电子发烧友网 > LEDs > 测试制造 > 正文

中国赛宝实验室采用是德科技低频噪声测量系统进行器件可靠性研究

2016年01月28日 11:05 次阅读

  新闻摘要:

  · 低系统噪声使其可以精确测量半导体器件

  · 支持赛宝实验室进行广泛的器件与应用研究

  2016 年 1 月 28 日,北京――是德科技公司(NYSE:KEYS)日前宣布,中国赛宝实验室在其半导体器件(包括 MOSFET、HEMT 和 TFT等)可靠性研究中成功采用 Keysight EEsof EDA E4727A 先进低频噪声分析仪(A-LFNA)实施闪变噪声(1/f 噪声)和随机电报噪声(RTN)的测量与分析。

  Keysight EDA E4727A是一款高性能的噪声分析仪,可执行快速、精确和可重复的低频噪声(LFN)测量。它支持闪变噪声和随机电报噪声的晶圆映射测量和数据分析,并提供可重复和可靠的测量结果,因此特别适合用于半导体材料和集成电路制程的开发、检验和监测。

  赛宝实验室又称中国电子产品可靠性与环境试验研究所,是中国首屈一指的、致力于电子产品质量和可靠性研究的科研机构。作为直接隶属于中国工业和信息化部(MIIT)的机构,赛宝实验室每年为工信部和地方政府的行业管理,以及上万家电子信息企业提供技术支持和服务。

  赛宝实验室高级工程师刘远博士表示:“我们经过细致的技术评估后才选择了是德科技的 E4727A 解决方案。其卓越的性能确保了低系统噪声下的精确测量,并且拥有业界最宽的频率和偏压测量范围,支持我们各类器件与应用的研究。我们期待与是德科技在校准方法和标准化方面的进一步合作。”

  Keysight EEsof EDA 器件建模产品经理马龙博士表示:“我们很高兴赛宝实验室成为我们低频噪声测量系统在全球的一个新的示范点。低频噪声是半导体材料和制程中一个非常敏感和重要的指标,在可靠性、新材料和新型器件的研究中广泛使用。是德科技致力于通过增强与包括赛宝实验室在内的全球顶尖研究机构以及高校的合作,为相关的研究工作提供大力支持。”

  关于 Keysight EEsof EDA 软件

  Keysight EEsof EDA 软件是业界领先的电子设计自动化软件,适用于微波、射频、高频、高速数字、射频系统、电子系统级、电路、3D 电磁、物理设计和器件建模等应用。

  关于是德科技

  是德科技公司(NYSE:KEYS)是全球领先的电子测量公司,通过在无线、模块化和软件解决方案等领域的不断创新,为您提供全新的测量体验。是德科技提供电子测量仪器、系统以及软件和服务,广泛应用于电子设备的设计、研发、制造、安装、部署和运营。2015 财年,是德科技收入达 29 亿美元。

技术专区

关注电子发烧友微信

有趣有料的资讯及技术干货

下载发烧友APP

打造属于您的人脉电子圈

关注发烧友课堂

锁定最新课程活动及技术直播
收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

采用先进的MOSFET技术来应对电动工具的挑战

无绳电动工具具有易用、便携和更安全等特性,越来越受到专业人士和个人用户的青睐。但是制造商们也面临着持...

发表于 2018-04-12 14:31 71次阅读
采用先进的MOSFET技术来应对电动工具的挑战

解决电池组件中过量电流“泄漏”问题

很多现代便携式设备发货时都必须安装电池,以便客户无需电池安装或充电便可立即开启设备。如果连接至电池的...

发表于 2018-04-12 09:41 1173次阅读
解决电池组件中过量电流“泄漏”问题

半导体功率器件MOSFET持续大涨 上游硅晶圆等...

功率半导体行情回暖,MOSFET供不应求加剧,交期不断拉长,国内外MOSFET企业纷纷调涨,目前整体...

发表于 2018-04-10 17:34 185次阅读
半导体功率器件MOSFET持续大涨 上游硅晶圆等...

大联大品佳集团推出Infineon 1200V碳...

大联大控股宣布,其旗下品佳代理的英飞凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFE...

