日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器，其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面贴装封装的新型光隔离式MOSFET驱动器--- VOM1271。
2012-11-13 09:41:202071 Vishay Intertechnology宣布，推出新系列小型栅极驱动变压器---MGDT，可在高功率的国防和航天、工业及医疗应用中显著节省空间。
2018-03-07 13:57:098754 Vishay 推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A，扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装，低压降输出电流损耗仅为3.5 mA，可用于提高逆变器级工作效率。
2019-02-17 09:17:001369 Vishay宣布，推出节省空间的小型0402外形尺寸新型器件，扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平片式电阻。
2020-03-03 08:08:00831 的 FET 和栅极驱动器。GaN FET 的开关速度比硅质 FET 快得多，而将驱动器集成在同一封装内可减少寄生电感，并且可优化开关性能以降低功率损耗，从而有助于设计人员减小散热器的尺寸。节省的空间
2018-10-31 17:33:14
IGBT、MOS驱动器
2019-08-09 16:28:23
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
等效的多数载流子MOSFET关断时，在IGBT少数载流子BJT中仍存在存储时间延迟td(off)I。不过，降低Eoff驱动阻抗将会减少米勒电容 (Miller capacitance) CRES和关断
2018-08-27 20:50:45
功率晶体管组成，如双极型晶体管、 MOSFET 或绝缘栅双极型晶体管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型无刷直流电机或步进电机应用中， MOSFET驱动器可用来直接驱动电机。 不过，在本应用笔记中，我们需要的电压和功率较 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
，逆变器，变频器，电镀电解电源，超音频感应加热等领域。开关电源(SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但
2021-06-16 09:21:55
MOSFET驱动器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢？
2021-11-08 06:11:40
数据。 在功率调节器电路中，比较了使用PrestoMOS时的损耗和传统的MOSFET与FRD组合的损耗。使用PrestoMOS时，削减了VF比FRD低的这部分的再生损耗。在电机驱动器电路例中
2018-11-28 14:27:08
：-40°C至110°C最大低电平输出电压（VOL）：0.5V应用：隔离式IGBT / MOSFET栅极驱动器；交流和无刷直流电动机驱动器；电磁炉顶；工业变频器；开关电源（SMPS）；不间断电源（UPS）`
2019-10-30 15:23:17
的老式设计，节约了大量空间。 MOSFET或IGBT作为变流器控制开关，使用隔离驱动器驱动MOSFET或IGBT可以将大电流隔离，还可以保护控制单元免受高压大电流的冲击和避免大功率
2010-09-08 15:49:48
电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。 为满足市场需求，意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术，例如， IGBT和最新的超结功率MOSFET。 本文在实际
2018-11-20 10:52:44
的效率密切相关。 对于门驱动器或者逆变器应用，通常需要选择低输入电容 (利于快速切换) 以及较高驱动能力的MOSFET。 03 IGBT适合高压大电流应用 与MOSFET相比，IGBT开关速度较慢
2022-06-28 10:26:31
概述：IRS26302DJBPF美国国家半导体公司生产的一款高速功率MOSFET和IGBT驱动器，它把功率MOSFET/IGBT栅极驱动器与三个高侧及三个低侧参考输出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
较低。这里的关键之处在于，为了从MOSFET转换到IGBT，必须对栅极驱动电路进行调节。传导损耗需谨慎在比较额定值为600V的器件时，IGBT的传导损耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少
2017-04-15 15:48:51
大功率IGBT 在使用中驱动器至关重要，本文给出了不同功率等级IGBT 驱动器的设计计算方法，经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准。
2021-07-26 14:41:12
• -40oC 到 125oC 的工作温度范围 SL27517 是单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动 MOSFET、IGBT 以及新兴的宽带隙功率器件。低传播延迟以及紧凑
2022-07-26 10:21:31
感应逆变器直通一般而言，有两种方法可以解决逆变器IGBT的感应导通问题——使用双极性电源和/或额外的米勒箝位。在栅极驱动器隔离端接受双极性电源的能力为感应电压瞬变提供了额外的裕量。例如，–7.5 V
