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电子发烧友网>物联网>比NAND快千倍40nm ReRAM在中芯投产 2016年VR销量630万台

比NAND快千倍40nm ReRAM在中芯投产 2016年VR销量630万台

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台积电无奈出B计划:AMD下代显卡40nm工艺+混合架构 AMD曾在多个场合确认将在今年下半年发布全系列新显卡,我们也都期待着全新的
2010-04-01 09:17:50712

灿芯半导体第一颗40nm芯片在中芯国际验证成功

灿芯半导体(上海)有限公司与中芯国际今天共同宣布灿芯半导体第一颗 40nm 芯片在中芯国际一次性流片验证成功。
2011-06-22 09:16:331260

瑞萨电子开发出首款用于汽车实时应用的40nm工艺嵌入式闪存技术

瑞萨电子宣布开发出业界首款适用于汽车实时应用领域的40nm工艺嵌入式闪存技术。瑞萨电子也将是首先使用上述40nm工艺闪存技术,针对汽车应用领域推出40nm嵌入式闪存微控制器(MCU)的厂
2012-01-05 19:44:13797

意法爱立信发布首个40nm制造工艺的CG2905平台

意法·爱立信今天发布了业界首个采用40nm制造工艺的整合GPS、GLONASS、蓝牙和FM收音的平台CG2905。这款开创性产品将提高定位导航的速度和精度,推动市场对扩增实境应用和先进定位服务
2012-03-01 09:04:38783

最新调查: 2016VR头显销量将达291万台

集邦科技最新的市场调查认为,VR设备将受益于强劲的圣诞销售旺季,因为游戏设备是节日赠礼的首选之一。根据集邦科技的最新分析现实,全球VR设备(不包括移动VR)的年度出货量预计在2016年将达到291万台,至2017年将增长至510万台,增长率为75%。
2016-12-16 10:44:37933

中芯国际出样40nm工艺的ReRAM意义何在?

作为中国本土半导体制造的龙头企业,中芯国际(SMIC)的新闻及其取得的成绩一直是行业关注的焦点。2017新年伊始,其一如既往地吸引着人们的眼球。前几天,该公司宣布正式出样采用40nm工艺的ReRAM(非易失性阻变式存储器)芯片,并称更先进的28nm工艺版很快也会到来。
2017-01-17 09:40:003747

Crossbar公司与中芯国际合作的结晶:40nmReRAM芯片

目前在下一代存储芯片的研发当中,除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片(非易失性阻变式存储器)。2016年3月,Crossbar公司宣布与中芯国际达成合作,发力中国市场。其中,中芯国际将采用自家的40nm CMOS试产ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:553396

2016VR总产值达18亿美元

市场研究分析机构SuperData联合开发平台Unity发布的一份关于2016年虚拟现实市场的报告指出,虚拟现实市场在2016年总产值高达18亿美元,而VR头显设备的总销量达到630万台。
2017-02-07 08:28:41458

中芯国际出样40nm ReRAM存储芯片比NAND快一千倍

出样40nm ReRAM存储芯片,更先进的28nm工艺版很快也会到来,这种新型存储芯片比NAND闪存快一千倍,耐用一千倍
2018-11-01 16:07:162811

展讯推出集成无线连接40nm单芯片平台

关键词:SC6531 , 展讯 , 基带 集成FM与蓝牙的40nm GSM/GPRS基带SoC芯片大批量出货,并通过欧洲主要运营商验证 展讯通信有限公司 ( Spreadtrum),作为中国领先
2018-11-14 20:39:01419

富士康计划新建12英寸晶圆厂,将锁定28nm40nm制程

合作,一同成立合资企业,并在马来西亚新建一座12英寸晶圆工厂。 据了解,富士康提及到该工厂将会锁定28nm40nm制程,并且预计该晶圆厂投产后,每个月能够提供4万片的产能。目前市面上的微控制器、传感器、连接相关芯片等都广泛使用了28nm制程,因此例如台积电等制
2022-05-18 16:35:032398

IP_数据表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP

IP_数据表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:19:391

IP_数据表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP

IP_数据表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:20:310

IP 数据表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP

IP 数据表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:152

IP_数据表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP

IP_数据表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:26:530

IP_数据表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP

IP_数据表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:100

IP_数据表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2

IP_数据表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:040

IP_数据表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP

IP_数据表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:111

IP_数据表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP

IP_数据表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561

IP 数据表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP

IP 数据表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260

IP_数据表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP

IP_数据表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:510

IP_数据表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP

IP_数据表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241

IP_数据表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2

IP_数据表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122

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