发表于 2018-04-10 14:04 1453次阅读
大联大品佳集团推出Infineon 1200V碳...

一种先进的利用电流检测端子实现的全SiC模块过流...

采用电流检测并用于FMF800DX-24A的先进保护方法是通过参考设计RDHP-1417来实现的(其...

发表于 2018-04-10 11:06 125次阅读
一种先进的利用电流检测端子实现的全SiC模块过流...

传导EMI问题为何都是由共模噪声引起

大部分传导 EMI 问题都是由共模噪声引起的。而且,大部分共模噪声问题都是由电源中的寄生电容导致的。...

发表于 2018-04-10 09:14 3604次阅读
传导EMI问题为何都是由共模噪声引起

采用东芝DTMOSIV超级结MOSFET来解决这...

功率开关应用电路的基本元件主要有MOSFET和快速恢复二极管。MOSFET和恢复二极管对于采用全桥或...

发表于 2018-04-08 09:18 218次阅读
采用东芝DTMOSIV超级结MOSFET来解决这...

介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路

分享到 MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电...

发表于 2018-04-05 09:19 6197次阅读
介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路

东芝的创新型双面散热MOSFET封装DSOP A...

电源系统中的主开关器件是低电压功率MOSFET,这些系统需要的功率密度正在不断增加。为减小系统体积和...

发表于 2018-04-04 11:02 211次阅读
东芝的创新型双面散热MOSFET封装DSOP A...

超级结MOSFET开关速度和导通损耗问题

利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS,通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动...

发表于 2018-03-30 16:21 379次阅读
超级结MOSFET开关速度和导通损耗问题

隔离式电源设计需要开发最好的拓扑

自从上世纪 60 年代开关模式电源 (SMPS) 问世以来,出现了几种我认为足以让设计人员为之兴奋的...

发表于 2018-03-29 08:58 1470次阅读
隔离式电源设计需要开发最好的拓扑

电源IC与MOS管选定后,选择合适的驱动电路很关...

MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和...

发表于 2018-03-28 08:33 1052次阅读
电源IC与MOS管选定后,选择合适的驱动电路很关...

两个MOSFET串联在半桥时,电流的限制很关键

当两个MOSFET串联在串联(半桥)时,请注意电流的限制,而这些限制并不总是在每个MOSFET都提供...

发表于 2018-03-26 08:34 1071次阅读
两个MOSFET串联在半桥时,电流的限制很关键

树莓派怎么让其系统的命令行显示在外接的tft彩屏上

发表于 2018-03-23 21:41 423次阅读
树莓派怎么让其系统的命令行显示在外接的tft彩屏上

浅谈焊盘上是否可以打孔及打孔的注意事项

“立碑”现象常发生在CHIP元件(如贴片电容和贴片电阻)的回流焊接过程中,元件体积越小越容易发生。特...

发表于 2018-03-20 14:53 175次阅读
浅谈焊盘上是否可以打孔及打孔的注意事项

LLC谐振转换器中怎样做才不会出现MOSFET故...

初级 MOSFET 的不良体二极管性能可能导致一些意想不到的系统或器件故障,如在各种异常条件下发生严...

发表于 2018-03-19 16:56 321次阅读
LLC谐振转换器中怎样做才不会出现MOSFET故...

电源产品设计,如何对传导功耗进行折中处理

我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理,而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种...

发表于 2018-03-19 08:58 1205次阅读
电源产品设计,如何对传导功耗进行折中处理

巧用IC负载开关的特性来安全地降低功耗

为了最大限度地降低功耗,一个简单的MOSFET通常用于为未使用的电路提供电源。 然而,更好的选择是使...

发表于 2018-03-16 17:59 2248次阅读
巧用IC负载开关的特性来安全地降低功耗

由于继电器的振动,MOSFET也可以在开关关闭时...

当MOSFET处于关闭状态时,开关的开启会导致MOSFET的破坏:由于机械开关的短暂时间,高的dvd...

发表于 2018-03-16 09:15 1641次阅读
由于继电器的振动,MOSFET也可以在开关关闭时...

MOSFET工作原理及其结构、特性与使用改善技巧...

功率MOSFET的工作原理 截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的P...

