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IDT推出DDR3内存模块高精度温度传感器

2010年01月27日 08:34 次阅读

IDT推出DDR3内存模块高精度温度传感器

新器件可提高企业、移动及嵌入式计算系统的可靠性、性能和电源效率

IDT公司(Integrated Device Technology, Inc.)推出首款针对DDR2和DDR3内存模块、固态硬盘和电脑主板市场的高精度温度传感器。新器件有助于企业、移动及嵌入式计算系统以最高效率运行,通过监测各子系统的温度来节省总电力,提高可靠性和性能。

全新的IDT温度传感器可测量计算子系统的局部温度,一旦温度上升超过预定水平,系统控制器就会通过控制系统带宽、调整内存刷新率或改变风扇速度进行响应。此外,如果温度达到临界点,新的IDT温度传感器可以触发一个子系统关闭,从而提高可靠性。IDT 的产品包括一个独立温度传感器(TS3000B3),以及一个集成在单片片芯上的非易失内存用户信息的256字节 EEPROM阵列,如内存模块的串行存在探测(SPD)的系统配置信息。

全新的IDT温度传感器系列是首款超过了美国电子工程设计发展联合会为B级别温度传感器规定的JC42.4规范要求的产品,可在-20~+125℃之间的整个温度范围内提供 ±1℃的温度传感精度,从而提供了更好的系统精度。该器件还集成了一个创新的模数转换器,可提供高达12位(0.0625℃)的可编程分辨率和业界领先的转换时间,大大改进了整个温度范围热控回路的整体精度。

IDT企业计算部副总裁兼总经理Mario Montana表示:“众所周知,IDT与客户携手合作,在先进内存缓冲器和PCI Express交换器中集成了嵌入式温度传感器,这样我们就可以为客户带来空前的电力节省,与我们PowerSmart 理念相符。新器件进一步使精度超过行业标准的独立温度传感器专长发挥到了极致。”

此外,温度传感器完全支持SMBus 和I2C编程接口,包括SMBus超时和I2C快速模式、输入干扰过滤和上电滞后——所有这些都旨在提高容错能力。这种性能与功能结合使IDT 器件改善了每瓦性能,是强大计算系统的理想之选。

供货

IDT 温度传感器件已向合格客户提供样品。器件采用符合 RoHS 规范的 8 引脚 DFN 和 TDFN 封装。

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