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电容式数字隔离器的简化设计方案

2019年06月04日 14:44 次阅读

目前,有关电子设备使用和设计的安全规定层出不穷,使电流隔离器几乎成为所有数据采集和传输系统中的必需。避免控制系统低压电路在电场中遭受潜在的传感器和传动器组件高压损害的一种方法,就是使用数字隔离器

本文的目的在于告诉大家如何简化隔离系统设计,文章除描述电容式数字隔离器的基本功能,详细介绍如何在信号通路中安装隔离器外,还就如成功设计电路板提供了一些有价值的参考意见。

电容式数字隔离器的基本功能

图1显示了一个电容式数字隔离器的简化结构图,该隔离器由一个高速信号路径和一个低速信号路径组成。高速路径(蓝色部分)传输100kbps至150Mbps的信号,而低速路径(橙色部分)则传输100kbps以下信号至dc。

电容式数字隔离器的简化设计方案

图 1 电容式数字隔离器的简化结构图

蓝色部分所示路径中处理的高速信号被电容式隔离势垒分为多个快速瞬变脉冲群。随后的触发器(FF)将这些瞬态脉冲群转换成波形和相位均与输入信号一致的脉冲。内部看门狗(WD)检查高速信号边缘的周期性。在低频输入信号情况下,连续信号边缘间的持续时间超出了看门狗窗口。这样便迫使看门狗将输出开关位置从高速路径(位置1)改变为低速路径(位置2)。

低速路径比高速路径多出几个功能元件。因为低频输入信号要求隔离势垒禁止采用大电容,所以输入信号被用于对内部振荡器(OSC)的载波频率进行脉宽调制(PWM)。这就构成了一个非常高的频率,能够通过该电容势垒。由于输入得到了调制,因此必须在实际数据传输至输出端以前使用低通滤波器(LPF)去除其中的高频载波。

在信号链中的安装位置

数字隔离器分为单通道、双通道、三通道及四通道器件,可以实现单向和双向运行,它们的共有特性如下:

- 不符合任何特定接口标准;

- 使用3V/5V逻辑开关技术

- 专为电隔离数字、单端(SE)数据线而设计

虽然最后一点似乎是设计上的限制,然而图2却显示了如何对多种接口进行隔离,其中包括低压 SPI、高压RS232、差分USB和差分CAN/RS485。

电容式数字隔离器的简化设计方案

图 2 数字隔离器必须安装在隔离接口的单端部分中

所有接口都有一个相同点,那就是数字隔离器必须安装在隔离接口的单端3V/5V部分。

由于数字隔离器都具有1到2ns的升降时间,因此它们在长信号走线情况下往往易出现信号反射,其特性阻抗与隔离器输出的源阻抗不匹配。因此,我们建议在其相应数据接收装置和数据源(例如:控制器、驱动器、接收器和收发器等)附近安装一个隔离器。在设计中如果无法这样做,那么就必须使用受控的阻抗传输线。

PCB 设计指南

数字电路板而言,要使用标准FR-4环氧玻璃作为PCB材料,这是由于相比那些廉价材料,其不但符合UL94-V0要求,而且还拥有更少的高频介电损耗、更低的吸湿性、更大的强/硬度以及更高的阻燃特性。

要实现低电磁干扰(EMI)的PCB设计,这里推荐一个最少四层的设计实例(请参见图3),其从上到下分别为:高速信号层、接地层、电源层以及低频信号层。

电容式数字隔离器的简化设计方案

图 3 推荐的四层板叠层

在顶层布置高速走线为隔离器及其相应的驱动器提供了一目了然的连接。高速走线要短,并避免使用过孔,以此保证高速走线电感最低。

紧接着高速信号层放置一个平衡板面地线层,以确保接地层和信号走线之间存在强大的电气耦合。这样便建立起传输线互联的受控阻抗,同时也极大地减少了EMI。最终,平衡板面地线层为回流提供了一个非常好的低电感路径。

将电源层置于接地层下面。这两个参考层构成了一个大约为100pF/in2的附加高频旁路电容器

在底层布线低速控制信号。这些信号链路拥有足够的余量来承受过孔引起的中断,从而实现了更大的灵活性。

受控阻抗传输线是特性阻抗Z0始终受控于其几何特性的走线。走线长度大于15mm(tr=1ns)和 30mm(tr=2ns)时,走线阻抗必须要与隔离器输出阻抗Z0~rO匹配(如图4所示),使信号反射最小化。这被称为源阻抗匹配。

电容式数字隔离器的简化设计方案

图 4 源阻抗匹配:Z0 ~ rO

隔离器的动态输出阻抗r0,可以通过隔离器数据手册中列出的近似电压-电流输出特性线性部分得到。一般来说,标准输出阻抗大约为70Ω。因此,对一条标准的2盎司镀铜线和电介质为4.5的FR-4而言,接地层上8mm宽、10mm长的走线几何形状会产生所需的70Ω特性阻抗。

布线指南

建议遵循下列几条主要的布线原则,以保持信号完整性和低EMI。

为了将串扰降至10%以下,需保持信号走线是高速信号层到接地层距离的三倍(d=3h)。信号走线下的回流密度遵循1/[1+(d/h)2]函数,因此其在d》3h点上的密度会非常低,从而避免邻近走线中出现较大的串扰(请参见图5)。

