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英飞凌紧凑可靠型物联网逆变器 可提供高功率密度和大安全工作区

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的三相碳化硅(SiC)功率堆栈。该功率堆栈结合了 CISSOID的1200VSiC智能功率模块和Advanced Conversion的6组低ESR/ESL直流支撑(DC-Link)电容器,可进一步与控制器板和液体冷却器集成, 为电机驱动器的高功率密度和高效率SiC逆变器(见下图)的设计提供完整的硬件
2023-02-21 09:12:190

如何提高系统功率密度

功率器件领域,除了围绕传统硅器件本身做文章外,材料的创新有时也会带来巨大的性能提升。比如,在谈论功率密度时,GaN(氮化镓)凭借零反向复原、低输出电荷和高电压转换率等突出优势,能够帮助厂商大幅提升系统密度,而另一种主流的宽带隙半导体材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳选择。
2023-05-18 10:56:27741

功率半导体冷知识:功率器件的功率密度

功率半导体冷知识:功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45266

功率设备提升功率密度的方法

在电力电子系统的设计和优化中,功率密度是一个不容忽视的指标。它直接关系到设备的体积、效率以及成本。以下提供四种提高电力电子设备功率密度的有效途径。
2023-12-21 16:38:07277

英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度
2024-03-20 08:13:0574

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