电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>工业控制>浅谈SRAM芯片is62wv51216

浅谈SRAM芯片is62wv51216

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

STM32 FSMC操作SRAM的步骤简析

本次操作的SRAM的型号是IS62WV51216,是高速,8M位静态SRAM。它采用ISSI(Intergrated Silicon Solution, Inc)公司的高性能CMOS技术,按照512K个字(16)位进行组织存储单元。
2023-07-22 14:58:561092

SRAM芯片EMI504HL08WM-55I的相关资料推荐

SRAM存储器可兼容IS61WV25616EDBLL-8BLI的参考:英尚微推荐一款国产SRAM芯片EMI504HL08WM-55I,由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。支持工业温度范围和芯片级封装
2021-12-03 08:17:27

FSMC和LCD的控制究竟是什么关系?

看了好几遍视频,也没太搞明白FSMC和LCD的控制究竟是什么关系,没有FSMC的话芯片能不能控制LCD,为什么要用FSMC啊?而且,在给的原理图上,LCD的数据线既和IS62WV51216相连,又和芯片相连,这是为什么啊?如果没有IS62WV51216的话芯片究竟能不能控制LCD?
2020-05-14 22:40:31

FSMC扩展SRAM,它的地址可以令其自动分配吗

现在扩展的SRAM可以手动分配地址进行读写了,但手动觉得比较麻烦, 传说修改改链接脚本文件可以实现地址自动分配,修改改链接脚本文件是指MDK中红色圈中的设置吗,如下:SRAM51216,挂到NOR
2020-06-03 04:35:09

IS25WP016D-JULE-TR进口原装正品假一赔十

深圳市轩成微电子专营ISSI进口原装正品IC存储器,欢迎联系。QQ:2851185157SRAMIS61WV25616BLL-10TLIIS61WV51216EDBLL-10TLIIS62WV51216BLL-55TLIDRAMIS42S16400J-7TLIIS42S16160J-7TLIIS42S16320F-7TLIFLASHIS25LP016D-JNLE-TRIS25LP256D-JMLE-TRIS25WP080D-JULE-TR我司郑重承诺:“只做全新进口原装正品,假一罚万。”
2018-11-13 15:37:42

IS61WV51216ALL

IS61WV51216ALL - 512K x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY - Integrated Silicon Solution, Inc
2022-11-04 17:22:44

IS61WV51216EEBLL-10TLI

IS61WV51216EEBLL-10TLI
2023-04-06 23:35:32

IS62WV51216ALL-70TI

IS62WV51216ALL-70TI - 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM - Integrated Silicon Solution, Inc
2022-11-04 17:22:44

IS62WV51216BLL-45B

IS62WV51216BLL-45B - 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM - Integrated Silicon Solution, Inc
2022-11-04 17:22:44

IS62WV51216BLL-55BLI

IS62WV51216BLL-55BLI
2023-03-28 15:02:07

IS62WV51216BLL-55TI

IS62WV51216BLL-55TI - 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM - Integrated Silicon Solution, Inc
2022-11-04 17:22:44

IS62WV51216BLL-70XI

IS62WV51216BLL-70XI - 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM - Integrated Silicon Solution, Inc
2022-11-04 17:22:44

LWIP移植ping不通该怎么办?

大家好,原子的LWIP网络例程的PHY芯片是LAN8720的,我手里有个F407系统板(板子带有IS62WV51216外部SRAM)和DP83848PHY模块,如果想让原子的例程在这上跑的话,是不是
2019-10-10 01:46:47

LY62L51216

LY62L51216 - 512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.
2022-11-04 17:22:44

LY62L51216E

LY62L51216E - 512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.
2022-11-04 17:22:44

LY62L51216GL

LY62L51216GL - 512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.
2022-11-04 17:22:44

LY62L51216GV

LY62L51216GV - 512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.
2022-11-04 17:22:44

LY62L51216ML

LY62L51216ML - 512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.
2022-11-04 17:22:44

LY62L51216MV

LY62L51216MV - 512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.
2022-11-04 17:22:44

LY62L51216UL

LY62L51216UL - 512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.
2022-11-04 17:22:44

LY62L51216UV

LY62L51216UV - 512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.
2022-11-04 17:22:44

LY62W5128WV

LY62W5128WV - 512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.
2022-11-04 17:22:44

LwIP移植分享!