电容式数字隔离器的简化设计方案

图 5 利用 d = 3h 来最小化串扰

使用45度走线弯曲(或者斜切式弯曲)而非90度弯曲,可保持有效的走线阻抗并避免信号反射。

为了实现在噪声环境下的工作,将隔离器的闲置启动输入通过一个电阻器(1kΩ到10kΩ)连接到合适的参考层。将高电平有效、高位允许输入连接到电源层,同时将低电平有效输入连接至接地层。

当过孔电感增加信号路径电感时,要避免各层随快速信号走线改变。

在隔离器与周围电路之间使用较短的走线长度可避免噪声引入。数字隔离器通常会带有隔离式DC/DC转换器,后者提供了跨越隔离层的电源。由于隔离器的单端传输信号对噪声引入过于敏感,因此邻近DC/DC转换器的开关噪声可以很容易被长信号走线引入。

将大容量电容(比如10μF)置于靠近电源如稳压器旁,或是在电源进入PCB的地方。

通过将电容的电源端直接连接至器件的电源端,然后经过孔连至Vcc层,在器件上安装小容量的0.1μF或0.01μF旁路电容。经数个过孔将电容接地端连接至接地层(请参见图6)。

电容式数字隔离器的简化设计方案

图 6 将旁路电容直接连接至 Vcc 终端

将多个过孔用于连接旁路电容和其他保护器件(例如:瞬态电压抑制器和齐纳二极管),从而最小化接地连接的过孔电感。

总结

尽管关于PCB设计的资料有很多,但本文主要提供一些涉及数字隔离器电路板设计的建议。遵循这些建议将有助于在最短的时间内完成一个符合EMC标准要求的电路板设计。

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ISO776x-Q1器件是具有5000 V RMS (DWpackage)和3000-的高性能六通道数字隔离器符合UL 1577标准的V RMS (DBQ封装)隔离额定值。此系列器件也通过VDE,CSA,TUV和CQC认证。 ISO776x-Q1系列器件提供高电平 - 低功耗时的电磁抗扰性和低发射,同时隔离CMOS或LVCMOS数字I /O.每个隔离通道都有一个逻辑输入和逻辑输出缓冲器,由双电容二氧化硅(SiO 2 )隔离栅隔开。 ISO776x-Q1系列器件提供所有可能的引脚配置,使得所有六个通道处于相同方向,或者一个,两个或三个通道处于反向,而其余通道处于正向。如果输入电源或信号丢失,对于没有后缀F且低的设备,对于带后缀F的设备,默认输出为高。请参阅设备功能模式< /em>部分进一步详细说明。 与隔离电源配合使用时,该系列器件有助于防止数据总线(如CAN和LIN)或其他电路上的电流进入本地并干扰或干扰或破坏敏感电路。通过创新的芯片设计和布局技术,ISO776x-Q1系列器件的电磁兼容性得到了显着增强,可简化系统级ESD,EFT,浪涌和辐射合规性。 ISO776x-Q1系列器件采用16引脚SOIC和SSOP封装。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q...

发表于 2019-01-08 17:50 50次阅读
ISO7762-Q1 EMC 性能优异的汽车类高...

ISO7041 超低功耗四通道数字隔离器

ISO7041器件是一款超低功耗,多通道数字隔离器,可用于隔离CMOS或LVCMOS数字I /O.每个隔离通道都有一个逻辑输入和输出缓冲器,由双电容二氧化硅(SiO 2 )绝缘屏障隔开。创新的基于边缘的架构与ON-OFF键控调制方案相结合,使这些隔离器能够消耗非常低的功率,同时符合UL1577的3000V RMS 隔离额定值。器件的每通道动态电流消耗低于120μA/Mbps,3.3 V时每通道静态电流消耗为4.2μA,允许在功率和热约束系统设计中使用ISO7041。 该器件可在低至2.25 V,高达3.6 V的电压下工作,并且在隔离栅的每一侧都具有不同的电源电压。四通道隔离器采用16-QSOP封装,采用16-QSOP封装,具有三个正向通道和一个反向通道。该设备具有defaultoutput高低选项。如果输入功率或信号丢失,ISO7041设备的默认输出高,对于带有F后缀的ISO7041F设备,没有后缀F和低。有关详细信息,请参阅 DeviceFunctional Modes 部分。 特性 超低功耗 每通道静态电流4.2μA(3.3 V) 15 μAperChannel,100 kbps(3.3 V) 116μA/通道,1 Mbps(3.3V) 鲁棒隔离屏 &gt; 100年预计寿命 3000V RMS 隔离额定值 ±100 kV /μs...

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ISO7041 超低功耗四通道数字隔离器

ISO7760-Q1 EMC 性能优异的汽车类高...

ISO776x-Q1器件是具有5000 V RMS (DWpackage)和3000-的高性能六通道数字隔离器符合UL 1577标准的V RMS (DBQ封装)隔离额定值。此系列器件也通过VDE,CSA,TUV和CQC认证。 ISO776x-Q1系列器件提供高电平 - 低功耗时的电磁抗扰性和低发射,同时隔离CMOS或LVCMOS数字I /O.每个隔离通道都有一个逻辑输入和逻辑输出缓冲器,由双电容二氧化硅(SiO 2 )隔离栅隔开。 ISO776x-Q1系列器件提供所有可能的引脚配置,使得所有六个通道处于相同方向,或者一个,两个或三个通道处于反向,而其余通道处于正向。如果输入电源或信号丢失,对于没有后缀F且低的设备,对于带后缀F的设备,默认输出为高。请参阅设备功能模式< /em>部分进一步详细说明。 与隔离电源配合使用时,该系列器件有助于防止数据总线(如CAN和LIN)或其他电路上的电流进入本地并干扰或干扰或破坏敏感电路。通过创新的芯片设计和布局技术,ISO776x-Q1系列器件的电磁兼容性得到了显着增强,可简化系统级ESD,EFT,浪涌和辐射合规性。 ISO776x-Q1系列器件采用16引脚SOIC和SSOP封装。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q...

