式电源 (SMPS)。 首批上市的两款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。两款产品的单位面积导通电阻(RDS(on))都非常低，可以极大程度提高功率密度
2022-05-19 10:50:42
1844 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 日前发布的器件在小型封装内含有高性能n沟道沟槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。稳压器静态工作电流低，峰值效率达98 %，减少功率损耗。
2021-03-24 16:58:211425 高等特点，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。 SiC MOSFET在开发与应用方面，实现了传统型半导体（Si）实现不了的低损耗，包括提高效率、提升功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本
2020-09-24 16:23:17
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
日益增长的需求，适于使用自动化表面贴装生产线。要求最大功率密度和能效的典型应用包括太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电池充电和蓄电等。 英飞凌的超薄TRENCHSTOP 5技术可以缩小芯片尺寸、提高
2018-10-23 16:21:49
项目需求一个80V的电压功率放大器，要求如下：1)、输入信号：0～1V （60kHz,方波）2)、输出信号：0～80V（
2017-11-09 19:18:24
产品概述： ZCC2480是一款内部集成有功率MOSFET管的降压型开关稳压器。以电流模式控制方式达到快速 环路响应并提高环路的稳定性。宽范围输入电压（4.5 V至80V）提供最大1.5A电流
2020-06-15 13:58:44
ROHM推出内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型DC/DC转换器IC的业界最高水平，在ROHM的DC/DC转换器
2018-12-05 10:07:06
产品概述： ZCC2480是一款内部集成有功率MOSFET管的降压型开关稳压器。以电流模式控制方式达到快速 环路响应并提高环路的稳定性。宽范围输入电压（4.5 V至80V）提供最大1.5A电流
2021-04-20 17:47:52
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
汽车级电阻，节省电路板空间，工作电压为450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，扩充其TNPV e3系列汽车级高压薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22:42
MOSFET，应用于高频非隔离的DCDC变换器，以提高系统的效率，降低系统的体积。AOS的AON6240就是采用这种技术，电压40V，Rdson=1.6m，广泛的应用于通讯模块电源的副边同步整流。沟漕和平
2016-10-10 10:58:30
星期二海报对话会议下午3:30- 下午5:30智能功率模块PP013改善15A / 600V智能功率模块的系统级功率密度Jonathan Harper，安森美半导体Toshiyuki Iimura
2018-10-18 09:14:21
;<p>过去15到20年间，汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引
2008-08-01 15:32:09
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑
因能源效率标准和最终系统要求的推动，在不影响功率密度的高能的情况下，能缩减应用电源的外形尺寸且有效解决方案是当下电源设计人
2012-04-28 10:21:32
. 总所周知，IR不仅是全球功率半导体领先供应商，还是管理方案领先供应商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技术,40V
2018-09-28 15:57:04
克服了上述问题，可实现高功率密度、高效率 (达 99%) 的解决方案。这款固定比例、高电压、高功率开关电容器控制器内置 4 个 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，用于驱动外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
MOSFET 切换高于5V 的电压，则需要另一个晶体管（某种晶体管）来打开和关闭它。P 沟道场效应管P沟道区域位于P沟道MOSFET的源极和漏极之间。它是一个四端子器件，具有以下端子：栅极、漏极、源极和主体
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
朝着更高功率密度、更高能效的功率转换器设计方向前进，需要采用SuperSO8、S3O8 或DirectFET/CanPAK等全新封装代替有管脚的SMD封装或适用于低压MOSFET的过孔器件。由于存在封装
2018-12-07 10:21:41
产品概述：SL3040是一款内部集成有功率MOSFET管的降压型开关稳压器。以电流模式控制方式达到快速环路响应并提高环路的稳定性。宽范围输入电压（4.5 V至80V）提供最大1.5A电流的高效率输出
2022-01-14 10:50:35
技术开始超级融合，电源传感技术更新迭代，催生出电源设计更高、更智能的标准。英飞凌作为半导体与系统解决方案行业领先者，连接现实与数字世界，推出的电源管理、传感器等核心芯片，将满足新时代的能效需求，智领“电源
2021-06-29 15:23:50
驱动。我们现在看到设计人员了解如何使用GaN，并看到与硅相比的巨大优势。我们正与领先的工业和汽车伙伴合作，为下一代系统如服务器电源、旅行适配器和车载充电器提供最高的功率密度和能效。由于GaN是非常新的技术，安森美半导体将确保额外的筛检技术和针对GaN的测试，以提供市场上最高质量的产品。
