电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>接口/总线/驱动>东芝推出汽车用单通道高边N沟道功率MOSFET栅极驱动器

东芝推出汽车用单通道高边N沟道功率MOSFET栅极驱动器

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

TI推出业内速度最快的600V栅极驱动器

 近日,德州仪器 (TI) 推出了业内速度最快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。
2015-10-16 16:32:111115

20mΩ单通道智能侧电源开关BTT6020-1EKA

BTT6020-1EKA的典型应用电路是一个20mΩ单通道智能侧电源开关,嵌入PG-DSO-14-47 EP,裸露焊盘封装,提供保护功能和诊断。功率晶体管由带有电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET
2020-04-16 10:14:10

N沟道和P沟道MOSFET的区别是什么

压,则会在氧化层下方形成空穴通道。增强模式 N 通道N 通道耗尽和增强类型的符号加工n沟道MOSFET的工作原理是假设大多数载流子是电子。电子在通道中的运动负责晶体管中的电流。栅极端子的形成需要使用p
2023-02-02 16:26:45

N沟通和P沟道功率MOSFET的特征是什么

功率MOSFET有二种类型:N沟通和P沟道,在系统设计的过程中,选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道功率MOSFET的特征,然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51

东芝新款车载直流无刷电机栅极驱动IC有助于提升车辆电气元件的安全性

。TB9083FTG这款新产品能够控制和驱动用于驱动3相直流无刷电机的外置N沟道功率MOSFET。它非常适合用于满足ISO 26262功能安全性标准第二版 ^[2]^ 的要求,并支持ASIL-D ^[3]^ 用于高安
2023-02-28 14:11:51

功率MOSFET结构及特点

栅极(Gate),漏极(Drain)和源极(Source)。功率MOSFET为电压型控制器件,驱动电路简单,驱动功率小,而且开关速度快,具有的工作频率。常用的MOSFET的结构有横向双扩散型
2016-10-10 10:58:30

栅极驱动器是什么

IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24

栅极驱动器是什么,为何需要栅极驱动器

CMOS/TTL逻辑电压。因此,逻辑/控制电路和功率器件之间需要一个接口。这可以通过驱动一个逻辑电平n沟道MOSFET,其进而驱动一个功率MOSFET来实现,如图1a所示。图1. 反相逻辑驱动功率
2021-07-09 07:00:00

栅极驱动器是什么,为何需要栅极驱动器

为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15:08

栅极驱动器隔离栅的耐受性能怎么样?

本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06

汽车电动座椅中多通道栅极驱动器的优势

栅极驱动器解决方案TI提供专为电动座椅设计的多电机汽车栅极驱动器。DRV8714-Q1和DRV8718-Q1的半桥栅极驱动器分别具有四个通道和八个通道。它们集成了电荷泵、电流检测放大器和可用于多个负载
2022-11-03 07:05:16

汽车类双通道SiC MOSFET栅极驱动器包括BOM及层图

描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案,可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源,其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55

电流栅极驱动器助力实现更高的系统效率

当今世界,设计师们似乎永远不停地追求更高效率。我们希望以更低的功率输入得到更高的功率输出!更高的系统效率需要团队的努力,这包括(但不限于)性能更高的栅极驱动器、控制和新的宽禁带技术。特别是电流
2019-08-07 04:45:12

A4989SLDTR-T代替A3986 大功率工业双极二相步进电机双全桥栅极驱动器 30-500W

A4989SLDTR-T代替A3986 大功率工业双极二相步进电机双全桥栅极驱动器 30-500W其电动机的功率是由外部N沟提供,功率MOSFET的电源电压为12-50V.还包含生成两个正弦DAC
2019-10-28 14:00:50

ADP3412是一款为驱动而优化的双mosfet驱动器两个N通道mosfet

同步降压变换;标准到同步转换的适配。  一般说明  ADP3412是一款为驱动而优化的双mosfet驱动器两个N通道mosfet,它们是a中的两个开关非隔离同步降压功率变换每一个驱动器能够以20
2020-07-21 15:49:18

AOS AON7544 N沟道MOSFET

`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS(αMOSLV)技术,具有极低的RDS(on),低栅极电压和电流能力,非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39:05

IP2127单通道驱动器资料推荐

IP2127是一款单通道驱动器,它具有电流检测功能电路,输入为有效的高端驱动器。它为双列直插8脚封装。
2021-04-23 06:04:34

IRS26302DJBPF高速功率MOSFET和IGBT驱动器相关资料分享

概述:IRS26302DJBPF美国国家半导体公司生产的一款高速功率MOSFET和IGBT驱动器,它把功率MOSFET/IGBT栅极驱动器与三个侧及三个低侧参考输出通道集成在一起,在最高20V
2021-05-18 07:25:34

ISL6594A/ISL6594B高频MOSFET驱动器

ISL6594A和ISL6594B是高频MOSFET专为驱动上下功率而设计的驱动器同步整流buck中的N沟道mosfet转换拓扑。这些驱动程序与ISL6592数字多相降压型脉宽调制控制N沟道
2020-09-30 16:47:03

