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电子发烧友网 > 存储技术 > 业界新闻

存储技术

HBM市场火爆!美光与SK海力士今年供货已告罄

美光指出,专为AI、超级计算机设计的HBM3E预计2024年初量产,有望于2024会计年度创造数亿美元的营收。Mehrotra对分析师表示,“2024年1~12月,美光HBM预估全数售罄”。

2024-02-27 标签:gpu超级计算机美光SK海力士HBM 178

IBM积极推进Ceph扩展,以打造AI领域的底层数据存储基石

BM正着手扩展Ceph的块和文件存储功能,希望将其定位为Storage Scale并行文件系统之下面向AI工作负载的后端数据存储。

2024-02-20 标签:IBM数据存储AITCP块存储 131

首颗自研2D MLC NAND Flash!江波龙构建完整的...

首颗自研2D MLC NAND Flash!江波龙构建完整的存储芯片垂直整合能力...

2024-02-01 标签:存储芯片江波龙 157

存储市场风云再起!关键闪存芯片紧缺,SSD价格大幅上涨

对于单面设计的M.2 2280 SSD,都需要四颗闪存封装芯片,2TB、4TB这种越来越普及的容量就得用到关键的4-die、8-die封装。

2024-01-31 标签:闪存SSDemmc 239

SK海力士持续投资无锡的原因

无锡工厂是SK海力士的核心生产基地,其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前,无锡工厂正在生产两款较旧的10nm制程DRAM。

2024-01-31 标签:DRAM半导体产业存储芯片光刻机SK海力士 439

佰维存储首颗主控芯片即将量产

SK海力士表示,由于平均售价上涨,芯片价格在减产后趋于稳定,DRAM部门在连续两个季度亏损后,三季度开始扭亏为盈。

2024-01-26 标签:NANDIC设计主控芯片SK海力士佰维存储 191

SSD的涨幅将有多大?企业级SSD合同价格上涨约18%-23...

科技媒体Tom's Hardware报道,由于关键闪存芯片紧缺,SSD(固态硬盘)的价格将在本季度晚些时候“飞涨”,尤其是大容量消费级产品。

2024-01-25 标签:NANDSSD闪存芯片固态硬盘emmc 233

彰显全球影响力 | 佰维存储荣获印度“增长最快的闪存制造商品...

近日,佰维亮相印度第15届DT Awards 2023颁奖盛典,公司凭借在存储技术研发、产品竞争力以及市场服务方面的突出表现,斩获了“ 增长最快的闪存制造商品牌 ”大奖。   佰维消费级业务经理Rajesh Khurana(右)上台领奖   本次颁奖汇聚了250多位行业领袖,包括来自ICT行业垂直领域的供应商、企业高管、分销商和经销商。DT奖项(Digital Terminal)以推动ICT产业发展以及印度科技品牌的集体成长为宗旨,表彰为印度市场客户带来最佳产品的科技品牌,因其高度权

2024-01-25 标签:佰维存储 114

DRAM涨价潮:厂商减产引发需求激增,持续寻求利润改善

报导指出,因各家内存厂商减产、市场过剩情况缓解,2023年11月DRAM批发价约2年半来首度呈现扬升。各家内存厂商为了改善获利,今后将持续要求涨价。

2024-01-25 标签:DRAM存储芯片Nand flashSK海力士 126

存储芯片市场升温,DRAM价格连续两个月上涨

存储模组大厂威刚发布2023年财报数据,2023年全年合并营收达337亿新台币,同比下降3.9%。

2024-01-25 标签:DRAM存储芯片ASML存储模组 151

谈存储芯片的演进之路

从NoC的角度来看,我觉得有趣的是,你必须优化这些路径,从处理器到NoC,通过控制器访问内存接口,可能通过UCIe将一个芯片传递给另一个芯片,然后芯片中有内存。

2024-01-24 标签:控制器内存eda存储芯片UCIe 134

2024年DRAM投片量:一季度微增,下半年剧增

DRAM稼动率缓步改善,业界认为,整体DRAM投片量从2024年第1季将逐季提升,较2023年第4季小幅提升约5%左右,下半年投片量回升速度将明显加快。

2024-01-23 标签:DRAM存储芯片Nand flash 179

NAND封装短缺导致大容量SSD价格暴涨

消息人士指出,NAND封装短缺对供应链的全面影响可能需要两到三个月的时间,届时一些最好的2TB和4TB固态硬盘的价格将 "暴涨"。

2024-01-19 标签:NANDSSD固态硬盘3d nand 152

英特尔重返龙头,英伟达首次跻身前五

由于全球存储芯片需求锐减,拖累了2023年全球半导体营收萎缩11%至5330亿美元。其中,2023年全球存储芯片营收暴跌37%,DRAM暴跌38.5%至484亿美元,NAND Flash暴跌37.5%至362亿美元。

2024-01-19 标签:英特尔DRAMNand flash英伟达三星 123

半导体市场复苏趋势会在什么时候?

在本文中,我们将Mos Memory分为DRAM和NAND闪存,并尝试从各公司的价格趋势和销售(份额)趋势来预测全球市场何时完全复苏。在这个过程中,笔者想表明在存储器制造商之间,可以看到明显的盛衰。

2024-01-19 标签:DRAMNAND三星电子存储器HBM 158

国产半导体大厂宣布,Trench MOS产品线单价上调5%-...

据国内Nor代工巨头消息,其产线已经转生产CIS,Nor产能已紧张,这会不会成为Norflash涨价的前戏?

2024-01-17 标签:NANDCISDDR4NORFlashDDR5 231

LLW DRAM:AI智能手机时代的财富密码

LLW DRAM作为一种低功耗内存,拥有宽I/O、低延迟、每个模块/堆栈提供了128GB/s的带宽,与一个128位DDR5-8000内存子系统的带宽相同。

2024-01-17 标签:智能手机DRAM片上系统AI三星 186

AI算力驱动:HBM成为行业新宠

HBM(High Bandwidth Memory,高频宽存储器)是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,通俗来讲,就是先将很多DDR芯片堆叠在一起后,再与GPU封装在一块。

2024-01-17 标签:DRAM存储器AIHBM算力 156

康芯威亮相CES 2024 多元化存储解决方案大放异彩

当地时间2024年1月12日,CES (国际消费类电子产品展)在美国拉斯维加斯完美谢幕,为期4天的科技盛宴吸引了全球4000余家科技企业参展,中国企业在其中的占比也逐年递增。 作为科技行业的“风向标”,本届CES的展品覆盖消费电子、AI、元宇宙、5G、汽车电子等数十个细分领域,让观众全面洞悉未来科技发展新貌。其中5G、AI、云计算等技术快速发展,也使得如今对存储产品的需求不可同日而语,也给存储产业带来更大的发展机遇,亦是我国加速建设本土

2024-01-16 标签:康芯威 163

SK海力士:挑战美国限制,推进中国半导体技术升级

无锡工厂是SK海力士的核心生产基地,其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前,无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。

2024-01-16 标签:DRAM半导体制造SK海力士 131

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