2019-07-24 04:00:00
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18:09
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着
2021-01-22 06:45:02
器件时应考虑这测试条件中的VDD，因为在较低的VDD钳位电压下进行测试和工作将导致Eoff能耗降低。降低栅极驱动关断阻抗对减小IGBT Eoff损耗影响极微。如图1所示，当等效的多数载流子MOSFET
2019-03-06 06:30:00
`描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT) 栅极驱动器所需的隔离式正负电压轨。此参考设计采用 Fly-Buck™ 控制拓扑，从单一变压器生成用于三相逆变器
2015-04-27 16:55:43
描述TIDA-00195 参考设计包括一个 22kW 功率级以及 TI 全新的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器 ISO5852S（适用于各种应用中的电机控制）。此设计可对三相逆变器（其中整合了额定
2018-12-27 11:41:40
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
逆变器中驱动 SiC，尤其是在功率级别>100kW和使用800V电压母线的情况下，系统需要一款具有可靠隔离技术、高驱动能力以及故障监控和保护功能的隔离式栅极驱动器。牵引
2022-11-03 07:38:51
使用隔离式IGBT和SiC栅极驱动器的HEV/EV牵引逆变器设计指南
2022-11-02 12:07:56
技巧。对于电流测量而言，逆变器臂和相位输出都需要诸如分流电阻等测量器件，以便应付直通故障和电机绕组故障。控制器和/或栅极驱动器中的快速执行跳变电路必须及时关断IGBT，防止超出短路耐受时间。这种
2019-10-06 07:00:00
什么是变频驱动器（VFD）/逆变器呢？变频驱动器（VFD）/逆变器在TVS二极管中有何作用呢？
2022-01-14 06:56:58
`最近我在做D类放大。要放大1Mhz正弦波信号，比较用的三角波为10Mhz。需要开关频率能大于20Mhz的mosfet驱动器。请问mosfet驱动器的最高工作频率是由什么参数决定的？有能达到20Mhz以上的mosfet驱动器吗？`
2018-04-11 23:31:46
应用。●并集成了IGBT驱动器（EiceDRIVERTM）。图1给出逆变器各个功能元件。 图1 集成PrimePACKTM IGBT半桥的模块化ModSTACKTM功率单元（2）ModSTACKTM功率
2018-12-03 13:56:42
极驱动器的优势和期望，开发了一种测试板，其中测试了分立式IGBT和SiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现，见图3。 图3.带电压源驱动器（顶部）和电流源驱动器（底部）的半桥
2023-02-21 16:36:47
求教大佬们如何用DSP产生PWM波驱动IGBT的驱动器？代码应该怎么写啊？
2019-01-08 09:15:35
栅极驱动器中的快速执行跳变电路必 须及时关断IGBT，防止超出短路耐受时间。这种方法的最大好 处是它要求在每个逆变器臂上各配备两个测量器件，并配备一 切相关的信号调理和隔离电路。只需在正直流总线线路和负
2018-08-20 07:40:12
技巧。对于电流测量而言，逆变器臂和相位输出都需要诸如分流电阻等测量器件，以便应付直通故障和电机绕组故障。控制器和/或栅极驱动器中的快速执行跳变电路必须及时关断IGBT，防止超出短路耐受时间。这种方法的最大
2018-07-30 14:06:29
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
”时，我指的是连接到MOSFET的漏极的正电源电压或连接到绝缘栅双极晶体管(IGBT)集电极的正电源电压。对于栅极驱动器，VDD定义驱动器输出的范围。宽VDD范围有三个好处：· 为您的系统设计提供灵活性
2019-04-15 06:20:07
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
最近在逛PIC官网的时候，查找相关应用手册的时候挖到的一篇文章。根据电机控制应用需求选择合适的MOSFET 驱动器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
小于5ns； · 选用低传输延时，上升下降时间短的推挽芯片。 总之，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系统效率、功率密度和工作温度的同时，对于驱动器也提出了更高要求，为了让碳化硅
2023-02-27 16:03:36
描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT) 栅极驱动器所需的隔离式正负电压轨。此参考设计采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色• 隔离型
2018-09-06 09:07:35
`描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT) 栅极驱动器所需的隔离式正负电压轨。此参考设计采用 Fly-Buck™ 控制拓扑，从单一变压器生成用于三相逆变器
2015-03-23 14:53:06