发表于 2018-03-15 15:46 1931次阅读
MOSFET工作原理及其结构、特性与使用改善技巧...

MOSFET自激震荡电路multisim仿真没有波形怎么办?

发表于 2018-03-13 17:50 483次阅读
MOSFET自激震荡电路multisim仿真没有波形怎么办?

汽车工业领域定义并构建基于48V电池系统

汽车工业的电气化以不断增长的速度发展,主要受政府颁布关于二氧化碳(CO2)减排标准的驱动。欧盟制定了...

发表于 2018-03-12 09:23 1976次阅读
汽车工业领域定义并构建基于48V电池系统

介绍一种模拟控制器最合适控制方案

48V-12V双电池电源系统正普通用于轻度混合动力电动车。车辆的动态工作条件可能需要在两个电池轨道之...

发表于 2018-03-12 09:17 1744次阅读
介绍一种模拟控制器最合适控制方案

MOSFET选型注意事项及应用实例

一般IC的PWM OUT输出内部集成了限流电阻,具体数值大小同IC的峰值驱动输出能力有关,可以近似认...

发表于 2018-03-10 10:17 940次阅读
MOSFET选型注意事项及应用实例

P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用

MOSFET多数是载流子器件, N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称...

发表于 2018-03-09 14:28 953次阅读
P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用

USB OTG Vbus电源框图及应用方案

通用串行总线即USB已经流行许久; 起初USB设备便具有主设备和从设备之分:传输的数据来自主设备如电...

发表于 2018-03-09 09:21 2322次阅读
USB OTG Vbus电源框图及应用方案

设计一款由12V铅酸电池,直接供电的12V汽车音...

汽车系统需要承受高温差、极端输入瞬变和其它多种干扰的影响。汽车中几乎所有的电子产品都需经过严格的测试...

发表于 2018-03-09 06:35 2194次阅读
设计一款由12V铅酸电池,直接供电的12V汽车音...

依靠驱动错误产生原理,对驱动等效电路进行分析

DRV8711是一款有微步功能的步进电机控制器,芯片内部集成了微步分度器,通过配置最高可以支持1/2...

发表于 2018-03-07 09:03 1978次阅读
依靠驱动错误产生原理,对驱动等效电路进行分析

P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用

发表于 2018-03-03 13:58 756次阅读
P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用

提高电动工具设计的性能,不可忽视电源管理

不同的损耗导致顶侧和底侧MOSFET的加热不同。在系统设计中使用分立MOSFET时,可以尝试这些不同...

发表于 2018-03-02 06:52 2138次阅读
提高电动工具设计的性能,不可忽视电源管理

MOSFET选型经验分享:经典案例教你10步法

似乎选取功率MOSFET的耐压对于很多工程师来说是最容易的一件事情,因为设计的电子系统输入电压是相对...

发表于 2018-02-10 04:44 3734次阅读
MOSFET选型经验分享:经典案例教你10步法

MOSFET芯片缺货潮涨势分析与应对措施

据市场分析,MOSFET芯片缺货的趋势将持续蔓延,也就是说MOSFET涨价模式即将开启。据悉芯片调价...

发表于 2018-02-06 14:33 314次阅读
MOSFET芯片缺货潮涨势分析与应对措施

反激式转换器工作原理以及反激开关MOSFET源极...

反激式转换器在正常工作情况下,当MOSFET关断时,初级电流(id)在短时间内为 MOSFET的Co...

发表于 2018-01-31 16:13 1409次阅读
反激式转换器工作原理以及反激开关MOSFET源极...

对MOSFET与IGBT详细的区别分析以及举例说...

本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗,并对电路和器件特...

发表于 2018-01-31 09:07 3313次阅读
对MOSFET与IGBT详细的区别分析以及举例说...

反激开关MOSFET源极流出的电流精细剖析

大家都知道这个尖峰是开关MOS开通的时候出现的,根据反激回路,Ids电流环为Vbus经变压器原边、然...

发表于 2018-01-25 09:23 2466次阅读
反激开关MOSFET源极流出的电流精细剖析

浅谈MOSFET与三极管的ON状态区别

MOSFET和三极管,在ON 状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在...