基于硬件层:STM32F407IGT6 + DP83848 + S29GL128P + NAND(型号不记得了)+ IS62WV51216BLL + VS1003B + OV7670
2019-10-08 05:30:16

STM32 探索者f407开发板资源描述 精选资料分享

IS62WV51216,1M字节◆外扩SPI FLASH:W25Q128,16M字节◆1个电源指示灯(蓝色)◆2个状态指示灯(DS0:红色,DS1:绿色)◆1个红外接收头,并配备一款小巧的红外遥控器◆1个 EEPROM芯片,24C02,容量256字节◆1个六轴(陀螺仪
2021-08-20 06:11:08

STM32F103ZET6开发板ZET6芯片有何特性

开发板外置了1M字节外部SRAM芯片IS62WV51216)1M字节(即512K*16位)其中512K是由19根地址线决定,219=512K; 16位是由16根数...
2022-02-21 07:14:28

STM32F103开发板的功能

在PB8)3,按键KEY0(PE4)/KEY1(PE3)/KEY2(PE2)/KEY_UP(PA0,也称之为WK_UP)4,外部SRAM(IS62WV51216,通过FSMC驱动,FSMC_...
2021-08-11 07:38:36

STM32F4驱动外部SRAM芯片XM8A51216介绍

STM32F4驱动外部SRAM芯片XM8A51216
2021-01-08 07:29:25

STM32单片机扩展外部SRAM

SRAM芯片连接。 SRAM型号IS62WV51216,管脚图如下: IS62WV51216的管脚总的来说大致分为:电源线、地线、地址线、数据线、片选线、写使能端、读使能端和数据掩码信号线
2020-05-07 15:58:41

STM32外扩SRAM芯片IS62wv51216兼容替换相关资料推荐

容量的单片机,除了价格贵还需要涉及其他被动器件的更改,STM32系列可以通过FMSC接口外扩并口SRAM,比如采用ISSI的IS62WV51216IS62WV51216 SRAM芯片是一个8M容量
2022-02-11 06:39:36

STM32外扩的SRAM芯片IS62wv51216兼容替换

STM32外扩SRAM芯片IS62wv51216兼容替换
2021-01-04 07:55:05

STM32接外部SRAM详解

不太够用IS62WV51216 简介IS62WV51216 是 ISSI(IntegratedSiliconSolution,Inc)公司生产的一颗 16 位宽 512K(512*16,即 1M 字节
2018-07-02 07:20:15

STM32操作外部扩展RAM数据耗时很长的原因

分析IS62WV51216BLL的读写时序图和时间特性参数,得到较合理的时间参数,大大优化了外部RAM的操作时间。下面先介绍下前面3个参数:1.Address setup time: 从设置引脚地址开始到能够读取数据的时间段2.Data setup time: 设置完地址后,能够读取数据总线的时间段3.Bus
2021-12-03 06:43:54

STM32的FSMC外扩SRAM(IS62wv51216Bll)

 我用STM32的FSMC外扩SRAM(IS62wv51216Bll),现在遇到了只能写一次,能读出来显示,但是第二次就写不进了。如果断了电再写就可以,但还是只能写一次,代码是照战舰上写的,,,,,,求大神指点一下,急用
2018-10-04 09:12:14

XM8A51216芯片的特点及功能框图

XM8A51216芯片的特点XM8A51216功能框图XM8A51216原理图
2021-04-02 07:12:22

stm32f103zet6外扩SRAM如何选择

品牌的一款低功耗并口SRAM产品型号为EM680FV8BU-55LF,速度为55ns,或者ISSI品牌 IS62WV51216BLL都是可以满足外扩SRAM的需求,如果在单片机PIN脚不足的情况下有采用
2019-02-27 17:00:34

「ALIENTEK 探索者 STM32F407 开发板资料连载」第四十一章 外部 SRAM 实验

不太够用,所以探索者 STM32F4 开发板板载了一颗 1M 字节容量的 SRAM 芯片:XM8A51216,满足大内存使用的需求。本章,我们将使用 STM32F4 来驱动 XM8A51216,实现
2020-06-13 10:19:36

为什么STM32F4开发板要搭载SRAM芯片

,所以STM32F4开发板板载了一颗1M字节容量的SRAM芯片,XM8A51216,满足大内存使用的需求。英尚微将使用STM32F4来驱动XM8A51216,实现对XM8A51216的访问控制
2021-07-28 08:40:12

交叉引用LY62L51216ML-55SLI和IS62WV1288DBLL-45HLI

亲爱的柏树你好。请让我知道下面的交叉参考部分。如果我们也能得到规格比较表,我会很高兴。LY62L51216ML-55 SISLAMLYLYNTETECHIS62WV1288 DBLL—45
2018-09-04 14:39:28