，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流，同时选用时应该降额使用。额定工作电压、电压波动的范围、最大工作电压决定了IGBT模块的额定电压；驱动器的外壳结构以及排布方式也是IGBT选型的重要考虑因素。原作者：漂流的青春 车载控制器开发及测试
2023-03-23 16:01:54
驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护，非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害
2019-12-06 13:13:21
2ED020I06-FI是一款高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有联锁高侧和低侧参考输出。浮动高侧驱动器可以直接供电，也可以通过二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外
2023-08-24 18:21:45
如何实现IGBT模块的驱动设计？在设计驱动电路时，需要考虑哪些问题？IGBT下桥臂驱动器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上桥臂驱动器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
的 2 对隔离式正/负电压轨2 组输出（+16V、-9V），每组为 100mA，每个 IGBT 驱动器为 2.5W在未稳压的 24V+/-20% 输入条件下工作峰值效率为 87%，输出波纹小于 55mV该设计兼容 C2000 HV 逆变器套件并经过该套件测试
2022-09-26 07:54:11
MOSFET/IGBT/SiC-FET，电流高达 100A，运行频率高达 500Khz在通电和断电序列期间，防止 IGBT/FET 出现寄生导通和关断4000 VPK 和 2500-VRMS 隔离层驱动器
2018-09-30 09:23:41
（PWM）控制输出电压。三相逆变器还使用6个隔离式栅极驱动器驱动IGBT。除了IGBT和隔离式栅极驱动器，三相逆变器还含有直流母线电压感应、逆变器电流感应与过热、过载和接地故障等IGBT保护。在暖通空调
2018-08-29 15:10:42
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级，并能够监控和保护各种故障情况。图1：电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
，可提供完全经济高效的栅极驱动解决方案（图1）。该器件具有2.5A轨到轨输出，非常适合驱动工业电源逆变器和电机驱动器中的IGBT和功率MOSFET。最终结果是易于使用，紧凑且经济实惠的IGBT栅极驱动光电
2018-08-18 12:05:14
IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术:介绍了绝缘栅大功率器件各种不同的驱动技术以及当前市场上的各类成品驱动器的性能特点。关键词院MOSFET IGBT 隔离驱动 光电耦合器 脉冲变压器
2009-06-20 08:37:46
56 当今多种MOSFET 技术和硅片制程并存，而且技术进步日新月异。要根据MOSFET 的电压/ 电流或管芯尺寸，对如何将MOSFET 驱动器与MOSFET 进行匹配进行一般说明，实际上显得颇为
2009-07-04 13:49:0595 lVO3120 IGBT/MOSFET驱动器：这些2.5A和0.5A的驱动器的供电电压范围为15V～32V，工作温度范围为+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 系统介绍逆变器中IGBT 的驱动与保护技术, 给出了IGBT 对驱动电路的要求, 介绍了三菱公司的IGBT
驱动电路M 57962L 以及IGBT 的过压、过流、过热保护等措施。这些措施实
2010-10-13 15:45:2884 Vishay推出具有最高32V电源电压的新款IGBT和MOSFET驱动器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器，丰富了其已
2009-07-01 09:30:55556
三相逆变器中IGBT的几种驱动电路的分析
摘要：对几种三相逆变器中常用的IGBT驱动专用集成电路进行了详细
2009-07-16 08:34:286635 
单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高边和低边MOSFET组合在一个小尺寸封装里，导通电阻比前一代同样封装尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可节省空间，并简化高效同步降压转换器的设计。
2014-02-10 15:16:51890 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T，扩充其光电子产品组合。
2014-03-25 10:19:44691 。Vishay Polytech TMCJ和TMCP分别采用J（1608-09）和P（2012-12）外形尺寸，TMCU使用超平、超薄的UA（3216-12）和UB （3528-12）外形尺寸。
2015-04-03 16:48:37841 1.4mm x 1.8mm miniQFN10封装的音频接孔探测器DG2592和低压双路SPDT模拟开关DG2750，用来替代便携式应用中常用的尺寸较大的miniQFN10和WCSP器件，达到节省空间的目的。