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ISO7760-Q1 EMC 性能优异的汽车类高...

ISO7763-Q1 EMC 性能优异的汽车类高...

ISO776x-Q1器件是具有5000 V RMS (DWpackage)和3000-的高性能六通道数字隔离器符合UL 1577标准的V RMS (DBQ封装)隔离额定值。此系列器件也通过VDE,CSA,TUV和CQC认证。 ISO776x-Q1系列器件提供高电平 - 低功耗时的电磁抗扰性和低发射,同时隔离CMOS或LVCMOS数字I /O.每个隔离通道都有一个逻辑输入和逻辑输出缓冲器,由双电容二氧化硅(SiO 2 )隔离栅隔开。 ISO776x-Q1系列器件提供所有可能的引脚配置,使得所有六个通道处于相同方向,或者一个,两个或三个通道处于反向,而其余通道处于正向。如果输入电源或信号丢失,对于没有后缀F且低的设备,对于带后缀F的设备,默认输出为高。请参阅设备功能模式< /em>部分进一步详细说明。 与隔离电源配合使用时,该系列器件有助于防止数据总线(如CAN和LIN)或其他电路上的电流进入本地并干扰或干扰或破坏敏感电路。通过创新的芯片设计和布局技术,ISO776x-Q1系列器件的电磁兼容性得到了显着增强,可简化系统级ESD,EFT,浪涌和辐射合规性。 ISO776x-Q1系列器件采用16引脚SOIC和SSOP封装。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q...

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ISO7763-Q1 EMC 性能优异的汽车类高...

ISO7741-Q1 EMC 性能优异的汽车类高...

ISO774x-Q1器件是高性能四通道数字隔离器,可提供符合UL 1577的5000 V RMS (DW封装)和2500 V RMS (DBQ封装)隔离额定值。该系列器件的增强型隔离额定值符合VDE,CSA,TUV和CQC标准。 在隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)或者低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)数字I /O时,ISO774x-Q1 器件可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。绝离栅相隔离。该器件配有使能引脚,可用于将多个主驱动应用中的相应输出置于高阻抗状态,也可用于降低功耗.ISO7740-Q1器件具有四条同向通道,ISO7741-Q1器件具有三条正向通道和一条反向通道,ISO7742-Q1器件具有两条正向通道和两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀F的器件默认输出高电平,带后缀F的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见器件功能模式部分。< /p> 与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地,进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO774x -Q1器件的电磁兼容性得到了显着增强,可缓解系统级ESD,EFT和浪涌问题并符合辐射标准.ISO774x-...

发表于 2018-10-16 11:10 8次阅读
ISO7741-Q1 EMC 性能优异的汽车类高...

ISO7720 ISO772x 高速 5000V...

ISO772x器件是高性能双通道数字隔离器,可提供符合UL 1577的5000V RMS (DW封装)和3000V RMS (D封装)隔离额定值。这些器件还通过了VDE,TUV,CSA和CQC认证。 在隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)或者低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)数字I /O的同时,ISO772x器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅(SiO < sub> 2 )绝缘隔栅分开的逻辑输入和输出缓冲器.ISO7720器件具有两条同向通道,而ISO7721器件具有两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀F的器件默认输出高电平,带后缀F的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见器件功能模式部分。 与隔离式电源一起使用时,这些器件有助于防止数据总线或者其他电路的声音创新型芯片设计和布线技术,ISO772x器件的电磁兼容性得到了显着增强,可缓解系统级ESD,EFT和浪涌问题并符合辐射标准.ISO772系列器件可提供16引脚SOIC宽体(DW)和8引脚SOIC窄体(D)封装。 特性 信号传输速率:高达100Mbps 宽电源电压范围:2.25V至5.5V 2.25V和5V电平转换 默认输...

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ISO7720 ISO772x 高速 5000V...

ISO7710 ISO7710x 高速、优异 E...

ISO7710器件是一款高性能单通道数字隔离器,可提供符合UL 1577的5000V RMS (DW封装)和3000V RMS (D封装)隔离额定值。此器件还通过了VDE,TUV,CSA和CQC认证。 在隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)或者低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)数字I /O的同时,ISO7710器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。隔离通道具有逻辑输入和输出缓冲器,二者通过二氧化硅(SiO 2 )绝缘栅相隔离。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀F的器件默认输出高电平,带后缀F的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见。 与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地,进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布技术,ISO7710器件的电磁兼容性得到了显着增强,可缓解系统级ESD,EFT和浪涌问题并符合辐射标准.ISO7710器件可提供16引脚SOIC宽体(DW)和8引脚SOIC窄体( D)封装。 特性 信号传输速率:高达100Mbps 宽电源电压范围:2.25V至5.5V 2.25V至5.5V电平转换 默认输出高电平和低电平选项 宽温度范围:-55°C至...

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ISO7710 ISO7710x 高速、优异 E...

ISO7730-Q1 EMC 性能优异的高速三通...