什么是数码功放?浅谈数码功放

什么是数码功放?浅谈数码功放
2021-06-07 06:06:15

关于SRAM/FRAM接口设计的问题求助

JST 2014# DO NOT MODIFY# # SRAM "IS61WV51216" v1.0# me 2014.12.15.20:44:28# 16bit SRAM
2014-12-15 20:06:08

关于CPU的I/O接到其他芯片的配置脚的设计方式

请教大家一个问题:做电路原理图设计时,CPU的I/O接到其他芯片的配置引脚时一般采用何种设计方式?有何设计规则?例:STM32F103VET的I/O接到一款SRAM(IS62WV51216
2016-05-05 11:26:57

关于雅特力AT32F403A XMC复用模式驱动SRAM芯片

型号:IS66WV51216EBLL,锁存器型号:74LVC273,mcu型号:AT32F403AVC,雅特力 名词解释:XMC ADDRST ,地址建立时间,最大值15,实测最少设置2,否则nADV锁存信号拉不下来,地址无法锁
2024-01-04 10:46:19

外部SRAM的相关资料下载

文章目录IS62WV51216特点框图FSMC驱动原理IS62WV5121616位宽512K容量的CMOS静态SRAM芯片特点高速;低功耗;兼容TTL电平;全静态操作;三态输出;字节控制功能。框图
2021-12-10 08:14:35

如何使用STM32CubeMX配置STM32F407ZGT6 的硬件

本篇详细的记录了如何使用STM32CubeMX配置 STM32F407ZGT6 的硬件FSMC外设与 SRAM 通信(IS62WV51216)。1. 准备工作硬件准备开发板首先需要准备一个开发板
2021-08-10 07:56:27

如何寻找芯片IS61LV51216的替代品

贴片,44脚的IS61LV51216是一个8M容量,结构为512K*16位字长的高速率SRAM,它的替代品有?码库网上没查到呀?怎么去找呢?
2016-05-17 17:34:24

小白问下,SRAM IS61LV25616和IS62WV51216接口是否相同

如题
2019-04-17 09:58:40

板子Solder层没有绿油

1、做了板子,工厂将焊盘周围的紫色Solder层的绿油都去了,不是说只要不在紫色Solder层上走线就没有影响吗,为什么把周围的绿油都给去了?2、外部SRAM芯片IS62WV51216芯片资料的封装有些问题,引脚并不能很准确的对准。
2019-05-10 01:23:06

灵动微课堂 (第189讲) | 使用MM32F3270 FSMC驱动SRAM

SRAMIS62WV51216,其原理框图如下:图1SRAM原理框图表3SRAM引脚信号IS62WV51216的数据按 16 位的Half Word寻址,容量1M字节。IS62WV51216可以
2021-11-10 09:22:31

IS62WV51216扩充SRAM,内存初始化一段时间后mymalloc分配地址失败是什么原因

想用IS62WV51216扩充SRAM,使用了正点原子的mymalloc内存管理,但是内存初始化后一段时间就mymalloc分配地址失败,发现是内存状态表全部不为0,换了一块IS62WV5121还是一样,有大佬知道可能是什么原因不
2023-08-07 08:28:34

IS62WV51216扩充SRAM,内存初始化后一段时间就mymalloc分配地址失败的原因?

想用IS62WV51216扩充SRAM,使用了正点原子的mymalloc内存管理,但是内存初始化后一段时间就mymalloc分配地址失败,发现是内存状态表全部不为0,换了一块IS62WV5121还是一样,有大佬知道可能是什么原因不
2024-03-18 06:10:11

请问图片一幅JPG的图片为什么那么慢?

从W25Q64中读出一幅图片致IS62WV51216缓存中,然后再显示出来,但是我发现显示的速度很慢.到底是芯片读写的时钟慢还是程序有问题呢,请指点.ALL.rar (18.33 MB )
2020-03-27 03:10:12

静态随机存储器SRAM

IS62C256AL IS62C1024 IS62C512 IS61LV256AL IS61WV64416BLL IS63WV1288DALL/DBLL IS62WV20488ALL/BLL
2010-09-03 13:05:24

IS61LV51216英文资料

IS61LV51216数据手册,下来看看。
2016-12-16 22:45:0416

8mb低电压超低功耗伪CMOS静态存储器IS66/67WV51216DBLL

TheISSI IS66WV51216DALL and IS66/67WV51216DBLL are high-speed, 8M bit static RAMs organized as 512K
2017-09-20 10:49:223

256K×16低电压超低功耗CMOS静态存储器IS62WV25616BLL

The ISSI IS62WV25616ALL/IS62WV25616BLL are highspeed, low power, 4M bit SRAMs organized as 256K
2017-09-20 11:24:2414