发表于 2018-01-22 07:21 541次阅读
浅谈MOSFET与三极管的ON状态区别

光宇睿芯刘建朝:“新能源产品中不可或缺的MOSF...

刘建朝表示,MOSFET领域,目前主要呈现五大趋势:一是小信号MOSFET(小于1.5A);二是单体...

发表于 2018-01-21 09:00 1687次阅读
光宇睿芯刘建朝:“新能源产品中不可或缺的MOSF...

利用IR2103驱动mosfet实现电压输出,帮忙看看这个电路是怎么工作的?

发表于 2018-01-19 10:32 487次阅读
利用IR2103驱动mosfet实现电压输出,帮忙看看这个电路是怎么工作的?

GaN功率电子分立器件产品类型的简介以及其特点和...

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄。氮化镓具有宽的直接带隙、强的原子键、...

发表于 2018-01-18 15:36 1783次阅读
GaN功率电子分立器件产品类型的简介以及其特点和...

8英寸晶圆代工价格今年第一季预计调涨5~10%

2017年上半年8英寸晶圆厂整体的需求较平缓。随着第三季旺季需求显现,加上8英寸晶圆代工短期难再大幅...

发表于 2018-01-16 15:54 1950次阅读
8英寸晶圆代工价格今年第一季预计调涨5~10%

TFT显示时钟数字叠加在一起显示

发表于 2018-01-15 09:52 680次阅读
TFT显示时钟数字叠加在一起显示

高压电源新型预稳压器设计方案推荐

讨论几种设计故障容受型电源的方法,其中包括新的预稳压器拓扑结构,该结构可简化电路设计及元件选择。 对...

发表于 2018-01-09 07:05 1569次阅读
高压电源新型预稳压器设计方案推荐

MOS管为何会被静电击穿,我们又该如何应对?

MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电...

发表于 2018-01-08 10:13 2562次阅读
MOS管为何会被静电击穿,我们又该如何应对?

采用自举升压电路,设计了一种BiCMOS Tot...

结论 本文采用自举升压电路,设计了一种BiCMOS Totem结构的驱动电路。该电路基于Samsun...

发表于 2018-01-08 09:27 1746次阅读
采用自举升压电路,设计了一种BiCMOS Tot...

MOSFET厂大中据传酝酿将从本季起调涨报价 尼...

2018年,金属氧化物半导体场效应电晶体管(MOSFET)仍旧是市场上炙手可热的产品,目前MOSFE...

发表于 2018-01-06 09:07 1437次阅读
MOSFET厂大中据传酝酿将从本季起调涨报价 尼...

几类器件慎重采用串并联结构设计

几类器件慎重采用串并联结构设计。继电器不允许并联一起以提供较大电流、两只电容或两只开关类管子(IGB...

发表于 2018-01-05 11:46 1658次阅读
几类器件慎重采用串并联结构设计

MOSFET栅极应用电路作用与驱动电路解析

MOSFET是一种常见的电压型控制器件,具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动...

发表于 2018-01-05 09:14 2967次阅读
MOSFET栅极应用电路作用与驱动电路解析

这个智能温控器设计方案降低能耗超级有用

据统计,我国建筑能耗占全国总能耗30%左右,随着人民生活水平的提高,建筑能耗将呈现持续迅速增长的趋势...

发表于 2018-01-04 08:39 396次阅读
这个智能温控器设计方案降低能耗超级有用

宜普电源推出40 V氮化镓功率晶体管,应用于PO...

宜普公司为功率系统设计师提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管(EPC...

发表于 2017-12-29 10:40 1733次阅读
宜普电源推出40 V氮化镓功率晶体管,应用于PO...

大学总搞不懂IGBT是什么的小伙伴们?这篇文章告...

电的发现是人类历史的革命,由它产生的动能每天都在源源不断的释放,人对电的需求不亚于人类世界的氧气,如...

发表于 2017-12-25 09:54 2332次阅读
大学总搞不懂IGBT是什么的小伙伴们?这篇文章告...

电源设计如何减少MOS管的损耗同时提升EMI性能

  MOSFET作为主要的开关功率器件之一,被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分...

