英飞凌推出新型 IGBT，将总功耗降至最低水平

　　德国慕尼黑 – 2015年2月6日 – 英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/ OTCQX：IFNNY）近日推出新型低饱和压降VCE（sat） IGBT。此类IGBT 专门针对 50Hz 至20kHz 的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源 （UPS） 以及光伏逆变器和逆变焊机中。新 L5 系列基于 TRENCHSTOP™5 薄晶片技术，使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。

　　凭借 25°C时典型饱和压降 （VCE（sat）） 为1.05 V的傲人成绩，此类新型 IGBT成功地将效率水平提升到一个新的高度 —— 用 L5 系列代替它的前辈 TRENCHSTOP IGBT，使效率在NPC1拓扑中提升高达 0.1％，在 NPC 2 拓扑中提升 0.3％。再加上VCE（sat）的温度系数为正，保持高效率的同时还能直接并联——树立了20kHz 以下频率的IGBT的行业标杆。铸造新 L5系列灵魂的 TRENCHSTOP5技术，不但能提供无与伦比的低传导损耗，还能将25℃时的总开关损耗降至1.6 mJ。综上所述，在低开关频率应用场合使用英飞凌新推出的低饱和压降 IGBT 能提升效率，增加可靠性并且缩小系统的尺寸。

　　第一波面世的新L5 IGBT系列采用业界标准的TO-2473针封装技术。此外，为了满足需要进一步增强效率的应用场合，英飞凌还提供 TO-247 4针开尔文-发射极封装版（Kelvin-Emitter package）的 L5 IGBT。与标准的 TO-247 3针封装版相比，TO-247 4针封装版的开关损耗减少了 20％。因此，L5与TO-247 4针封装的结合，不但创造了终极版低传导能耗和低开关损耗成绩，还帮助英飞凌巩固了在为高功率市场提供高度创新并且与众不同的产品方面的领先地位。

　　配置规格

　　新型低饱和压降L5系列有30A和75A两种规格，一种是单IGBT形式，另一种则合装有英飞凌的超快Rapid 1和Rapid 2硅二极管。TO-247 4针开尔文-发射极封装版有75A规格。

　　关于英飞凌

　　英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司，致力于通过产品和系统方案为现代社会解决三大重要挑战：高能效、移动性和安全性。2014 财年（截止 9 月 30 日），公司的销售额达 43 亿欧元，在全球范围内拥有约 29，800 名员工。2015年1月，英飞凌收购美国国际整流器公司，该公司是电源管理技术行业的领先供应商，年收入达 11 亿美元（2014 财年，该财年于 6 月 29 日结束），约 4，200 名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。

　　英飞凌在中国

　　英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国市场。自1996年在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约1700多名员工，已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。