2016-03-07 11:33:06658 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 本参考设计采用一个22kW 功率级以及TI 全新的增强型隔离式(IGBT) 栅极驱动器ISO5852S，适用于交流驱动器等各类三相逆变器。此参考设计可用于评估3 相逆变器中ISO5852S 的性能
2016-11-05 15:45:140 电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路的设计与工业通用变频器、风能太阳能逆变器的驱动电路有更为苛刻的技术要求，其中的电源电路受到空间尺寸小、工作温度高等限制，面临诸多挑战。
2016-11-14 15:16:461148 
（PWM）控制输出电压。 三相逆变器还使用6个隔离式栅极驱动器驱动IGBT。除了IGBT和隔离式栅极驱动器，三相逆变器还含有直流母线电压感应、逆变器电流感应与过热、过载和接地故障等IGBT保护。 在暖通空调、太阳能泵等许多终端应用中，平衡成本与
2017-04-26 11:43:00541 
的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比，IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用，因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:0522 本参考设计采用一个 22kW 功率级以及 TI 全新的增强型隔离式 (IGBT) 栅极驱动器 ISO5852S，适用于交流驱动器等各类 三相逆变器。
2018-05-08 17:03:2524 通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代号：VSH）宣布，推出节省空间的小型0402外形尺寸新型器件，扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平片式电阻。
2020-03-03 15:05:144303 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、导通和关断、功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路
2021-06-14 03:51:003144 
本应用笔记介绍了MOSFET / IGBT驱动器理论及其应用。该文档介绍了MOSFET和IGBT技术，驱动器的类型，隔离技术以及MOSFET / IGBT驱动器的IXYS系列以及一些实际考虑因素
2021-05-26 17:04:022922 
，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。因此，需要高度集成、...
2021-01-20 15:00:2413 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。
2022-02-15 14:23:261103 
意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。
2022-02-17 10:06:141783 MOSFET及
IGBT栅极驱动电路的引脚排列内部结构、工作原理、主要技术参数和应用
技术。书中不但给出多种以这些驱动器集成电路为核心单元的典型电力电
子变流系统专用驱动控制板的应用实例而且对这些具
2022-08-13 09:21:390 额定功率使用一个硬件平台通过交换MOSFET管套和电源IGBT/MOSFET开关。这个概念最大化了门驱动器设计的可伸缩性电机控制和功率转换的应用范围从低到高额定功率。
2022-12-15 13:58:19779 
（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。 栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ29300
2023-02-02 11:10:02906 在逆变器中驱动和保护IGBT 介绍ACPL-339J是一款先进的1.0 A双输出，易于使用，智能的手机IGBT门驱动光耦合器接口。专为支持而设计MOSFET制造商的各种电流评级，ACPL-339J
2023-02-22 14:54:521 SLM27517 单通道，高速，低侧栅极驱动器器件可以有效地驱动MOSFET和IGBT功率开关。使用设计其固有地最小化击穿电流，可以源汇高峰值电流脉冲转换为电容性负载轨对轨驱动能力非常小传播延迟通常
2023-02-23 15:42:222 在所有工业控制系统中，变频驱动器(VFD)/逆变器通常安装在电动机的前端，以调节速度并节省能源。
2023-03-30 09:21:341102 众所周知，在所有工业控制系统中，变频驱动器(VFD)和IGBT逆变器通常安装在电动机的前端，以调节速度并节省能源。根据不同的输入电压要求，逆变器通常分为低压(110V、220V、380V等)、中压(690V、1140V、2300V等)或高压(3KV、3.3KV、6KV、6.6KV、10KV等)。
2023-04-15 10:09:33826 ，该驱动器采用节省空间的 SOP-4 封装，集成关断电路。 Vishay Semiconductors VOMDA1271 专门用来提高汽车应用性能，同时提高设计灵活性并降低成本，开关速度和开路输出电压均达
2023-06-08 19:55:02374 
驱动器(VFD)和逆变器的可靠性？东沃电子资深技术团队设计的变频驱动器（VFD）和 IGBT逆变器过压保护方案，如下图所示：
2023-05-12 17:32:58698 
电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
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