发表于 2017-12-24 08:36 2744次阅读
电源设计如何减少MOS管的损耗同时提升EMI性能

锂电池的优势和内阻测量以及过充电、过放电、短路保...

该电路主要由锂电池保护专用集成电路DW01,充、放电控制MOSFET1(内含两只N沟道MO

发表于 2017-12-21 18:19 2246次阅读
锂电池的优势和内阻测量以及过充电、过放电、短路保...

深度图片解析场效应管的测量方法

下面是对场效应管的测量方法场效应管英文缩写为FET。可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管...

发表于 2017-12-21 11:17 1130次阅读
深度图片解析场效应管的测量方法

如何在TFT屏上显示时钟

发表于 2017-12-20 09:28 382次阅读
如何在TFT屏上显示时钟

深度解析MOSFET结构原理和特点以及其驱动电路

MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),...

发表于 2017-12-19 12:44 2465次阅读
深度解析MOSFET结构原理和特点以及其驱动电路

为何使用 SiC MOSFET

发表于 2017-12-18 13:58 584次阅读
为何使用 SiC MOSFET

碳化硅MOSFET器件的特性优势与发展瓶颈!

  碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域,受到大家的喜爱,不断地推陈出新,大量的更高电压等级...

发表于 2017-12-13 09:17 2220次阅读
碳化硅MOSFET器件的特性优势与发展瓶颈!

选择IGBT还是MOSFET 读了就知道了!

IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100K...

发表于 2017-12-11 18:46 2413次阅读
选择IGBT还是MOSFET 读了就知道了!

基于MOSFET控制的PWM型直流可调电源的设计...

由于仪器所用电源的体积和重量通常受到限制,为此提出一种由MOSFET控制,并且由高频变压器隔离的开关...

发表于 2017-12-06 16:31 759次阅读
基于MOSFET控制的PWM型直流可调电源的设计...

开关电源功耗分析和提高待机效率的方法

随着能源效率和环保的日益重要,人们对开关电源待机效率期望越来越高,客户要求电源制造商提供的电源产品能...

发表于 2017-12-06 05:22 193次阅读
 开关电源功耗分析和提高待机效率的方法

tft基础知识介绍

TFT-LCD液晶显示屏是薄膜晶体管型液晶显示屏,也就是“真彩”(TFT)。TFT液晶为每个像素都设...

发表于 2017-12-05 17:23 370次阅读
tft基础知识介绍

TI最新推出汽车LED照明控制器,助设计人员轻松...

通过选择控制器和外部MOSFET实现汽车LED照明系统中更高的功率、更佳的可靠性及更强的散热性能 2...

发表于 2017-12-05 11:05 6260次阅读
TI最新推出汽车LED照明控制器,助设计人员轻松...

TFT液晶显示屏驱动芯片MST717C

 MST717C是一颗性价比非常高的显示驱动芯片,所需的外围器件也非常少,非常适合车载显示领域应用。...

发表于 2017-12-05 10:36 1268次阅读
TFT液晶显示屏驱动芯片MST717C

tft液晶屏显示驱动程序

根据液晶显示器件的写入机理以及显示像素电极的排布方式就可以确定对其进行驱动的基本条件了。液晶显示器件...

发表于 2017-12-05 10:16 1369次阅读
tft液晶屏显示驱动程序

tft液晶屏接口定义

TFT-LCD实为一组件,即常说的液晶屏组件,主要由液晶面板、背光源、均光膜、行列驱动电路与时序控制...

发表于 2017-12-05 09:36 1170次阅读
tft液晶屏接口定义

tft液晶屏厂商排名

随着电子技术的发展,国内液晶显示行业迎来了前所未有的全面发展阶段,市场需求朝向多样化方向发展且需求巨...

发表于 2017-12-05 09:19 1003次阅读
tft液晶屏厂商排名

tft和lcd有什么区别

TFT是LCD的一个变种,TFT,Thin Film Transistor薄膜晶体管,是有源矩阵类型...

发表于 2017-12-05 08:55 390次阅读
tft和lcd有什么区别

tft制造原理与简单制造流程

何谓 TFT-LCD? TFT-LCD 即是 Thin-Film Transistor Liquid...

