地址线决定）
* **实际存储容量：** 在计算机系统中具体配置了多少内存。
* **存取速度：** 存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间，也称为读写周期；
2023-05-26 11:28:10822 
磁表面存储器——磁表面存储器，它们都是利用涂敷在载体表面薄层磁性材料来记录信息的，载体和表面磁性材料统称为记录介质。
存储密度——磁表面存储器单位长度或单位面积磁层表面所能存储的二进制信息量
2023-05-26 11:27:061409 ，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
SRAM：
SRAM利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。
3.产品应用
2023-05-19 15:59:37
铁电存储器硬件接线图传统的数据存储器，读写速度较慢，存储单元反复擦写后容易损坏，无法满足机舱油气浓度数据存储的要求，故此，国产铁电存储器可快速读写，擦写次数可达1E6 次读/写操作*1，是本方案最理想的选择。
2023-05-18 12:39:21137 
单片机的程序存储器和数据存储器共处同一地址空间为什么不会发生总线冲突呢？
2023-05-10 15:17:56
80C51单片机中存储器是RAM和ROM分开编址的吗？求解答
2023-05-09 16:04:22
EMI Serial SRAM是为串行接口的SRAM，外扩SRAM可以通过使用SPI的接口来将外部RAM添加到几乎所有应用中。串行访问的静态随机存取存储器采用先进的CMOS技术进行设计和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
通过quad SPI接口选择FLASH存储器与RT1172一起使用时，应该将其设置为Buffer Read模式还是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
关于DMA，具有三种数据传输方式：存储器到存储器、存储器到外设、外设到存储器。在第十三章以及第二十七章，已讲解存储器到存储器传输方式以及存储器到外设传输方式，本章将讲解DMA外设到存储器传输方式。使用串口1作为外设，通过串口调试助手等向开发板发送数据，数据会被返回给开发板并通过串口调试助手显示。
2023-04-20 16:37:41
关于DMA，具有三种数据传输方式：存储器到存储器、存储器到外设、外设到存储器。前面已讲解过关于存储器到存储器数据传输方式，本章将讲解存储器到外设的传输方式以及在下一章将会讲解外设到存储器的传输方式
2023-04-20 16:35:13
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462542 51单片机外扩数据存储器最大的容量是多少？可以达到50MB吗？用的是什么芯片？
2023-04-19 16:34:36
本章教程讲解DMA存储器到存储器模式。存储器到存储器模式可以实现数据在两个内存的快速拷贝。程序中，首先定义一个静态的源数据，存放在内部 FLASH，然后使用DMA传输把源数据拷贝到目标地址上（内部SRAM），最后对比源数据和目标地址的数据，判断传输是否准确。
2023-04-17 15:28:08
寄存器是计算机硬件中最快、最小、最常用的存储器。它是CPU内部的存储器，通常作为指令和数据的存储和暂存空间。在CPU中，寄存器直接与算术逻辑单元(ALU)相连，用于存储操作数或运算结果。
2023-04-09 18:43:059369 和用于读取，写入和擦除数据的操作略有不同。而EEPROM指的是电可擦可编程只读存储器是一种存储器，可以在字节级别读取，写入和擦除数据。另一方面Flash是EEPROM的一种，在结构上以块的形式排列，在块中
2023-04-07 16:42:42
的擦除操作，而且写人时间也比闪存少几个数量级。即使是与现有存储器中性能较高的DRAM(读取1写入时间为30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦写次数超过1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
这两个存储器，从而提高性能并允许在同一个周期访问程序和数据。存储器映射中包含片上RAM、外设I/O寄存器、程序ROM、数据闪存和外部存储器区域。 图13. RA2A1存储器映射 7.1 SRAM
2023-04-06 16:45:03466 我们正在尝试将内部 ROM 闪存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的辅助存储器（而不是 EEPROM）。是否可以将 FLASH 用作辅助存储器，如果可能，我们如何使用。请指导我们实现这一目标
2023-04-04 08:16:50
存储器按存储介质特性来说，可以分为两类，一类就是易失性存储器，一类是非易失性存储器。从计算机角度上看，易失性存储器可以理解为内存，而非易性存储器可以理解为硬盘。
2023-03-30 14:22:431551 
你是不是经常被以下名词弄得晕头转向。ROM/RAM/DRAM/SRAM/SDRAM/DDR SDRAM等等，下面，我尽力以上图为参考，从上到下，说明各个层次存储器的特点和区别，并对它们的工作原理做一些简要的说明
2023-03-30 10:32:39580 
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