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物联网将在未来十年继续为数字化业务创新带来新的机遇

2018年11月08日 09:22 次阅读

在11月4日至8日于西班牙巴塞罗那举行的Gartner Symposium/ITxpo 2018大会上,Gartner的分析师们探讨了物联网方面的机遇和陷阱。

Gartner公司今天着重介绍了几大战略性的物联网技术趋势,这些趋势将推动2018年至2023年的数字化业务创新。

Gartner的研究副总裁尼克•琼斯(Nick Jones)说:“物联网将在未来十年继续为数字化业务创新带来新的机遇,而许多新机遇有赖于新的或经过改进的技术。洞察创新物联网趋势的CIO们有机会领导本企业的数字化创新。”

物联网将在未来十年继续为数字化业务创新带来新的机遇

此外,CIO们应确保自己拥有必要的技能和合作伙伴,以支持关键的新兴物联网趋势和技术,因为到2023年,普通CIO负责的端点数量比今年要多三倍。

Gartner的分析师们在Gartner Symposium/ITxpo 2018大会上讨论了CIO如何引领企业以发现物联网机遇,并确保物联网项目取得成功。

Gartner列出了10个最具战略意义的物联网技术和趋势,除了带来新的体验和关系外,它们还将带来新的收入流和业务模式:

第一个趋势:AI

Gartner预测,2019年使用的联网物件将多达142亿个,到2021年总数将达到250亿个,它们会生成大量的数据。琼斯先生说:“数据可谓是助推物联网的燃料,而企业解读数据的能力将决定其能否取得长期成功。AI将应用于一系列广泛的物联网信息,包括视频、静态图像、语音、网络流量活动和传感器数据。”

AI的技术格局很复杂,这种情形会持续到2023年,许多IT供应商大力投入于AI,AI的多种形式相互共存,新的基于AI的工具和服务不断涌现。尽管面临这种复杂情形,但有望在众多物联网场景下用AI获得良好的成效。因此,CIO们要借助在物联网战略中充分利用AI的工具和技能来打造企业组织。

第二个趋势:兼顾社会、法律和道德问题的物联网

随着物联网不断成熟、得到更广泛的部署,众多社会、法律和道德问题会越来越重要。这包括数据的所有权、算法偏差、隐私以及遵守《数据保护通用条例》等法规的情况。

琼斯先生说:“成功部署物联网解决方案要求该解决方案不仅技术上有效,而且社会上也可以接受。因此,CIO们必须在这方面教育自己和员工,考虑成立小组(比如道德委员会)来审查公司战略。CIO们还应该考虑请外部咨询公司审查关键的算法和AI系统,找出潜在的偏差。”

第三个趋势3:信息经济学和数据代理

去年Gartner对物联网项目开展的调查显示,35%的调查对象在出售或计划出售其产品和服务收集的数据。信息经济学理论让数据的这种变现更进了一步:将这视为战略性的业务资产,记录在公司账目中。到2023年,物联网数据的买卖将成为许多物联网系统的一个重要组成部分。CIO们必须向本企业宣讲与数据代理有关的风险和机遇,以便制定这方面所需的IT政策,并为本企业的其他部门提供建议。

第四个趋势:从智能边缘向智能网格转变

在物联网领域,从集中式和云计算向边缘架构的转变正在进行中。然而,这不是终点,因为与边缘架构有关的所有各层将演变成更非结构化的架构,这个架构包括动态网格连接起来的各种“物件”和服务。这种网格架构将支持更灵活、更智能、更迅即的物联网系统,不过其代价常常是更加复杂。CIO们必须为网格架构对IT基础设施、技能和采购方面带来的影响做好准备。

第五个趋势:物联网治理

随着物联网不断扩展,对于这种物联网框架的需要会变得越来越重要:确保创建、存储、使用和删除与物联网项目有关的信息方面有适当的行为。治理范围广泛,从简单的技术任务(比如设备审计和固件更新),到较为复杂的问题(比如设备控制和设备生成的信息的使用),不一而足。CIO们必须扮演向本企业宣讲治理问题的角色,在一些情况下要投入员工和技术来解决治理问题。

第六个趋势:传感器创新

传感器市场将持续发展至2023年。新的传感器让企业能够检测种类更广泛的情形和事件;目前的传感器会降价,变得更经济实惠,或者以新的方式加以包装以支持新的应用;还会出现新的算法,从目前的传感器技术中推断出更多信息。CIO们应确保其团队在密切关注传感器创新,找出有望带来新机遇和帮助业务创新的那些新技术。