发表于 2017-12-05 08:42 334次阅读
tft制造原理与简单制造流程

机载高频开关电源的系统构成以及其设计

机载高频开关电源产品专门用于输入交流400Hz的场合,这是特意为了满足军用雷达、航空航天、舰船、机车...

发表于 2017-12-03 20:33 212次阅读
 机载高频开关电源的系统构成以及其设计

用UC3842芯片做医用开关电源设计方案

本文基于UC3842高性能电流模式脉冲宽度调制(PWM)发生器控制的开关电源,适合应用于此类医疗系统...

发表于 2017-12-02 07:09 2340次阅读
用UC3842芯片做医用开关电源设计方案

辩证分析MOSFET与IGBT的内部结构与应用区...

这种延迟引起了类饱和 (Quasi-saturation) 效应,使集电极/发射极电压不能立即下降到...

发表于 2017-11-28 09:19 1319次阅读
辩证分析MOSFET与IGBT的内部结构与应用区...

英飞凌、恩智浦2018重点续攻汽车电子,功率模拟...

全球IDM(整合元件制造)业者持续抢攻车用电子新蓝海,英飞凌(Infineon)、恩智浦(NXP)等...

发表于 2017-11-27 16:00 473次阅读
英飞凌、恩智浦2018重点续攻汽车电子,功率模拟...

电子元器件最新缺货、涨价、交期行情汇总(特别是电容)

发表于 2017-11-24 13:13 881次阅读
电子元器件最新缺货、涨价、交期行情汇总(特别是电容)

资深工程师分享的一款医用开关电源设计方案

本文基于UC3842高性能电流模式脉冲宽度调制(PWM)发生器控制的开关电源,适合应用于此类医疗系统...

发表于 2017-11-23 09:09 3052次阅读
资深工程师分享的一款医用开关电源设计方案

ZVS的实现方案解析和MOSFET的损耗分析

MOSFET的损耗主要包括如下几个部分:1导通损耗,导通损耗是比较容易理解的,即流过MOSFET的R...

发表于 2017-11-22 17:26 2151次阅读
ZVS的实现方案解析和MOSFET的损耗分析

一文读懂mosfet与igbt的区别在哪

由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强

发表于 2017-11-21 07:34 2399次阅读
一文读懂mosfet与igbt的区别在哪

巧用Rigol_dl3021可编程电子负载设备拆...

想必大家对EEVBlog已经不陌生了,有着丰富电子开发经验的工程师Dave Jones在该网站上发布...

发表于 2017-11-18 07:03 3438次阅读
巧用Rigol_dl3021可编程电子负载设备拆...

基于MOSFET来实现高转换速率测试负载瞬变

用电子负载测试电源的瞬态响应很常见。对许多系统轨(如服务器的3.3V或5V总线)而言,电子负载很容...

发表于 2017-11-17 03:18 143次阅读
基于MOSFET来实现高转换速率测试负载瞬变

如何在TFT上面显示实时波形函数呢?

发表于 2017-11-09 22:43 380次阅读
如何在TFT上面显示实时波形函数呢?

(技术交流微信GSM8988)STM32F103+TFT2.0+VS1053B+LN4890+UCOSSIII+STEMWIN制作MP3

发表于 2017-11-08 14:36 990次阅读
(技术交流微信GSM8988)STM32F103+TFT2.0+VS1053B+LN4890+UCOSSIII+STEMWIN制作MP3

MOSFET管损坏的5种原因解析

如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电...

发表于 2017-11-02 11:16 3576次阅读
MOSFET管损坏的5种原因解析

简化的MOSFET等效电路,看Rds和Rg电阻损...

简化的MOSFET等效电路MOSFET开通(turn on)过程MOSFET损耗——Rds和Rg电阻...

发表于 2017-10-31 15:43 3781次阅读
简化的MOSFET等效电路,看Rds和Rg电阻损...

mos管工作原理及作用分析

mos管工作原理:它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状...

发表于 2017-10-24 15:22 1089次阅读
mos管工作原理及作用分析

amoled屏幕会漏液吗_tft屏幕和amole...

oled是粉状的,自发光,里面是没有液态物质的,所以不存在漏液这种说法!而且三星amoled屏都不是...