低电压超低功耗CMOS静态存储器IS62WV12816BLL

The ISSI IS62WV12816ALL/ IS62WV12816BLL are highspeed, 2M bit static RAMs organized as 128K words
2017-09-20 11:30:384

128K×8低电压超低功耗CMOS静态存储器IS62WV1288DALL/DBLL

TheISSIIS62/65WV1288DALLandIS62/65WV1288DBLL are high-speed, 1M bit static RAMs organized as 128K
2017-09-20 11:41:0012

Netsol(韩国Samsung SRAM事业部前身​)可与 ISSI(芯成),Lyontek(来扬),Cypress(赛普拉斯),BSI(连邦)完全替代兼容

Netsol的前身为韩国Samsung SRAM事业部,分立出来后一直致力于SRAM芯片的研发与创新,在SRAM领域拥有比较完整的产品线:Quadruple / DDR SRAM
2018-07-05 16:54:16692

IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL超低功耗CMOS静态RAM详细资料概述

ISSI IS62WV51216ALU/IS62WV51216BLL是高速、8M位静态RAM,由512K字组成,由16位组成。它是利用ISSI的高性能CMOS技术制作的。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合,产生高性能和低功耗的设备。
2018-07-24 08:00:0050

微雪电子IS62WV51216BLL SRAM存储模块简介

IS62WV51216BLL SRAM存储模块 8M Bit SRAM外扩存储 提供测试程序(STM32) 型号 IS62WV51216BLL SRAM Board
2019-12-30 09:34:484109

微雪电子IS62WV12816BLL SRAM存储模块简介

IS62WV12816BLL SRAM存储模块 2M Bit SRAM外扩存储 提供测试程序(STM32) 型号 IS62WV12816BLL SRAM Board
2019-12-30 09:43:431888

IS61WV51216ALL系列高速8M位静态RAM的数据手册免费下载

ISIS为61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位静态RAM,16位组成512K字。它是用ISSI的高性能CMOS工艺制造的。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术
2019-12-02 08:00:0010

SRAM芯片is62wv51216简介

ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计
2020-03-25 15:44:1115974

带ECC的CMOS汽车异步SRAM

ISSI IS61/64WV5128EDBLL描述 ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速异步SRAM,4,194,304位静态RAM,组织为524,288字乘8位,采用ISSI
2020-04-03 16:40:041094

国产SRAM芯片XM8A51216随机X型存储器

兼容,并且满足各种应用系统对高性能和低成本的要求,XM8A51216也可以当做异步SRAM使用,称为新型国产SRAM芯片也不为过, XM8A51216是基于TLC DRAM(三态 DRAM
2020-04-30 15:00:285834

ISSI代理超低功耗SRAM IS62WV102416DBLL

美国ISSI主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要为汽车,通信,数字消费者以及工业和医疗等市场提供存储器产品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit静态RAM
2020-05-28 15:30:26929

ISSI IS62WV20488EALL低电压2Mx8并口SRAM

ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM,组织为2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺
2020-06-01 15:06:08862

STM32F4开发板STM32F4如何驱动外部SRAM芯片

国产存储芯片的底层技术攻关和相关科研工作,从而推动国家存储芯片设计前端产业变革和更进一步的发展。接下来星忆代理商英尚微电子介绍STM32F4开发板STM32F4如何驱动外部SRAM芯片。XM8A51216。 STM32F407ZGT6自带了192K字节的SRAM,对一般应用来
2020-07-01 15:07:092697

低功耗SRAM芯片IS62WV102416DALL的特点和功能

ISSI IS62WV102416DALL,IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS16Mbit静态RAM,组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠
2020-07-22 15:27:122643

STM32系列可以通过FMSC接口来实现外扩并口SRAM

容量的单片机,除了价格贵还需要涉及其他被动器件的更改,STM32系列可以通过FMSC接口外扩并口SRAM,比如采用ISSI的IS62WV51216IS62WV51216 SRAM芯片是一个8M容量
2020-08-03 15:37:492514

XM8A51216V33A在功能上等效于异步SRAM

XRAM是一种新的内存架构,旨在以具有竞争力的价格提供高密度和高性能RAM.XRAM使用先进的DRAM技术和自刷新架构来显着提高内存密度,性能并简化用户界面。 XM8A51216V33A在功能上
2020-09-09 11:44:111758

SRAM在主机断电后适合用在需高速数据传输的设备当中?

