紫光国芯建成都研发中心项目，将建成集研发、测试等于一体的研发平台

　　11月24日，紫光国芯发布公告称，为满足公司未来持续发展的需要，充分利用成都高新区在人才资源、产业环境等方面的资源优势，由全资子公司成都国微科技有限公司（以下简称“成都国微科技”）在成都投资建设成都研发中心项目，项目总投资约5.97亿元人民币，将建成集研发、测试等于一体的研发平台。

　　与此同时，紫光国芯拟公开发行公司债券，规模不超过人民币13亿元（含13亿元），全部用于公司及下属子公司的项目投资及/或偿还公司债务等。

　　成都国微科技为紫光国芯2014年收购的全资子公司，成都国微科技将作为成都研发中心项目的实施主体，具体负责该项目建设的相关工作。

　　据披露，紫光国芯成都研发中心项目总体业态由A、B两栋双子塔（23层）和C栋多功能低层建筑（3层）组成，A、B两栋双子塔为办公写字楼，C栋为办公写字楼及研发配套，总用地面积2.2万㎡，规划总建筑面积12万㎡（地上8.8万，地下3.2万）（最终以规划部门核准为准）。项目位于成都高新区南区南端，地处天府新城的大源组团，西邻益州大道，对面为在建的软件园四期，北接阿里巴巴投资的商业综合体项目，东与深圳市合芯电子公司项目用地为邻。

　　该项目总投资约5.97亿元人民币，其中建安费用4.6亿元，项目建设资金由成都国微科技自筹解决，项目建设期限3年，预计于2020年建成。目前项目已取得《建设用地规划许可证》，初步完成规划设计，正在进行设计工作的接续以及《建设工程规划许可证》申请的前期准备工作。紫光国芯拟委托北京紫光科技服务集团有限公司的子公司成都紫光科城科技发展有限公司全面负责该项目开发建设的管理工作。

　　紫光国芯表示，近年来，紫光国芯业务领域逐步拓展，经营规模不断扩大，为满足公司未来持续发展的需要，公司拟充分利用成都高新区的资源优势，加快推进建设成都研发中心项目，形成集研发、测试等于一体的研发平台，吸引更多的专业科技人才加入公司团队，进一步增强公司研发实力、科技创新能力。同时，能够有效解决公司因业务增长带来的研发及办公场地不足问题，有利于提高公司经济效益，为公司持续快速发展提供有力保证。

　　据悉，紫光国芯总部位于深圳市高新科技园国微大厦，目前，在北京、上海、西安、成都等地设有办事处，其中西安紫光国芯拥有市场稀缺的DRAM设计团队，正在进行“高性能第四代DRAM存储器芯片产品”的研发，第四代产品容量更大、集成度更高、读写速度更快，预计明年开始进入市场。