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电子发烧友网>嵌入式技术>嵌入式操作系统>4大DRAM阵营竞争激烈 美光、尔必达提前导入40纳米

4大DRAM阵营竞争激烈 美光、尔必达提前导入40纳米

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2011-11-23 09:12:49402

# #上海进博会 光是否能走出如今的困境?将参加上海进博会

深圳市浮思特科技有限公司发布于 2023-10-11 12:01:56

英特尔今年底就将开始导入 7 纳米晶圆制程

根据Computer World报导,英特尔今年底就将开始导入 7 纳米晶圆制程,时间提前于台积电与三星等竞争者,巩固其半导体龙头的位置。日前,英特尔在盈余电话会议上宣布,为了进一步探索芯片生产工艺
2017-02-05 01:11:44371

基于前导码挖掘的未知协议帧切分算法

针对未知协议帧切分技术存在的效率较低的问题,提出基于前导码挖掘的未知协议帧切分技术。首先介绍前导码作为标识链路帧起始位置的原理,分析候选序列选取问题是现有频繁序列挖掘方法无法对长度较长的前导码进行
2017-12-06 16:53:080

三星二代10纳米将加速未来DRAM芯片问世 进一步抢攻DRAM市场商机

三星的DRAM市场表现十分强劲,并在近日宣布量产其第二代10纳米的8Gb DDR4 DRAM。为迎合市场庞大需求,三星将在明年扩大第一代DDR4 DRAM的产量。
2017-12-27 11:22:38834

资料显示,DRAM存储器强力推动的导入将推动晶圆产能高于平均水准

根据市场研究公司IC Insights的资料,新的半导体制造产线——特别是DRAM存储器的导入,预计将推动2018年和2019年的晶圆总产能高于平均水准。
2018-07-06 12:51:001018

EUV光刻技术竞争激烈,三星7纳米EUV制程已完成新思科技物理认证,台积电紧追其后

在晶圆代工市场,台积电与三星的竞争始终是大家关心的戏码。三星虽然有高通等VIP客户,但在7纳米制程节点,高通预计会转投台积电,三星要想受更多客户的青睐,只能从制程技术着手了。这也是三星为什么跳过
2018-06-19 15:06:004522

10纳米DRAM制程竞争升温,SK海力士、美光加速追赶三星

2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 评论: 0 | 来自: 半导体产业网 摘要 : 10纳米DRAM先进制程竞争逐渐升温,三星电子在2017年率先宣布量产第二代10纳米(1y
2018-11-12 18:04:02253

小米与vivo竞争激烈 高通从中获益

小米的小米9与vivo的iqoo形成了激烈竞争,两款手机配置相似,定价相当,成为直接的竞争对手,小编认为两家企业的激烈竞争其实最大受益者应该提供了高端芯片骁龙855的高通。
2019-03-10 09:39:341855

多家DRAM厂商开始评估采用EUV技术量产

继台积电、三星晶圆代工、英特尔等国际大厂在先进逻辑制程导入极紫外光(EUV)微影技术后,同样面临制程微缩难度不断增高的DRAM厂也开始评估采用EUV技术量产。三星电子今年第四季将开始利用EUV技术生产1z纳米DRAM,SK海力士及美光预期会在1α纳米或1β纳米评估导入EUV技术。
2019-06-18 17:20:312438

DRAM厂将陆续导入EUV技术

DRAM厂商在面对DRAM价格不断下跌的困境下,已经在考虑导入EUV技术用于制造DRAM,主要目的是为了降低成本。
2019-06-21 09:10:012047

DRAM大厂工艺推进1z纳米 导入EUV设备扩大竞争门槛

2019年上半DRAM价格下跌压力沉重,尽管上游产能调节以及传统旺季拉货需求逐渐回升,预料将有望支撑跌价趋缓,为了提高生产效益及拉大竞争差距,DRAM大厂竞相推进下一代制程技术。
2019-06-21 16:43:142335

曝三星已开始量产6纳米制程 将与台积电展开竞争

在晶圆代工龙头台积电几乎通吃市场7纳米制程产品的情况下,竞争对手三星在7纳米制程上几乎无特别的订单斩获。为了再进一步与台积电竞争,三星则开始发展6纳米制程产线与台积电竞争,而且也在2019年12月开始进行量产。三星希望藉由6纳米制程的量产,进一步缩小与台积电之间的差距。
2020-01-07 15:16:102524

美光科技开始提速EUV DRAM开发速度

美国美光科技开始提速EUV DRAM。加入到三星电子、SK海力士等全球第一、第二EUV厂商选择的EUV阵营后,后续EUV竞争或将更为激烈
2020-12-25 14:43:131642

美光推出 1α DRAM 制程技术:内存密度提升了 40% 节能 15%

均有重大突破。   美光表示,对比上一代的 1z DRAM 制程,1α 技术将内存密度提升了 40%。 美光计划于今年将 1α 节点全面导入DRAM 产品线,从而更好地支持广泛的 DRAM 应用领域——为包括移动设备和智能车辆在内的各种应用提供更强的性能。 美光的 1α 技术节点使内存解决方
2021-01-27 13:56:031970

美光1αDRAM芯片工艺可提升密度40%

美光本周二公布其用于DRAM的1α新工艺,该技术有望将DRAM位密度提升40%,功耗降低15%。 1α工艺最初被用于生产DDR4和LPDDR4内存,未来或将但覆盖美光所有类型的DRAM
2021-01-29 15:03:442202

英特尔已大规模生产7纳米芯片 4纳米芯片准备中 并将导入3纳米

英特尔已大规模生产7纳米芯片 4纳米半芯片准备中 并将导入3纳米 英特尔期望能够在2030年前成长为全球第二大晶圆代工厂,为了能够实现这个预期目标,英特尔将投资800亿美元在美国和德国建设新的芯片
2022-12-07 14:21:402860

DRAM制程分享

化挑战都是重大的。特别是,ASML 报告说,当中心到中心(center-to-center)值达到 40 nm 时,即使对于 EUV ,也不推荐使用单一图案化。在本文中,我们将展示对于 12 纳米及更高节点的 DRAM 节点,电容器中心到中心预计将低于 40 纳米,因此需要多重图案化。
2023-01-30 16:40:502898

12纳米后,DRAM怎么办?

化挑战都是重大的。特别是,ASML 报告说,当中心到中心(center-to-center)值达到 40 nm 时,即使对于 EUV ,也不推荐使用单一图案化。在本文中,我们将展示对于 12 纳米及更高节点的 DRAM 节点,电容器中心到中心预计将低于 40 纳米,因此需要多重图案化。
2023-02-07 15:08:55381

美光科技: 纳米印刷助降DRAM成本

近期的演示会上,美光详细阐述了其针对纳米印刷与DRAM制造之间的具体工作模式。他们提出,DRAM工艺的每一个节点以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程变得愈发复杂。
2024-03-05 16:18:24191

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