容量的单片机,除了价格贵还需要涉及其他被动器件的更改,STM32系列可以通过FMSC接口外扩并口SRAM,比如采用ISSI的IS62WV51216
2020-10-07 10:57:001096

STM32系列可通过FMSC接口外扩并口SRAM

容量的单片机,除了价格贵还需要涉及其他被动器件的更改,STM32系列可以通过FMSC接口外扩并口SRAM,比如采用ISSI的IS62WV51216IS62WV51216 SRAM芯片是一个8M容量
2020-09-19 10:45:474248

512Kx16低压超低功耗sram的主要特征有哪些

IS62WV51216EBLL是高速8M位sram,组织为512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。 当CS1
2021-01-20 17:10:501070

IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL超低功耗CMOS静态RAM的数据手册

LM158系列由两个独立的高增益内部频率补偿运算放大器组成,专门设计用于在宽电压范围内从单一电源工作。也可以使用分体式电源进行操作,并且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。
2021-02-25 15:44:0022

国产SRAM芯片EMI502NL16LM可替代IS61WV12816FALL

SRAM是随机存取存储器的一种。静态是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。因此SRAM具有较高的性能,SRAM也有许多种,如Async SRAM (A异步SRAM)、Sync SRAM (同步SRAM)等。
2021-04-26 16:21:001101

低功耗SRAM存储器IS62WV1288DALL的特征

ISSI公司主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM存储芯片。还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。主要是应用在汽车、通信、数字消费以及工业和医疗市场的设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者。
2021-08-24 17:25:57682

推荐一款单片机外扩SRAM芯片EMI504HL08WM-55I可兼容IS61WV25616EDBLL-8BLI

是外扩SRAM存储器可兼容IS61WV25616EDBLL-8BLI的参考:英尚微推荐一款国产SRAM芯片EMI504HL08WM-55I,由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。支持工业温度范围和芯片级封装,以使用户灵活地进行系统设计。该系列还支持低数据保持电压,以低数据保持电流实现电池备份操作。 位宽512
2021-11-23 17:36:3913

cubeMX设置STM32扩展外部RAM (IS62WV51216BLL) 时序说明

分析IS62WV51216BLL的读写时序图和时间特性参数,得到较合理的时间参数,大大优化了外部RAM的操作时间。下面先介绍下前面3个参数:1.Address setup time: 从设置引脚地址开始到能够读取数据的时间段2.Data setup time: 设置完地址后,能够读取数据总线的时间段3.Bus
2021-11-23 17:36:4121

STM32 利用CubeIDE (cubemx)配置FSMC 驱动SRAM-----IS62WV51216

基于STM32F103ZET6(正点原子战舰)SRAM芯片接线图cube配置图简单读写测试代码/* USER CODE BEGIN Includes */#define
2021-11-23 17:51:228

STM32基于FSMC的SRAM扩展

于一些需要采集处理较多数据.应用算法或使用GUI等场合,内置的SRAM就显得捉襟见肘了,这时就需要扩展SRAM了。IS61LV51216是ISSI公司生产的常用16位SRAM异步存储芯片,内部512k存储容量足以满足多数场合应用需求,存取时间8~12ns ,全静态操作,不需时钟或刷新,兼容TTL标准接口
2021-11-26 19:51:0618

STM32外扩SRAM芯片IS62wv51216兼容替换

容量的单片机,除了价格贵还需要涉及其他被动器件的更改,STM32系列可以通过FMSC接口外扩并口SRAM,比如采用ISSI的IS62WV51216IS62WV51216 SRAM芯片是一个8M容量
2021-12-08 10:51:0415

ISSI低功耗SRAM芯片IS62WV12816DBLL

的不断提升,存储器占据芯片的功耗比例越来越大,高速低功耗的SRAM设计变得越来越重要。 ISSI IS62WV12816DBLL-55TI是高速2M位静态RAM,位宽为16x128K字。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可产生高性
2021-12-21 16:34:391137

stm32存储资源详解

开发板外置了1M字节外部SRAM芯片IS62WV51216)1M字节(即512K*16位)其中512K是由19根地址线决定,219=512K; 16位是由16根数...
2021-12-24 19:43:1213

用于替换IS62WV51216EBLL-45TLI的国产SRAM芯片

IS62WV51216EBLL-45TLI SRAM芯片是一个8M容量,组织结构为512K*16的高速率低功耗静态随机存储器。 采用高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准再加创新的电路设计技术
2022-01-26 14:39:571618

超低功耗CMOS静态RAM IS62WV51216ALL/BLL数据手册

ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,由16个512K字组成位。它是使用ISSI的高性能CMOS制造的技术这个高度可靠的过程与创新的电路设计技术,产生高性能和低功耗的器件。
2022-09-29 10:14:322

R1WV6416R 数据表

R1WV6416R 数据表
2023-04-21 19:09:480

已全部加载完成