ISO773x-Q1器件是高性能三通道数字隔离器,可提供符合UL 1577的5000 V RMS (DW封装)和2500 V RMS (DBQ封装)隔离额定值。 该系列器件的增强型隔离额定值符合VDE,CSA,TUV和CQC标准。半导体(CMOS)或者低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)数字I /O时,ISO773x-Q1耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅(SiO 2 )绝缘栅相隔离。该器件配有使能引脚,可用于将多个主驱动应用中的相应输出置于高阻抗状态,也可用于降低功耗.ISO7730-Q1器件具有三条正向通道,而ISO7731-Q1器件具有两条正向通道和一条反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀F的器件默认输出高电平,带后缀F的器件默认出低电平。更多详细信息,请参见器件功能模式部分。 与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地,进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO773x-Q1器件的电磁兼容性得到了显着增强,可缓解系统级ESD, EFT和浪涌问题并符合辐射标准.ISO773x-Q1系列器件采用16引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)和QSOP...

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ISO7730-Q1 EMC 性能优异的高速三通...

ISO7731 ISO773x 高速、优异 EM...

ISO773x器件是高性能三通道数字隔离器,可提供符合UL 1577的5000V RMS (DW封装)和3000V RMS (DBQ封装)隔离额定值。 该系列器件具有符合VDE,CSA,TUV和CQC标准的增强型隔离额定值。 在隔离CMOS或LVCMOS数字I /O时,ISO773x系列器件可提供高电磁抗扰度和低辐射,并具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅(SiO 2 )绝缘栅相隔离。该器件配有使能引脚,可用于将多主驱动应用中的相应输出置于高阻抗状态,也可用于降低功耗.ISO7730器件具有三条全部同向的通道,而ISO7731器件具有两条正向通道和一条反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀F的器件默认输出高电平,带后缀F的器件默认输出低电平。有关更多详细信息,请参阅器件功能式部分。 与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地端,进而干扰或损坏敏感电路。创新型芯片设计和布局技术,ISO773x器件的电磁兼容性得到了显着增强,可轻松满足系统级ESD,EFT,浪涌和辐射方面的合规性.ISO773x系列器件采用16引脚宽体SOIC和QSOP封装。 特性 信...

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ISO7731 ISO773x 高速、优异 EM...

ISOW7821 具有集成电源的高效、低辐射、增...

ISOW7821器件是具有集成式高效电源转换器的高性能,双通道增强型数字隔离器。集成式直流/直流转换器高效运行,提供高达650mW的隔离式电源,可配置为各种输入和输出电压。因此,空间受限的隔离设计凭借该器件无需单独使用隔离式电源。 ISOW7821器件可提供高电磁抗干度和低辐射,同时能够隔离CMOS或LVCMOS数字I /O。信号隔离通道具有由二氧化硅(SiO 2 )绝缘栅相隔离的逻辑输入和输出缓冲器,而电源隔离使用片上变压器,以薄膜聚合物作为绝缘材料。如果输入信号丢失,则默认输出对于ISOW7821器件为高电平,对于具有F后缀的器件为低电平(请参阅器件特性)。 这些器件有助于防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地并干扰或损坏敏感电路。型芯片设计和布局技术,ISOW7821器件的电磁兼容性得到了显着增强,可缓解系统级ESD,EFT和浪涌问题并符合辐射标准。电源转换器效率较高,允许在较高的环境温度下工作.ISOW7821器件采用16引脚SOIC宽体(SOIC-WB)DWE封装。 特性 集成高效DC-DC转换器与片上变压器 3V至5.5V宽输入电源电压范围 5V或3.3V稳压输出 高达0.65W的输出功率 5V至5V...

发表于 2018-10-16 11:10 36次阅读
ISOW7821 具有集成电源的高效、低辐射、增...

ISO1212 用于数字输入模块的隔离式 24V...

ISO1211和ISO1212器件是隔离式24V至60V数字输入接收器,符合IEC 61131-2 1类,2类和3类特性标准。器件可以在可编程逻辑控制器(PLC),电机控制,电网基础设施和其它工业应用中实现9V至300V直流和交流数字输入模块。不同于具有分立式,不精确电流限制电路的传统光耦合器解决方案,ISO121x器件提供一个具有精确电流限制的简单低功耗解决方案,可实现紧凑型和高密度I /O模块的设计。这些器件不需要现场侧电源,可配置为拉电流或灌电流输入。 ISO121x器件的工作电压范围为2.25V至5.5V,支持2.5V,3.3V和5V控制器。具有反极性保护的±60V输入容差有助于确保输入引脚在可忽略的反向电流发生故障时受到保护。这些器件支持高达4Mbps的数据速率,可通过150ns的最小脉冲宽度,从而实现高速运行.ISO1211器件适用于需要要通道间隔离功能的设计,而ISO1212器件适用于多通道空间受限的设计。 与传统解决方案相比,ISO121x器件减少了组件数量,简化了系统设计,提高了性能,有低详细信息,请参阅“如何简化隔离式24V PLC数字输入模块设计”的速度和可靠性“ TI技术手册以及”如何设计用于±48V,110V和240V直流和交流检测的隔离...

发表于 2018-10-16 11:10 68次阅读
ISO1212 用于数字输入模块的隔离式 24V...

ISO7721-Q1 EMC 性能优异的汽车类高...

