Micro LED被视为是抵御OLED的终极武器，目前国际大厂与台厂纷纷鸭子划水默默研发，更是吸引LCD与LED两大阵营分头进击。不过，现阶段的Micro LED还有许多技术瓶颈待突破，近期
2016-10-14 10:09:05
1009 65W氮化镓电源原理图
2022-10-04 22:09:30
，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。（图片来源：西安邮电大学官网）近年来，我国在氧化镓的制备上连续取得突破性进展，从去年的2英寸到6英寸，再到最新的8英寸，氧化镓制备技术越来越
2023-03-15 11:09:59
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年，德布瓦博德兰（Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被发现镓，并以他祖国法国的拉丁语 Gallia (高卢)为这种元素命名它。纯氮化镓的熔点只有30
2023-06-15 15:50:54
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
封装技术的效率。三维散热是GaN封装的一个很有前景的选择。
生活更环保
为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会
2019-03-14 06:45:11
。
与硅芯片相比：
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而，虽然 GaN 似乎是一个更好的选择，但它
2023-08-21 17:06:18
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域，随着技术的进步以及人们的需求，氮化镓产品已经走进了我们生活中，尤其在充电器中的应用逐步布局开来，以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓（GaN）等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80％的能源，而2005年这一比例仅为30％1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会，使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
技术迭代。2018 年，氮化镓技术走出实验室，正式运用到充电器领域，让大功率充电器迅速小型化，体积仅有传统硅（Si）功率器件充电器一半大小，氮化镓快充带来了充电器行业变革。但作为新技术，当时氮化镓
2022-06-14 11:11:16
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了，氮化镓充电器看起来很小，但是功率一般很大，可以给手机平板，甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么，氮化镓充电器有哪些优点，下文简单做个分析。一、氮化镓
2021-09-14 08:35:58
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
`从研发到商业化应用，氮化镓的发展是当下的颠覆性技术创新，其影响波及了现今整个微波和射频行业。氮化镓对众多射频应用的系统性能、尺寸及重量产生了明确而深刻的影响，并实现了利用传统半导体技术无法实现
2017-08-15 17:47:34
波段，随着衬底、外延、芯片和封装技术的不断进步，蓝光激光器的性能在不断提升。 图3、（a）氮化镓/蓝宝石模板和（b）GaN自支撑衬底的位错缺陷对比（图中暗斑为位错缺陷） 在衬底方面，早期的氮化镓
2020-11-27 16:32:53
的关键时刻。硅基氮化镓相比于LDMOS技术的性能优势已经过验证，这推动了其在最新一代4G LTE基站中广泛应用，并使其定位为最适合未来5G无线基础设施的实际促技术，其轰动性市场影响可能会远远超出手机连接领域
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关？氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计？
2021-06-17 10:56:45
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
深圳市尊信电子技术有限公司专业开发设计电子产品方案钰泰，智融，赛芯微一级代理吉娜：*** 微信：mphanfan欢迎行业客户联系，获取datasheet、报价、样片等更多产品信息氮化镓技术的普及，使
2021-11-28 11:16:55
有限公司承办。 本届论坛为期3天，同期二十余场次会议，25日上午 “氮化镓材料与器件技术”分会如期召开，分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子
2018-11-05 09:51:35
芯片，加快硅上氮化镓在主流市场上的应用。意法半导体和MACOM为提高意法半导体CMOS晶圆厂的硅上氮化镓产量而合作多年，按照目前时间安排，意法半导体预计2018年开始量产样片。 MACOM公司总裁
2018-02-12 15:11:38
，尤其是2010年以后，MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场，如今的MACOM拥有包括氮化镓（GaN）、硅锗（SiGe）、磷化铟（InP）、CMOS、砷化镓等技术，共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端，由于对高功率的需求，氮化镓（GaN）因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
测试背景地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室测试对象：氮化镓半桥快充测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头：麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`明佳达优势供应NV6115氮化镓MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器丝印1342AMDCD。产品信息1、NV6115氮化镓MOS丝印：NV6115芯片介绍：NV6115氮化镓MOS，是针对