2020-10-27 09:33:16
什么是功率密度？功率密度的发展史如何实现高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
CoC TIer2和DoE Level VI效率要求。 图8：不同输入电压和负载条件下的ACF评估板能效曲线总结如今的高功率密度充电器和适配器应用常常使用GaN HEMT，因为相比于硅MOSFET
2022-04-12 11:07:51
CoC TIer2和DoE Level VI效率要求。 图8：不同输入电压和负载条件下的ACF评估板能效曲线总结如今的高功率密度充电器和适配器应用常常使用GaN HEMT，因为相比于硅MOSFET
2022-06-14 10:14:18
，降低成本，并且提供了准谐振以及抖频功能，改善系统的EMI特性，同时满足六级能效。芯片内部集成了逐周期峰值电流限制，过流保护、VDD欠压保护、VDD过压保护等多种功能，提高系统的可靠性。 电路原理图
2016-07-28 15:07:01
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
导读：日前，凌力尔特公司 （以下简称“Linear”）宣布推出一款具MPPT的80V太阳能铅酸和锂电池充电控制器--LT8490.该器件非常适合于对多种锂电池或铅酸化学类型电池进行充电。 日前
2018-09-29 17:04:03
耐压MOSFET的DC/DC转换器IC。80V的耐压是非隔离型DC/DC转换器IC的业界顶级水平，在ROHM的目前产品阵容中，也是耐压最高的DC/DC转换器IC。ROHM在推出该
2019-04-08 08:48:17
在PFC电路中使用升压转换器提高功率密度
2022-11-02 19:16:13
，这些特性便显得尤为重要。GaN可处理更高频率和更高能效的电源，与硅组件相比，它可以在尺寸和能耗减半的条件下输送同等的功率。由此便可以提高功率密度，帮助客户在不增大设计空间的同时满足更高的功率要求。更高
2019-03-01 09:52:45
实现功率密度非常高的紧凑型电源设计的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
驱动。我们现在看到设计人员了解如何使用GaN，并看到与硅相比的巨大优势。我们正与领先的工业和汽车伙伴合作，为下一代系统如服务器电源、旅行适配器和车载充电器提供最高的功率密度和能效。由于GaN是非常新的技术，安森美半导体将确保额外的筛检技术和针对GaN的测试，以提供市场上最高质量的产品。
2018-10-30 08:57:22
通；P沟道MOSFET通过施加给定的负的栅-源极电压导通。MOSFET的栅控决定了它们在SMPS转换器中的应用。例如，N沟道MOSFET更适用于以地为参考的低侧开关，特别是用于升压、SEPIC、正向和隔离
2021-04-09 09:20:10
公司的 DrMOS 专业技术在诸如高性能计算及通信的同步降压 DC-DC 转换器之类的应用中实现高效率、高功率密度以及高开关频率。透由整合的方式，整个开关功率级为驱动器和 MOSFET 动态性能、系统
2013-12-09 10:06:45
整个寿命周期成本时，逐步减少能量转换过程中的小部分损失并不一定会带来总体成本或环境效益的大幅提升。另一方面，将更多能量转换设备集成到更小的封装中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工厂或数据中心
2020-10-27 10:46:12
在现有空间内继续提高功率，但同时又不希望增大设备所需的空间，”德州仪器产品经理Masoud Beheshti说，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度。”
2019-08-06 07:20:51
碳化硅（SiC） MOSFET、超级结MOSFET、IGBT和汽车功率模块（APM）等广泛的产品阵容乃至完整的系统方案，以专知和经验支持设计人员优化性能，加快开发周期。本文将主要介绍针对主流功率等级的高能效OBC方案。
2020-11-23 11:10:00
。 LeapersSemiconductor的HPD系列SiC功率模块为xEV应用提供性能。因此，设计工程师可以期望： 具有高功率密度，可减小系统尺寸; 提供更高的电源效率; 提高电池利用效率
2023-02-20 16:26:24
适配器。此外，不同的便携式设备内部的电池数串联节数也有可能不同。这就要求电池充电器集成电路（IC）采用降压-升压拓扑结构， 去适应输入电压和电池电压的这些任意的变化。 具有高功率密度的降压-升压充电芯片
2020-10-27 08:10:42
产品概述： ZCC2480是一款内部集成有功率MOSFET管的降压型开关稳压器。以电流模式控制方式达到快速 环路响应并提高环路的稳定性。宽范围输入电压（4.5 V至80V）提供最大1.5A电流
2020-11-09 14:53:40
散热器的D2PAK和SuperSO8 （5毫米x 6毫米）等贴片封装，从而大幅简化热管理。 因此，可以提高开关电源的功率密度，同时降低系统成本。 继去年发布展示有巨大优势的全新30V硅技术产品之后
2018-12-06 09:46:29
48V 电压驱动至电路板。那么，还有什么其他办法可以在不增加成本的前提下提高数据中心的功率密度呢？本文概述了一种两级架构解决方案——以一种灵活的、可调节的、高性价比方式，将 48V 电压驱动至负载点
2021-05-26 19:13:52
开发人员来说，功率密度是一个始终存在的挑战，对各种电压下更高电流的需求（通常远低于系统总线）带来了对更小的降压稳压器的需求，这样的稳压器可通过一个单极里的多个放大器，将电压从高达48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
传统变压器介绍高功率密度变压器的常见绕组结构
2021-03-07 08:47:04
集成来减小系统体积我还将演示如何与TI合作，使用先进的技术能力和产品来实现这四个方面，帮助您改进并达到功率密度值。首先，让我们来定义功率密度，并着重了解一些根据功率密度值比较解决方案时的细节
2022-11-07 06:45:10
，上世纪80年代即出现了分布式电源系统，致使可以采用小型电源组件供给单个电路板安装。例如，提供桌面个人计算机的开关电源具备了200W功率，输出电压为5V和12V，效率为80%，封装功率密度为1W/in3