ISO772x-Q1器件是高性能双通道数字隔离器,可提供符合UL 1577的5000V RMS (DW封装)和3000V RMS (D封装)隔离额定值。这些器件还通过了VDE,TUV,CSA和CQC认证。 在隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)或者低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)数字I /O的同时,ISO772x-Q1器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅(SiO 2 )绝缘隔栅分开的逻辑输入和输出缓冲器.ISO7720-Q1器件具有两条同向通道,而-Q1器件具有两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀F的器件默认输出高电平,带后缀F的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见器件功能模式器件功能模式部分。 与隔离式电源一起使用时,这些器件有助于防止数总线或者其它电路上的噪声电流进入本地接地并且干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO772x-Q1器件的电磁兼容性得到了显着增强,可缓解系统级ESD,EFT和浪涌问题并符合辐射标准.ISO772x-Q1系列器件可提供16引脚SOIC宽体(DW)和8引脚SOIC窄体(D)封装。 特性 汽车电子应用认证 具有...

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ISO7721-Q1 EMC 性能优异的汽车类高...

ISO7731-Q1 EMC 性能优异的高速三通...

ISO773x-Q1器件是高性能三通道数字隔离器,可提供符合UL 1577的5000 V RMS (DW封装)和2500 V RMS (DBQ封装)隔离额定值。 该系列器件的增强型隔离额定值符合VDE,CSA,TUV和CQC标准。半导体(CMOS)或者低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)数字I /O时,ISO773x-Q1耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅(SiO 2 )绝缘栅相隔离。该器件配有使能引脚,可用于将多个主驱动应用中的相应输出置于高阻抗状态,也可用于降低功耗.ISO7730-Q1器件具有三条正向通道,而ISO7731-Q1器件具有两条正向通道和一条反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀F的器件默认输出高电平,带后缀F的器件默认出低电平。更多详细信息,请参见器件功能模式部分。 与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地,进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO773x-Q1器件的电磁兼容性得到了显着增强,可缓解系统级ESD, EFT和浪涌问题并符合辐射标准.ISO773x-Q1系列器件采用16引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)和QSOP...

发表于 2018-10-16 11:10 13次阅读
ISO7731-Q1 EMC 性能优异的高速三通...

ISO7720-Q1 EMC 性能优异的汽车类高...

ISO772x-Q1器件是高性能双通道数字隔离器,可提供符合UL 1577的5000V RMS (DW封装)和3000V RMS (D封装)隔离额定值。这些器件还通过了VDE,TUV,CSA和CQC认证。 在隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)或者低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)数字I /O的同时,ISO772x-Q1器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅(SiO 2 )绝缘隔栅分开的逻辑输入和输出缓冲器.ISO7720-Q1器件具有两条同向通道,而-Q1器件具有两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀F的器件默认输出高电平,带后缀F的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见器件功能模式器件功能模式部分。 与隔离式电源一起使用时,这些器件有助于防止数总线或者其它电路上的噪声电流进入本地接地并且干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO772x-Q1器件的电磁兼容性得到了显着增强,可缓解系统级ESD,EFT和浪涌问题并符合辐射标准.ISO772x-Q1系列器件可提供16引脚SOIC宽体(DW)和8引脚SOIC窄体(D)封装。 特性 汽车电子应用认证 具有...

发表于 2018-10-16 11:10 21次阅读
ISO7720-Q1 EMC 性能优异的汽车类高...

ISO7730 ISO773x 高速、优异 EM...

ISO773x器件是高性能三通道数字隔离器,可提供符合UL 1577的5000V RMS (DW封装)和3000V RMS (DBQ封装)隔离额定值。 该系列器件具有符合VDE,CSA,TUV和CQC标准的增强型隔离额定值。 在隔离CMOS或LVCMOS数字I /O时,ISO773x系列器件可提供高电磁抗扰度和低辐射,并具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅(SiO 2 )绝缘栅相隔离。该器件配有使能引脚,可用于将多主驱动应用中的相应输出置于高阻抗状态,也可用于降低功耗.ISO7730器件具有三条全部同向的通道,而ISO7731器件具有两条正向通道和一条反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀F的器件默认输出高电平,带后缀F的器件默认输出低电平。有关更多详细信息,请参阅器件功能式部分。 与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地端,进而干扰或损坏敏感电路。创新型芯片设计和布局技术,ISO773x器件的电磁兼容性得到了显着增强,可轻松满足系统级ESD,EFT,浪涌和辐射方面的合规性.ISO773x系列器件采用16引脚宽体SOIC和QSOP封装。 特性 信...

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ISO7730 ISO773x 高速、优异 EM...

ISO7740-Q1 EMC 性能优异的汽车类高...

ISO774x-Q1器件是高性能四通道数字隔离器,可提供符合UL 1577的5000 V RMS (DW封装)和2500 V RMS (DBQ封装)隔离额定值。该系列器件的增强型隔离额定值符合VDE,CSA,TUV和CQC标准。 在隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)或者低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)数字I /O时,ISO774x-Q1 器件可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。绝离栅相隔离。该器件配有使能引脚,可用于将多个主驱动应用中的相应输出置于高阻抗状态,也可用于降低功耗.ISO7740-Q1器件具有四条同向通道,ISO7741-Q1器件具有三条正向通道和一条反向通道,ISO7742-Q1器件具有两条正向通道和两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀F的器件默认输出高电平,带后缀F的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见器件功能模式部分。< /p> 与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地,进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO774x -Q1器件的电磁兼容性得到了显着增强,可缓解系统级ESD,EFT和浪涌问题并符合辐射标准.ISO774x-...