2021-01-08 17:02:10
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化镓（GaN-on-Si）。这两种突破性技术都在电动汽车市场中占有一席之地。与Si IGBT相比，SiC提供更高的阻断电压、更高的工作温度（SiC-on-SiC）和更高的开关
2018-07-19 16:30:38
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
1MHz 以上。新的控制器正在开发中。微控制器和数字信号处理器（DSP），也可以用来实现目前软开关电路拓扑结构，而目前广泛采用的、为1-2 MHz范围优化的磁性材料，已经可被使用了。
氮化镓功率芯片
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力半导体，其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器，逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低寄生电感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
几十倍、甚至上百倍的数量增加，因此成本的控制非常关键，而硅基氮化镓在成本上具有巨大的优势，随着硅基氮化镓技术的成熟，它能以最大的性价比优势取得市场的突破。[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268，只做原装，价格优势，实单欢迎洽谈。产品信息型号1：NV6127丝印：NV6127属性：氮化镓功率芯片封装：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
客户希望通过原厂FAE尽快找到解决方案，或者将遇到技术挫折归咎为芯片本身设计问题，尽管不排除芯片可能存在不适用的领域，但是大部分时候是应用层面的问题，和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化镓
2023-02-01 14:52:03
Apple Watch 3将采用Micro LED显示面板，也令整个行业都炸开了锅。 索尼在核心显示技术方面一直都有着举足轻重的地位，对于Micro LED索尼自己其实也一直在不断研发。早在2012
2017-08-16 10:15:41
我经常感到奇怪，我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度；毕竟，大潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力，我们就能
2022-11-16 06:43:23
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但这个口不可以充电，它是用来转VGA,HDMI,DP之类了，可以外接显示器，拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
大幅降低电流在保护板上的损耗，随着手机充电功率达到200W，电池端的电流达到20A。传统硅MOS温升明显，甚至需要辅助导热措施来为其散热。使用氮化镓代替硅MOS之后，可以无需导热材料，降低快充过程中
2023-02-21 16:13:41
这样的领导者正在将氮化镓和固态半导体技术与这些过程相结合，以更低的成本进行广泛使用，从而改变行业的基础状况。采油与传统的干燥和加热方法相比，射频能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。从
2018-01-18 10:56:28
33μF400V。
另一颗规格为47μF400V。
差模电感采用磁环绕制，外套热缩管绝缘。
橙果这款65W氮化镓充电器内部采用两路PI的电源芯片，对应两颗不同大小的变压器，组成两路快充电源。其中
2023-06-16 14:05:50
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
，氮化镓器件可以在同一衬底上集成多个器件，使得单片式电源系统可以更直接、更高效和更具成本效益地在单芯片上进行设计。集成功率级诸如EPC23102为设计人员提供了一个比基于分立器件方案的体积小35
2023-06-25 14:17:47
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗？然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模，有可能实现吗？求教ICCAP软件呢？
2019-11-29 16:04:02
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
了当时功率半导体界的一项大胆技术：氮化镓（GaN）。对于强大耐用的射频放大器在当时新兴的宽带无线网络、雷达以及电网功率切换应用中的使用前景，他们表达了乐观的看法。他们称氮化镓器件为“迄今为止最坚固耐用
2023-02-27 15:46:36
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
9月17日，深交所上市公司深康佳A（康佳集团）发布公告称，拟出资15亿元与重庆两山产业投资有限公司（以下简称重庆两山）合资成立重庆投资建设康佳半导体光电研究院。并以该研究院为主体投资不超过25.5亿元采购Micro LED相关的机器设备，开展Micro LED相关的产品研发、生产和销售。
2019-09-18 10:39:171285 10月31日，“未来之境”康佳APHAEA未来屏全球发布会在重庆举行，康佳在现场发布了APHAEA未来屏新品，是基于5G、8K、AI、IoT以及云技术，围绕Micro LED超大屏以及智慧屏而打造。
2019-11-01 15:04:334580 10月31日，瞄准Micro LED等新型显示技术的重庆康佳半导体光电产业园在璧山国家高新区正式开工建设，总投资共300亿元。同日，康佳发布首款Micro LED系列产品Smart Wall，标志着
2019-12-10 09:23:12746 康佳集团近日举行新品发布会，对标三星推出了118寸4K、117寸6K，甚至236寸8K的Micro LED显示器。