2016-01-18 10:27:02
全球法规和新的标准迫使电源设计人员提高电源的整体能效。美国和欧洲能源部门已经确定了新的能效标准。如果我们看看欧洲行为准则，一个40-W电源的最低平均能效在2014年和2016年之间约提升1%。请
2018-10-19 08:59:53
Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23651 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011090 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:52712 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 P沟道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351551 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05873 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术，导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 ® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211076 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 PowerPAK SC-70®封装的新款20V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 TrenchFET® 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。
2017-04-25 15:58:551514 关键词：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用
2019-01-01 16:29:01380 新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 的散热
通过机电元件集成来减小系统体积
我还将演示如何与TI合作，使用先进的技术能力和产品来实现这四个方面，帮助您改进并达到功率密度值。
首先，让我们来定义功率密度，并着重了解一些根据
2022-01-14 17:10:261733 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。
2022-05-31 09:47:061906 
N 沟道器件实现高功率密度，降低导通和开关损耗，提高能效 宾夕法尼亚、 MALVERN — 202 2 年 10 月 12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.
2022-10-12 15:44:14375 
一般电驱动系统以质量功率密度指标评价，电机本体以有效比功率指标评价，逆变器以体积功率密度指标评价；一般乘用车动力系统以功率密度指标评价，而商用车动力系统以扭矩密度指标评价。
2022-10-31 10:11:213717 基于WAYON维安MOSFET高功率密度应用于USB PD电源
2023-01-06 12:51:35549 
功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。
2023-02-06 14:24:201161 
80 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D230-80E
2023-02-20 19:58:35
0 80 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D81-80E
2023-02-20 20:03:220 80 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMXB360ENEA
2023-02-21 19:19:370 在功率器件领域，除了围绕传统硅器件本身做文章外，材料的创新有时也会带来巨大的性能提升。比如，在谈论功率密度时，GaN（氮化镓）凭借零反向复原、低输出电荷和高电压转换率等突出优势，能够帮助厂商大幅提升系统密度，而另一种主流的宽带隙半导体材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳选择。
2023-05-18 10:56:27741 
电力电子产品设计人员致力于提升工业和汽车系统的功率效率和功率密度，这些设计涵盖多轴驱动器、太阳能、储能、电动汽车充电站和电动汽车车载充电器等。
2023-09-26 10:00:04166 
随着汽车行业逐步纵深电气化，我们已经创造出了显著减少碳排放的可能性。然而，由此而来的是，增加的电子设备使得汽车对电力运作的需求日益攀升，这无疑对电源网络提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在电源管理设计中的关键切换功能，成为了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
提高4.5kV IGBT模块的功率密度
2023-11-23 15:53:38280 
使用集成 GaN 解决方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28196 
在电力电子系统的设计和优化中，功率密度是一个不容忽视的指标。它直接关系到设备的体积、效率以及成本。以下提供四种提高电力电子设备功率密度的有效途径。
2023-12-21 16:38:07277 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08355 
近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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