发表于 2018-10-16 11:10 29次阅读
ISO7740-Q1 EMC 性能优异的汽车类高...

ISO7761 ISO776x 高速、优异 EM...

ISO776x 器件是高性能六通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS(DW 封装)和 3000VRMS(DBQ 封装)隔离额定值。该系列器件还通过了 VDE、CSA、TUV 和 CQC 认证。在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时,ISO776x 系列的器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅分开的逻辑输入和逻辑输出缓冲器。ISO776x 系列的器件采用所有可能的引脚配置,因此所有六个通道都可以处于同一方向,或者一个、两个或三个通道处于反向,而其余通道处于正向。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见 器件功能模式 部分。该系列器件与隔离式电源结合使用,有助于防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地以及干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布局技术,ISO776x 系列器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO776x 系列器件采用 16 引脚 SOIC ...

发表于 2018-10-16 11:10 36次阅读
ISO7761 ISO776x 高速、优异 EM...

ISOW7840 具有集成电源的高效、低辐射、增...

ISOW784x是一系列高性能,四通道增强型数字隔离器,集成了高效率功率转换器。集成式直流/直流转换器高效运行,提供最高可达650mW的隔离式电源,可配置为各种输入和输出电压配置。因此,空间受限的隔离设计凭借这些器件无需单独使用隔离式电源。 在隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)或低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)数字I /O时,ISOW784x系列器件可提供高电磁抗扰度和低辐射。信号隔离通道具有由二氧化硅(SiO 2 )绝缘栅相隔离的逻辑输入和输出缓冲器,而电源隔离使用片上变压器,以薄膜聚合物作为绝缘材料。提供各种正向和反向通道配置。如果输入信号丢失, ISOW784x器件默认输出高电平,而带有后缀“F”后缀的器件默认输出低电平(请参阅器件具有)。 这些器件有助于防止数据总线或者其电路上的噪声电流进入本地接地并干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISOW784x系列器件的电磁兼容性得到了显着增强,可缓解系统级ESD,EFT和浪涌问题并符合辐射标准。电源转换器效率较高,允许在较高的环境温度下工作.ISOW784x系列器件采用16引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)宽体(SOIC-WB)DWE封...

发表于 2018-10-16 11:10 13次阅读
ISOW7840 具有集成电源的高效、低辐射、增...

ISO7762 ISO776x 高速、优异 EM...

ISO776x器件是高性能六通道数字隔离器,可提供符合UL 1577的5000V RMS (DW封装)和3000V RMS (DBQ封装)隔离额定值。该系列器件还通过了VDE,CSA,TUV和CQC认证。 在隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)或者低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)数字I /O的同时,ISO776x系列的器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅(SiO 2 )绝缘栅分开的逻辑输入和逻辑输出缓冲器.ISO776x系列的器件采用所有可能的引脚配置,因此所有六个通道都可以处于同一方向,或者一个,两个或三个通道处于反向,而其余通道处于正向。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀F的器件默认输出高电平,带后缀F的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见器功能模式部分。 该系列器件与隔离式电源结合使用,有助于防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地以及干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布局技术,ISO776x系列器件的电磁兼容性得到了显着增强,可缓解系统级ESD,EFT和浪涌问题并符合辐射标准.ISO776x系列器件采用16引脚SOIC和SSOP封装。 ...

发表于 2018-10-16 11:10 14次阅读
ISO7762 ISO776x 高速、优异 EM...

ISOW7842 具有集成电源的高效、低辐射、增...

ISOW784x是一系列高性能,四通道增强型数字隔离器,集成了高效率功率转换器。集成式直流/直流转换器高效运行,提供最高可达650mW的隔离式电源,可配置为各种输入和输出电压配置。因此,空间受限的隔离设计凭借这些器件无需单独使用隔离式电源。 在隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)或低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)数字I /O时,ISOW784x系列器件可提供高电磁抗扰度和低辐射。信号隔离通道具有由二氧化硅(SiO 2 )绝缘栅相隔离的逻辑输入和输出缓冲器,而电源隔离使用片上变压器,以薄膜聚合物作为绝缘材料。提供各种正向和反向通道配置。如果输入信号丢失, ISOW784x器件默认输出高电平,而带有后缀“F”后缀的器件默认输出低电平(请参阅器件具有)。 这些器件有助于防止数据总线或者其电路上的噪声电流进入本地接地并干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISOW784x系列器件的电磁兼容性得到了显着增强,可缓解系统级ESD,EFT和浪涌问题并符合辐射标准。电源转换器效率较高,允许在较高的环境温度下工作.ISOW784x系列器件采用16引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)宽体(SOIC-WB)DWE封...

发表于 2018-10-16 11:10 60次阅读
ISOW7842 具有集成电源的高效、低辐射、增...

ISO7710-Q1 EMC 性能优异的汽车类高...

ISO7710-Q1器件是一款高性能单通道数字隔离器,可提供符合UL 1577的5000V RMS (DW封装)和3000V RMS (D封装)隔离额定值。此器件还通过了VDE,TUV,CSA和CQC认证。 在隔离互补金属氧化物半导体(CMOS )或者低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)数字I /O的同时,ISO7710-Q1器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。隔离通道具有逻辑输入和输出缓冲器,二者通过二氧化硅(SiO 2 )绝缘栅相隔离。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀F的器件默认输出高电平 ,带后缀F的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见。 与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地,进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO7710-Q1器件的电磁兼容性得到了显着增强,可缓解系统级ESD,EFT和浪涌问题并符合辐射标准.ISO7710-Q1器件可提供16引脚SOIC宽体(DW)和8引脚SOIC窄体(D)封装。 特性 汽车电子应用认证 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件人体放电...

