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快速60V高压侧N沟道MOSFET驱动器提供100%占空比能力

2017年09月11日 09:36 次阅读

加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA) – 2017 年 9 月 7 日 – 亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology CorporaTIon) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7004,该器件用高达 60V 的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关,从而使该器件能够保持接通时间无限长。LTC7004 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟,容易地驱动栅极电容很大的 MOSFET,非常适合高频开关和静态开关应用。

LTC7004 可用来接收以地为基准的低压数字输入信号,并快速驱动一个漏极可以在 0V 至 60V (65V 绝对最大值) 的高压侧 N 沟道功率 MOSFET。LTC7004 在 3.5V 至 15V 驱动器偏置电源范围内运行,具可调欠压闭锁。当驱动 1000pF 负载时,很短的 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。其他特点包括可调接通转换率和可调过压闭锁。

LTC7004 采用 MSOP-10 封装,具有针对高压间隔配置的引脚。该器件有 3 种工作结温范围,扩展和工业级版本的范围为 –40°C 至 125°C,高温汽车级版本的范围为 –40°C 至 150°C,军用级的范围为 –55°C 至 125°C。千片批量的起始价为每片 2.05 美元。如需更多信息,请登录 www.linear.com.cn/product/LTC7004

快速60V高压侧N沟道MOSFET驱动器提供100%占空比能力

照片说明:快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 静态开关驱动器

性能概要: LTC7004

· 宽 VIN 工作范围:0V 至 60V (65V 绝对最大值)

· 内部充电泵提供 100% 占空比能力

· 1Ω 下拉、2.2Ω 上拉电阻实现很短的接通和断开时间

· 很短的 35ns 传播延迟

· 可调的接通转换率

· 3.5V 至 15V 栅极驱动器电源

· 可调驱动器电源 VCC 欠压闭锁

· 可调 VIN 过压闭锁

· CMOS 兼容输入

本文给出的报价仅供预算之用。各地报价可能因当地关税、各种税款、费用以及汇率不同而有所分别。

3月10日,ADI完成对卓越的高性能模拟集成电路公司凌力尔特之收购。收购凌力尔特之后,ADI 进一步增强了技术实力。有关此次收购的详情,请登录http://lt.linear.com/07c

Analog Devices 公司简介

Analog Devices, Inc. (纳斯达克股票代码:ADI) 是全球领先的高性能模拟技术公司,致力于解决最棘手的工程设计难题。我们使客户能够利用无与伦比的技术进行检测、测量、供电、连接和解读,智能地在现实和数字领域之间架起桥梁,从而了解我们周围的世界。详情请浏览 www.analog.com/cn

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加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA)...

发表于 2017-07-14 16:08 297次阅读
快速 60V 保护的高压侧 N 沟道  MOSF...

快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET ...

加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA)...

发表于 2017-07-07 15:00 196次阅读
快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET ...

高能效创新:带给您非凡力量

安森美半导体近期完成了收购,在成为全球领先的完备功率解决方案的征程中迈出了重要一步。安森美半导体通过...

发表于 2017-06-27 17:01 277次阅读
高能效创新:带给您非凡力量

美高森美和Analog Devices公司在可扩...

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microse...

发表于 2017-06-20 14:33 334次阅读
美高森美和Analog Devices公司在可扩...

用GaN重新考虑功率密度

电力电子世界在1959年取得突破,当时Dawon Kahng和Martin Atalla在贝尔实验室...

发表于 2017-06-08 15:57 367次阅读
用GaN重新考虑功率密度

对更高功率密度的需求推动电动工具创新解决方案

电动工具中直流电机的优先配置已从有刷直流大幅转向更可靠、更有效的无刷直流(BLDC)解决方案。典型的...

发表于 2017-06-06 18:51 248次阅读
对更高功率密度的需求推动电动工具创新解决方案

Power Integrations推出紧凑、高...

美国加利福尼亚州圣何塞,2017年5月16日 – 中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技...

发表于 2017-05-19 15:45 254次阅读
Power Integrations推出紧凑、高...

Vishay公布2017年新“Super 12”...

宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 5 月5 日 — 日前,Vishay Intertec...

发表于 2017-05-08 09:51 403次阅读
Vishay公布2017年新“Super 12”...

什么是同步整流器?开关MOSFET较同步整流器在...

同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大...

发表于 2017-04-27 09:12 418次阅读
什么是同步整流器?开关MOSFET较同步整流器在...

Vishay新款30V MOSFET具有高功率密...

宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前,Vishay Interte...

发表于 2017-04-25 15:58 400次阅读
Vishay新款30V MOSFET具有高功率密...

电源设计小技巧31:如何选对同步降压 FET 电...

欲查看《电源设计小贴士》此前章节的内容,请点击下载 PDF合辑 (已收集1-10章和11-20章,2...

发表于 2017-04-18 18:08 201次阅读
电源设计小技巧31:如何选对同步降压 FET 电...

了解MOSFET产品说明书系列第 4 部分——脉...

欢迎场效应晶体管(FET)的爱好者们再度光临,阅读了解MOSFET产品说明书博客系列的第四部分!今天...

发表于 2017-04-18 12:32 231次阅读
了解MOSFET产品说明书系列第 4 部分——脉...

看懂MOSFET数据表系列第 3 部分——连续电...

嗨,我的FET狂热爱好者同行们,欢迎回到看懂MOSFET数据表博客系列的第3部分!今天我们来谈一谈M...

发表于 2017-04-18 11:47 231次阅读
看懂MOSFET数据表系列第 3 部分——连续电...

看懂MOSFET数据表系列第 5 部分——开关参...

最后,我们来到了这个试图破解功率MOSFET数据表的看懂MOSFET数据表博客系列的收尾部分。在这个...

发表于 2017-04-18 11:46 123次阅读
看懂MOSFET数据表系列第 5 部分——开关参...

看懂MOSFET数据表(第1部分)UIS/雪崩额...

在看到MOSFET数据表时,你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼,也一目了然(BVDS、RD...

发表于 2017-04-18 11:36 385次阅读
看懂MOSFET数据表(第1部分)UIS/雪崩额...

看懂MOSFET数据表系列第 2 部分——安全工...

嗨,我的FET狂热爱好者同行们,欢迎回到看懂MOSFET数据表博客系列的第2部分!作为一名功率MOS...

发表于 2017-04-18 11:35 400次阅读
看懂MOSFET数据表系列第 2 部分——安全工...

图腾柱 PFC 就要来了,你们准备好了吗?

由于经济原因和对环境的关注,电力转换系统效率变得越来越重要。80 Plus中定义的效率级别需要达到9...

发表于 2017-04-18 11:23 263次阅读
图腾柱 PFC 就要来了,你们准备好了吗?

负载开关比分立MOSFET更具优势

在知道用电之前,人们用蜡烛照明。这在过去是常用的能在黑暗中视物的照明方式,但灯泡的发明显然是更好的解...

发表于 2017-04-18 10:35 171次阅读
负载开关比分立MOSFET更具优势

GaN 器件解救 MOSFET 体二极管反向恢复

作为电源工程师,我们能够回忆起第一次接触到理想化的降压和升压功率级的场景。还记得电压和电流波形是多么...

发表于 2017-04-18 10:35 396次阅读
GaN 器件解救 MOSFET 体二极管反向恢复