发表于 2017-10-18 17:40 2519次阅读
amoled屏幕会漏液吗_tft屏幕和amole...

Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在电...

即便在高温条件下也能兼具超低切换损耗、高效性和一流的耐用性 中国,北京,2017年10月17日讯 -...

发表于 2017-10-17 17:07 3987次阅读
Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在电...

深入理解MOSFET规格书及应用设计

MOS的导通电阻随温度上升而上升,下图显示该MOS的导通电阻在结温为140度的时候,为20度时候的2...

发表于 2017-10-16 08:55 2054次阅读
深入理解MOSFET规格书及应用设计

MOSFET规格书/datasheet该如何理解

第一大电子技术学习平台

发表于 2017-10-12 18:14 2599次阅读
MOSFET规格书/datasheet该如何理解

MOSFET及IGBT在电力电子应用设计

多数情况下,功率变换器的传导干扰以共模干扰为主。本文介绍了一种基于补偿原理的无源共模干扰抑制技术,并...

发表于 2017-09-28 06:59 3115次阅读
MOSFET及IGBT在电力电子应用设计

利用900V MOSFET管提升反激式转换器的输...

意法半导体 (ST) 同级领先的900V MOSFET晶体管,提升反激式转换器的输出功率和能效

发表于 2017-09-21 14:45 2115次阅读
利用900V MOSFET管提升反激式转换器的输...

900VMDmesh™ K5超结MOSFET管满...

新品登场

发表于 2017-09-20 17:53 1619次阅读
900VMDmesh™ K5超结MOSFET管满...

MOSFET知识点全集,初级工程师学习利器

MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为...

发表于 2017-09-13 14:45 4640次阅读
MOSFET知识点全集,初级工程师学习利器

快速60V高压侧N沟道MOSFET驱动器提供10...

加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA)...

发表于 2017-09-11 09:36 277次阅读
快速60V高压侧N沟道MOSFET驱动器提供10...

功率半导体封测厂主攻MOSFET,有望新突破

捷敏2017年第2季获利已经创下历史次高,上半年EPS为2.39元,7月营收也下营收新高水准,市场看...

发表于 2017-08-31 06:38 854次阅读
功率半导体封测厂主攻MOSFET,有望新突破

Mosfet驱动电路开发进阶之路

常见的MOS管驱动方式有非隔离的直接驱动、自举驱动,和有隔离的变压器驱动、光耦隔离驱动等。

发表于 2017-08-30 15:20 2993次阅读
Mosfet驱动电路开发进阶之路

内存、MOSFET大缺货开始影响下游系统厂

第3季进入传统电子产品销售旺季,但今年受到DRAM、NAND/NOR Flash缺货冲击,加上金氧半...

发表于 2017-08-14 09:11 612次阅读
内存、MOSFET大缺货开始影响下游系统厂

场效应管(MOSFET)检测方法与经验

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。

发表于 2017-08-04 10:37 648次阅读
场效应管(MOSFET)检测方法与经验

Allegro MicroSystems, LL...

美国马萨诸塞州伍斯特市 – Allegro MicroSystems,LLC宣布推出两款全新N沟道功...

发表于 2017-08-02 18:37 493次阅读
Allegro MicroSystems, LL...

基于MOSFET控制的大范围连续可调(0~45V...

功率场效应管MOSFET是一种单极型电压控制器件,它不但具有自关断能力,而且具有驱动功率小,关断速度...

发表于 2017-08-02 14:01 4673次阅读
基于MOSFET控制的大范围连续可调(0~45V...

自我保护型 MOSFET 可在汽车应用的严苛环境...

以前曾多次提及,汽车电子环境非常严苛!如图 1 所示,由于负载瞬态和感应场衰变,汽车的额定电池电压可...

发表于 2017-07-20 15:38 553次阅读
自我保护型 MOSFET 可在汽车应用的严苛环境...

快速 60V 保护的高压侧 N 沟道 MOSF...

加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA)...

发表于 2017-07-14 16:08 323次阅读
快速 60V 保护的高压侧 N 沟道  MOSF...