发表于 2018-10-16 11:10 13次阅读
ISO7710-Q1 EMC 性能优异的汽车类高...

ISOW7841 具有集成电源的高效、低辐射、增...

ISOW784x是一系列高性能,四通道增强型数字隔离器,集成了高效率功率转换器。集成式直流/直流转换器高效运行,提供最高可达650mW的隔离式电源,可配置为各种输入和输出电压配置。因此,空间受限的隔离设计凭借这些器件无需单独使用隔离式电源。 在隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)或低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)数字I /O时,ISOW784x系列器件可提供高电磁抗扰度和低辐射。信号隔离通道具有由二氧化硅(SiO 2 )绝缘栅相隔离的逻辑输入和输出缓冲器,而电源隔离使用片上变压器,以薄膜聚合物作为绝缘材料。提供各种正向和反向通道配置。如果输入信号丢失, ISOW784x器件默认输出高电平,而带有后缀“F”后缀的器件默认输出低电平(请参阅器件具有)。 这些器件有助于防止数据总线或者其电路上的噪声电流进入本地接地并干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISOW784x系列器件的电磁兼容性得到了显着增强,可缓解系统级ESD,EFT和浪涌问题并符合辐射标准。电源转换器效率较高,允许在较高的环境温度下工作.ISOW784x系列器件采用16引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)宽体(SOIC-WB)DWE封...

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ISOW7841 具有集成电源的高效、低辐射、增...

ISOW7844 具有集成电源的高效、低辐射、增...

ISOW784x 是一系列高性能、四通道增强型数字隔离器,集成了高效率功率转换器。集成式直流/直流转换器高效运行,提供最高可达 650mW的隔离式电源,可配置为各种输入和输出电压配置。因此,空间受限的隔离设计凭借这些器件无需单独使用隔离式电源。 在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O时,ISOW784x系列器件可提供高电磁抗扰度和低辐射。信号隔离通道具有由二氧化硅 (SiO2)绝缘栅相隔离的逻辑输入和输出缓冲器,而电源隔离使用片上变压器,以薄膜聚合物作为绝缘材料。提供各种正向和反向通道配置。如果输入信号丢失,ISOW784x器件默认输出高电平,而带有后缀“F”后缀的器件默认输出低电平(请参阅器件 具有)。这些器件有助于防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地并干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISOW784x系列器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。电源转换器效率较高,允许在较高的环境温度下工作。ISOW784x 系列器件采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 宽体 (SOIC-WB) DWE...

发表于 2018-10-16 11:10 29次阅读
ISOW7844 具有集成电源的高效、低辐射、增...

ISO7763 ISO776x 高速、优异 EM...

ISO776x器件是高性能六通道数字隔离器,可提供符合UL 1577的5000V RMS (DW封装)和3000V RMS (DBQ封装)隔离额定值。该系列器件还通过了VDE,CSA,TUV和CQC认证。 在隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)或者低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)数字I /O的同时,ISO776x系列的器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅(SiO 2 )绝缘栅分开的逻辑输入和逻辑输出缓冲器.ISO776x系列的器件采用所有可能的引脚配置,因此所有六个通道都可以处于同一方向,或者一个,两个或三个通道处于反向,而其余通道处于正向。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀F的器件默认输出高电平,带后缀F的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见器功能模式部分。 该系列器件与隔离式电源结合使用,有助于防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地以及干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布局技术,ISO776x系列器件的电磁兼容性得到了显着增强,可缓解系统级ESD,EFT和浪涌问题并符合辐射标准.ISO776x系列器件采用16引脚SOIC和SSOP封装。 ...

发表于 2018-10-16 11:10 53次阅读
ISO7763 ISO776x 高速、优异 EM...

ISOW7843 具有集成电源的高效、低辐射、增...

ISOW784x是一系列高性能,四通道增强型数字隔离器,集成了高效率功率转换器。集成式直流/直流转换器高效运行,提供最高可达650mW的隔离式电源,可配置为各种输入和输出电压配置。因此,空间受限的隔离设计凭借这些器件无需单独使用隔离式电源。 在隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)或低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)数字I /O时,ISOW784x系列器件可提供高电磁抗扰度和低辐射。信号隔离通道具有由二氧化硅(SiO 2 )绝缘栅相隔离的逻辑输入和输出缓冲器,而电源隔离使用片上变压器,以薄膜聚合物作为绝缘材料。提供各种正向和反向通道配置。如果输入信号丢失, ISOW784x器件默认输出高电平,而带有后缀“F”后缀的器件默认输出低电平(请参阅器件具有)。 这些器件有助于防止数据总线或者其电路上的噪声电流进入本地接地并干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISOW784x系列器件的电磁兼容性得到了显着增强,可缓解系统级ESD,EFT和浪涌问题并符合辐射标准。电源转换器效率较高,允许在较高的环境温度下工作.ISOW784x系列器件采用16引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)宽体(SOIC-WB)DWE封...

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ISOW7843 具有集成电源的高效、低辐射、增...

ISO7760 ISO776x 高速、优异 EM...