第七个趋势:可信赖的硬件和操作系统

Gartner调查总是表明,对于部署物联网系统的企业来说,安全是最重要的技术问题。这是由于企业组织常常无法控制物联网项目中所用的软硬件的来源和性质。琼斯先生说: “然而到2023年,我们预计会看到结合部署硬软件,共同打造更可靠而安全的物联网系统。我们建议CIO们与首席信息安全官们合作,确保合适的员工参与审查涉及采购物联网设备和嵌入式操作系统的任何决策。”

第八个趋势:新颖的物联网用户体验

物联网用户体验涵盖众多的技术和设计方法。它将取决于四个因素:新的传感器、新的算法、新的体验架构及上下文以及社会感知体验。由于与没有屏幕和键盘的设备进行越来越多的交互,需要企业的用户体验设计师使用新的技术和拥有新的视角,那样才能打造这样的一流用户体验:减少摩擦、锁定用户、鼓励使用、留住用户。

第九个趋势:硅芯片创新

琼斯先生说:“目前,大多数物联网端点设备使用传统处理器芯片,低功耗ARM架构特别受欢迎。然而,传统的指令集和内存架构不是很适合端点需要执行的所有任务。比如说,深度神经网络的性能常常受到内存带宽的限制,而不是受到处理能力的限制。”

到2023年,预计新的专用芯片将降低运行深度神经网络所需要的功耗,以便带来新的边缘架构、嵌入式深度神经网络功能应用于低功耗物联网端点中。这将支持新的功能,比如与传感器整合的数据分析,以及内置在低成本电池供电设备中的语音识别。建议CIO们要留意这个趋势,因为支持嵌入式AI等功能的硅芯片反过来将让企业能够开发高度创新的产品和服务。

第十个趋势:面向物联网的新无线网络技术

物联网网络需要兼顾一系列彼此冲突的需求,比如端点成本、功耗、带宽、延迟、连接密度、运营成本、服务质量和传输距离。没有一种网络技术可以优化所有这些方面,新的物联网网络技术将为CIO们提供额外的选择和灵活性。尤其是,CIO们应探究5G、新一代低地球轨道卫星和反向散射网络。

Gartner给战略性技术趋势所下的定义是:具有巨大颠覆性潜力的趋势,正开始从一个新兴状态挣脱出来,拥有更广泛的影响力;或者是迅速发展且具有高度波动性的趋势,会在未来五年内达到引爆点。

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HDC2080器件是一款集成的湿度和温度传感器,可在小型DFN封装中以极低的功耗提供高精度测量。电容式传感器包括新的集成数字功能和加热元件,以消散冷凝和水分。 HDC2080数字功能包括可编程中断阈值,可提供警报和系统唤醒,无需微控制器连续监控系统。与可编程采样间隔,低功耗和1.8V电源电压相结合,HDC2080是专为电池供电系统而设计。 HDC2080为各种环境监测和物联网(IoT)应用提供高精度测量功能,如智能恒温器和智能家居助手。对于印刷电路板(PCB)区域至关重要的设计,可通过HDC2010获得较小的CSP封装选项,并与HDC2080完全兼容。 对于具有严格功率预算限制的应用,自动测量模式使HDC2080能够自动启动温度和湿度测量。此功能允许用户将微控制器配置为深度睡眠模式,因为HDC2080不再依赖于微控制器来启动测量。 HDC2080中的可编程温度和湿度阈值允许器件发送硬件中断以在必要时唤醒微控制器。此外,HDC2080的功耗显着降低,有助于最大限度地减少自热并提高测量精度。 HDC2080出厂校准温度精度为0.2°C,相对湿度精度为2%。 特性 ...

发表于 2018-09-21 17:29 50次阅读
HDC2080 HDC2080 低功耗湿度和温度...