2019-12-13 15:35:433402 昨（17）日，全球领先的半导体行业沉积设备供应商爱思强（AIXTRON）宣布，康佳集团已订购了多个AIX G5+C和AIX 2800G4-TM MOCVD系统，以建立该公司基于GaN（氮化镓）和砷磷材料的Mini及Micro LED的批量生产能力。
2020-03-18 13:56:24836 /Micro LED的批量生产能力。这一举措为联建光电与康佳共同推进Mini/Micro LED的商用化进程奠定了基础。
2020-03-19 16:03:583021 也是康佳自去年发布8K的Micro LED电视后，首次实现了5G+8K电视直播的落地和应用。有鉴于此，也被很多业界人士视为康佳Micro LED的5G直播首秀。
2020-06-15 16:55:133426 的技术成果开始一一展现。现在市场上已可见到搭载MiniLED背光技术的显示产品，Micro LED的示范技术也持续突破演进。
2020-07-21 10:27:022372 
据报道，德国硅基氮化镓专家ALLOS Semiconductors宣布与沙特阿卜都拉国王科技大学（KAUST）研究团队达成合作，双方将共同研发高效硅基InGaN红色Micro LED。
2020-07-22 14:51:48576 前不久，康佳发布了全球首款Micro LED手表，并引起了行业高度重视。然而，除此款产品爆火外，康佳还研发出了P0.375全球首个玻璃基板上最小间距的Micro LED显示屏。相关人士坦言，康佳
2021-01-18 11:26:315103 以康佳为代表的国内彩电厂商已经开始加快在Mini/Micro LED领域的研发生产进程。
2020-11-11 10:16:113194 国产氮化镓快充研发取得重大突破，三大核心芯片实现自主可控，性能达到国际先进水准。氮化镓（gallium nitride，GaN）是下一代半导体材料，其运行速度比旧式传统硅（Si）技术加快了二十
2020-12-18 10:26:523387 今天，2020 重庆 Micro LED 产业创新论坛暨康佳半导体显示技术及产品发布会开幕，在会上，康佳集团正式发布了 APHAEA Micro LED 未来屏产品矩阵，涵盖点间距从 P1.2
2020-12-19 10:14:593069 至P0.12等多形态、多场景小间距产品，加快实现全场景显示应用。其中，康佳集团全球首发Micro LED手表APHAEA Watch，其搭载的P0.12 AM-LTPS Micro LED微晶屏，点间距
2020-12-21 17:03:36961 近日，加拿大Micro LED初创企业VueReal宣布其专有的倒装芯片Micro LED结构研究获得突破，可实现垂直LED结构所具有的高良率和低成本特点，良率超99.9%。
2020-12-23 15:55:02870 12月18日，康佳发布了全球首款Micro LED手表——APHAEA Watch，该手表采用的是2英寸的Micro LED微晶屏，续航时间可达35天。Micro LED手表的发布是中国第一次在显示技术领域走在了世界前面。
2020-12-23 17:22:101027 在“2020重庆Micro LED产业创新论坛暨康佳半导体显示技术及产品发布会”上，康佳集团发布全球首款Micro LED手表APHAEA Watch，以及以这款手表为代表的Micro LED未来屏产品矩阵。
2020-12-25 13:50:002100 LED的量产问题，据外媒报道称，加拿大公司VueReal宣布其Micro LED屏幕技术取得了突破，良率高达99.9996%。公司一直致力于研究倒装结构的Micro LED芯片。 据了解，VueReal的发光芯片大小仅为8微米，其生产过程基于两步台面工艺，跟其它厂商使用通孔工艺，这会导致结构
2020-12-30 10:27:383265 8月11日下午14：00，「UMicro 重塑新章」洲明Micro LED新品发布会在福永总部盛大召开。洲明集团显示产品线总裁田守进、Micro LED技术部总经理张金刚、产品管理部总经理万庚，在云端全方位展示洲明最新COB LED微间距的技术突破与产品研发成果。
2022-08-12 09:27:161279 “公司正在积极推进Micro LED产业化工作，已建成MicroLED全制程批量生产线，Micro LED芯片开始进入量产阶段。”
2022-08-29 15:13:41913 氮化镓（GaN）基Micro LED由于在新一代显示技术、高速可见光通信等方面有着广泛的应用前景，吸引了众多研究者的关注。相比于常规尺寸LED，Micro LED可实现更高的显示分辨率与更高的调制速率。
2023-02-01 10:18:56469 氮化镓技术是由美国物理学家威廉·贝克（William Beck）于1962年突破的技术。（该答案未能证实） 1993年，Nichia公司首先研制成发光亮度超过lcd的高亮度GaInN/AlGaN异质结蓝光LED，使用掺Zn的GaInN作为有源层，外量子效率达到2.7%，峰值波长450
2023-02-16 17:48:442805 据高工LED调研了解，目前康佳已建成了 MLED 芯片量产线，自主研发的 4 吋Mini LED 芯片和Micro LED 芯片等高端芯片实现产业化，芯片整体性能、结构性与可靠性处于行业领先水平
2023-05-30 17:34:40370 对于半导体业务：一是保持技术领先，以市场为导向推动 Micro LED 的产业化。以客户需求为导向，对芯片、巨量转移技术持续攻关。二是以客户为导向，推动 Mini LED 的销售规模化。”康佳在半年报中划定了新目标。
2023-08-28 14:21:34400 采用国星光电自主研发的巨量转移技术路线，实现＞50多万颗Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，转移良率＞99.9%。此外，国星Micro LED研发平台未来还可支持12寸以内基板上芯片多次拼接键合。
2023-12-12 14:36:17234 氮化镓芯片（GaN芯片）是一种新型的半导体材料，在目前的电子设备中逐渐得到应用。它以其优异的性能和特点备受研究人员的关注和追捧。在现代科技的进步中，氮化镓芯片的研发过程至关重要。下面将详细介绍氮化
2024-01-10 10:11:39264
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