ISO776x器件是高性能六通道数字隔离器,可提供符合UL 1577的5000V RMS (DW封装)和3000V RMS (DBQ封装)隔离额定值。该系列器件还通过了VDE,CSA,TUV和CQC认证。 在隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)或者低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)数字I /O的同时,ISO776x系列的器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅(SiO 2 )绝缘栅分开的逻辑输入和逻辑输出缓冲器.ISO776x系列的器件采用所有可能的引脚配置,因此所有六个通道都可以处于同一方向,或者一个,两个或三个通道处于反向,而其余通道处于正向。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀F的器件默认输出高电平,带后缀F的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见器功能模式部分。 该系列器件与隔离式电源结合使用,有助于防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地以及干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布局技术,ISO776x系列器件的电磁兼容性得到了显着增强,可缓解系统级ESD,EFT和浪涌问题并符合辐射标准.ISO776x系列器件采用16引脚SOIC和SSOP封装。 ...

发表于 2018-10-16 11:10 103次阅读
ISO7760 ISO776x 高速、优异 EM...

ISO7342FC 耐用 EMC 低功耗四通道数...

ISO734x系列器件可提供符合UL 1577标准的长达1分钟且高达3000 V RMS 的电隔离,以及符合VDE V 0884-10标准的4242 V PK 隔离。这些器件具有四个隔离通道,后者由逻辑输入和输出缓冲器组成,并由二氧化硅(二氧化硅 2 < /子>)绝缘隔栅进行隔离。 ISO7340x器件具有四个正向通道,ISO7341x器件具有三个正向通道和一个反向通道,ISO7342x器件具有两个正向通道和两个反向通道。如果出现输入功率或信号损失,默认输出低(器件带有后缀 F )或高(器件不带)后缀 F )。有关更多详细信息,请参阅器件功能模式部分。 这些器件与隔离式电源结合使用,有助于防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地以及干扰或损坏敏感电路.ISO734x器件具有集成噪声滤波器,可适用于严苛工业环境,在这种环境下,短噪声脉冲可能会出现在器件输入引脚上.ISO734x器件具有TTL输入阈值,工作电压范围为3V至5.5V。凭借创新型芯片设计和布局技术,ISO734x系列器件的电磁兼容性得到了显着增强,从而能够实现系统级ESD,EFT和浪涌保护并符合辐射标准。 特性 信号传输速率:25Mbps删除了数据表标题中的删除了数据表标题中的 输入时...

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ISO7342FC 耐用 EMC 低功耗四通道数...

ISO1211 用于数字输入模块的隔离式 24V...

ISO1211和ISO1212器件是隔离式24V至60V数字输入接收器,符合IEC 61131-2 1类,2类和3类特性标准。器件可以在可编程逻辑控制器(PLC),电机控制,电网基础设施和其它工业应用中实现9V至300V直流和交流数字输入模块。不同于具有分立式,不精确电流限制电路的传统光耦合器解决方案,ISO121x器件提供一个具有精确电流限制的简单低功耗解决方案,可实现紧凑型和高密度I /O模块的设计。这些器件不需要现场侧电源,可配置为拉电流或灌电流输入。 ISO121x器件的工作电压范围为2.25V至5.5V,支持2.5V,3.3V和5V控制器。具有反极性保护的±60V输入容差有助于确保输入引脚在可忽略的反向电流发生故障时受到保护。这些器件支持高达4Mbps的数据速率,可通过150ns的最小脉冲宽度,从而实现高速运行.ISO1211器件适用于需要要通道间隔离功能的设计,而ISO1212器件适用于多通道空间受限的设计。 与传统解决方案相比,ISO121x器件减少了组件数量,简化了系统设计,提高了性能,有低详细信息,请参阅“如何简化隔离式24V PLC数字输入模块设计”的速度和可靠性“ TI技术手册以及”如何设计用于±48V,110V和240V直流和交流检测的隔离...

发表于 2018-10-16 11:10 131次阅读
ISO1211 用于数字输入模块的隔离式 24V...

ISO7142CC-Q1 数字隔离器

ISO7142CC-Q1器件可提供符合UL 1577标准的长达1分钟且高达2500 V RMS 的电流隔离,以及符合VDE V 0884-10标准的4242 V PK 隔离。 ISO7142CC-Q1是一款四通道隔离器,此隔离器具有两个正向和两个反向通道。器件在由5V电源供电时的最大数据传输速率为50Mbps,而在由3.3V或2.7V电源供电时的最大数据传输速率为40Mbps.ISO7142CC-Q1器件的输入端集成有滤波器,适用于易受噪声干扰的应用。 每个隔离通道都有一个由二氧化硅(SiO 2 )绝缘隔栅分开的逻辑输入和输出缓冲器。与隔离式电源一起使用,这个器件可防止数据总线或者其它电路上的噪音电流进入本地接地和干扰或损坏敏感电路。该器件具有晶体管晶体管逻辑电路(TTL)输入阈值,并且可由2.7V,3.3V和5V电压供电运行。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果: 器件温度1级别:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件人体模型(HBM)分类等级3A 器件充电器件模型(CDM)分类等级C6 最大信号传输速率:50Mbps(5V电源供电) 具有集成噪声滤波器的稳健设计 低功耗, - 通道I CC 典型值(3.3V电源): 1Mbps时为1.3mA,25Mbp...

发表于 2018-10-16 11:10 121次阅读
ISO7142CC-Q1 数字隔离器