HDC2010 低功耗湿度和温度数字传感器

HDC2010是一款采用超紧凑WLCSP(晶圆级芯片级封装)的集成式湿度和温度传感器,能够以超低功耗提供高精度测量.HDC2010的传感元件位于器件底部,有助于HDC2010免受粉尘,灰尘以及其他环境污染物的影响,从而更加稳定可靠。电容式传感器包括新的集成数字特性和用于消散冷凝和湿气的加热元件.HDC2010数字特性包括可编程中断阈值,可提供警报/系统唤醒,而无需微控制器持续监控系统。同时,HDC2010具有可编程采样间隔,固有功耗较低,并且支持1.8V电源电压,非常适合电池供电系统。 HDC2010为各种环境监测应用和物联网(IoT)(如智能恒温器,智能家居助理和可穿戴设备)提供高精度测量功能.HDC2010还可用于为冷链运输和易腐货物的储存提供临界温度和湿度数据,以帮助确保食品和药物等产品新鲜送达。 ħ DC2010经过工厂校准,温度精度为0.2°C,相对湿度精度为2%,并配备了加热元件,可消除冷凝和湿气,从而增加可靠性.HDC2010支持的工作温度范围为-40°C至125 °C,相对湿度范围为0%至100%。 特性 相对湿度范围为0%至100% 湿度精...

发表于 2018-09-21 17:24 2次阅读
HDC2010 低功耗湿度和温度数字传感器

DRV5012 超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器

DRV5012器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。™ 当南磁极靠近封装顶部并且超出B OP 阈值时,该器件会驱动低电压。输出会保持低电平,直到应用北极并且超出B RP 阈值, B OP 和B RP 以提供可靠切换。 p> 通过使用内部振荡器,DRV5012器件对磁场进行采样,并根据SEL引脚以20Hz或2.5kHz的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。 此器件通过1.65V至5.5V的V CC 工作,并采用小型X2SON封装。 特性 行业领先的低功耗特性 可通过引脚选择的采样率: SEL =低电平:使用1.3μA(1.8V)时为20Hz SEL =高电平:使用142μA(1.8V)时为2.5kHz V CC 工作电压范围为1.65V至5.5V 高磁性灵敏度:±2mT(典型值) 可靠磁滞: 4mT(典型值) 推挽式CMOS输出 小型纤薄X2SON封装 运行温度范围:-40°C...

发表于 2018-09-21 17:12 27次阅读
DRV5012 超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器

DRV5056-Q1 汽车类高精度 3.3V 或...

DRV5056-Q1器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测,应用范围广泛。 此模拟输出配备特色的单极磁响应,无磁场时可驱动0.6V的电压,存在南磁极时电压会升高。对于感应一个磁极的应用,此响应可以最大限度提高输出动态范围.4种灵敏度选项可以基于所需的感应范围进一步最大限度提高输出摆幅。 该器件由3.3V或5V电源供电。它可感测到到直管封装顶部的磁通量,两个封装选项提供不同的感应方向。 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 进行此时,该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体漂移,在广泛的-40°C至+ 150° C温度范围内实现线性特性。 特性 单极线性霍尔效应磁传感器 由3.3V和5V电源供电 模拟输出,提供0.6V静态失调电压: 最大限度提高电压摆幅以实现高精度 磁性灵敏度选项(V CC = 5V时): A1:200mV /mT,±20mT范围 A2:100mV...

发表于 2018-09-21 17:11 41次阅读
DRV5056-Q1 汽车类高精度 3.3V 或...

DRV5055-Q1 汽车类高精度 3.3V 或...

DRV5055-Q1器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测,应用范围广泛。 该器件由3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时,模拟输出可驱动1/2 V CC 。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化,四个灵敏度选项可以根据所需的检测范围提供最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压。 该器件可检测垂直于封装顶部的磁通量,两个封装选项提供不同的检测方向。 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为其基准电压时,可以消除此外,该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体温漂,在广泛的-40°C至+ 150°C温度范围内实现线性特性。 特性 比例式线性霍尔效应磁传感器 由 3.3V 和 5V 电源供电 模拟输出,提供 VCC/2 静态失调电压 磁性灵敏度选项(VCC = 5V 时): A1:100mV/mT,±21mT 范围 A2:50mV/mT,±42mT 范围 A3:25mV/mT,±85mT 范围 ...

发表于 2018-09-21 17:01 35次阅读
DRV5055-Q1 汽车类高精度 3.3V 或...

DRV5055 高精度 3.3V 或 5V 比例...

DRV5055器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测,应用范围广泛低功耗是一个关键问题。 该器件由3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时,模拟输出可驱动1 /2V CC 。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化,四个灵敏度选项可以根据所需的感应范围提供最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压。 它可检测垂直于封装顶部的磁通量,而且两个封装选项提供不同的检测方向。 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为其基准电压时,可以消除V CC 容差产生的误差。此外,该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体漂移,在较宽的-40°C至125°C温度范围内实现线性性能。 特性 所有商标均为其各自所有者的财产。 比例式线性霍尔效应磁传感器 由3.3V和5V电源供电 模拟输出,提供V CC /2静态失调电压 磁性灵敏度选项(V CC = 5V时): A1 :100mV /mT,±21mT范围 A2:...

发表于 2018-09-21 17:00 41次阅读
DRV5055 高精度 3.3V 或 5V 比例...

HDC1080 HDC1080 具有温度传感器的...

HDC1080是一款具有集成温度传感器的数字湿度传感器,其能够以超低功耗提供出色的测量精度.HDC1080支持较宽的工作电源电压范围,并且相比竞争解决方案,该器件可供各类常见应用提供低成本和低功耗优势。湿度和温度传感器均经过出厂校准。 特性 相对湿度精度为±2%(典型值) 温度精度为±0.2°C(典型值) 高湿度下具有出色的稳定性 14位测量分辨率 睡眠模式的电流为100nA 平均电源电流: 1sps,11位相对湿度(RH)测量时为710nA 1sps,11位RH与温度测量时为为1.3μA 电源电压范围:2.7V至5.5V 3mm x 3mm小型器件封装 I 2 C接口 应用 制热,通风与空调控制(HVAC) 智能温度调节装置和室温监视器 大型家用电器 打印机 手持式计量表 医疗设备 无线传感器(TIDA:00374,00484,00524) ...

发表于 2018-09-21 16:46 13次阅读
HDC1080 HDC1080 具有温度传感器的...

DRV5032 超低功耗 1.65V 至 5.5...

DRV5032器件是一款超低功耗数字开关霍尔效应传感器,专为最紧凑型系统和电池电量敏感型系统而设计。器件可提供多种磁性阈值,采样率,输出驱动器和封装以适配各种应用。™ 当施加的磁通量密度超过B OP 阈值时,器件会输出低电压。输出会保持低电压,直到磁通量密度低于乙 RP ,随后输出将驱动高电压或变成高阻抗,具体取决于器件版本。通过集成内部振荡器,该器件可对磁场进行采样,并以20Hz或5Hz的速率更新输出,以实现最低电流消耗。 此器件可在1.65V至5.5V的V CC 范围内工作,并采用标准SOT-23和小型X2SON封装。 特性 行业领先的超低功耗 5Hz版本:0.54μA,1.8V 20Hz版本:1.6μA,3V V CC 工作电压范围为1.65V至5.5V 磁性阈值选项(最大B OP ): 3.9 mT,最高灵敏度 4.8mT,高灵敏度 9.5 mT,中等灵敏度 63mT,最低灵敏度 ...

发表于 2018-09-21 16:40 29次阅读
DRV5032 超低功耗 1.65V 至 5.5...

LMT90 LMT90 - SOT-23 单电源...

LMT90是一款精准的集成电路温度传感器,此传感器能够使用一个单一正电源来感测-40°C至+ 125°C的温度范围.LMT90的输出电压与摄氏(摄氏温度)温度(+ 10mV /°C)成线性正比,并且具有一个+ 500mV的DC偏移电压。此偏移在无需负电源的情况下即可读取负温度值。对于-40°C至+ 125°C的温度范围,LMT90的理想输出电压范围介于+ 100mV至+ 1.75V之间.LMT90在无需任何外部校准或修整的情况下即可在室温下提供±3°C的精度,并在整个-40°C至+ 125°C温度范围内提供±4°C精度.LMT90的晶圆级修整和校准确保了低成本和高精度.LMT90的线性输出,+ 500mV偏移和出厂校准简化了要求读取负温度的单电源环境中所需要的电路.LMT90的静态电流少于130μA,因此在空气不流动环境中自发热被限制在极低的0.2 °C水平上。 LMT90是一款具有 所有商标均为其各自所有者的财产。 应用范围 工业领域 制热,通风与空调控制(HVAC) 磁盘驱动器 汽车用 便携式医疗仪器 ...

发表于 2018-09-19 16:44 2次阅读
LMT90 LMT90 - SOT-23 单电源...

LMT86-Q1 具有 AB 类输出的 LMT8...

LMT86-Q1是精密CMOS温度传感器,典型精度为±0.4°C(最大值为±2.7°C),线性记录输出电压与温度。 2.2V电源电压工作,5.4μA静态电流和0.7ms上电时间,有效的功率循环架构可最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗。 LMT86-Q1器件符合AEC-Q100 0