LN8322 电子烟、无线充 MOSFET 驱动器 LN8322SR南麟代理商30V驱动N沟道MOSFET栅极半桥驱动IC代替RT9612

N8322 是一款可驱动高端和低端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动芯片,可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。LN8322 内部集成欠压锁死电路可以确保 MOSFET 在较低的电源电压下处于关断状态
2022-01-12 13:39:25

LT1158的典型应用半桥N沟道功率MOSFET驱动器

LT1158上单个输入引脚的典型应用同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21

LT1160的典型应用:半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器

LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01

NCP5106BDR2G 600V电压 隔离式栅极驱动器

本帖最后由 Sillumin驱动 于 2021-11-23 14:05 编辑 NCP5106是一款高压栅极驱动IC,提供两个输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT,使用自举技术
2021-11-23 13:57:47

P沟道MOSFET的基本概念及主要类型

相反。由于其中存在可用的P型杂质,因此该MOSFET中的通道是预先构建的。一旦在栅极端施加负 (-) 电压,N型中的少数电荷载流子(如电子)就会被吸引到P型沟道。在这种情况下,一旦漏极反向偏置,则器件
2022-09-27 08:00:00

P沟道N沟道MOSFET在开关电源中的应用

MOSFET最常用作输入电压低于15VDC的降压稳压中的侧开关。根据应用的不同,N沟道MOSFET也可用作降压稳压侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的驱动器。图1:具有电平移位驱动
2018-03-03 13:58:23

SiC功率模块的栅极驱动其1

的不是全SiC功率模块特有的评估事项,而是单个SiC-MOSFET的构成中也同样需要探讨的现象。在分立结构的设计中,该信息也非常有用。“栅极误导通”是指在SiC-MOSFET+低
2018-11-30 11:31:17

栅极驱动27515的应用】 24V 4A 拉、灌电流 单通道驱动器

• -40oC 到 125oC 的工作温度范围 SL27517 是单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器,可以高效安全地驱动 MOSFET、IGBT 以及新兴的宽带隙功率器件。低传播延迟以及紧凑
2022-07-26 10:21:31

【转帖】如何实现隔离式半桥栅极驱动器?

采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合隔离的基本半桥驱动器(如图1所示)以极性相反的信号来驱动高端和低端N沟道MOSFET(或IGBT)的栅极,由此来控制输出功率
2018-07-03 16:33:25

一个单微功率MOSFET驱动器内置保护

记本电脑电源切换SCSI终端电源切换蜂窝电话电源管理电池充电和管理高端工业和汽车开关步进电机和直流电机控制说明LTC1154单栅极驱动器允许使用低侧交换应用的成本N沟道场效应晶体管。内部电荷泵提高栅极
2020-09-08 17:28:16

一文研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能

本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。在高度可靠、高性能的应用中,如电动/混合动力汽车,隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着
2021-01-22 06:45:02

三重MOSFET驱动器L9380介绍

N沟道功率MOS晶体管开关“配置。它用于汽车电气控制单元中继电器的更换。注:除定时引脚外,所有引脚的ESD均符合MIL 883C,在2KV下测试,对应于0.2mJ的最大能量消耗。定时引脚800V
2020-09-09 17:31:48

为什么要在汽车PTC模块中用低侧驱动器IC替换分立式栅极驱动器

(PTC) 加热来加热冷却剂。PTC加热依靠高压电池来运行,需要几千瓦的功率。图1显示了由低侧MOSFET/IGBT电源开关驱动的典型PTC加热方框图。图1:汽车内部加热模块的方框图过去
2022-11-04 06:40:48

什么是MOSFET驱动器?如何计算MOSFET的功耗?

什么是MOSFET驱动器MOSFET驱动器功耗包括哪些部分?如何计算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00

具有保护功能的ISL6594A/ISL6594B高频MOSFET驱动器

ISL6594A和ISL6594B是高频MOSFET专为驱动上下功率而设计的驱动器同步整流buck中的N沟道mosfet转换拓扑。这些驱动程序与ISL6592数字多相降压型脉宽调制控制N沟道
2020-09-29 17:38:58

具有升压稳压的半桥N沟道功率MOSFET驱动器

LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V(绝对最大值)的高压(HV)轨道上工作
2019-05-10 06:46:05

减小隔离式同步栅极驱动器的尺寸并降低复杂性的方案

、效率低下、解决方案尺寸较大,因而不适合功率、高密度同步整流应用。图1. 脉冲变压、光耦合和ADuM3220栅极驱动器解决方案光耦合与脉冲变压相比,使用光耦合作为栅极驱动器来执行同步整流
2018-10-15 09:46:28

基于STL220N6F7低压BLDC电机驱动器的扩展板

还可以安装Arduino UNO R3连接。该扩展板上使用的IC驱动器是用于N沟道功率MOSFET的L6398单芯片半桥栅极驱动器。 L6398栅极驱动器和STL220N6F7功率MOSFET组合形成BLDC电机的电流功率平台,基于STM32 Nucleo板的数字部分提供6步或FOC算法控制解决方案
2020-05-20 08:53:36

功率LED驱动器MAX16834相关资料下载

概述:MAX16834是电流模式高亮度LED (HB LED)驱动器,可实现升压、升/降压、SEPIC及降压拓扑结构。除了驱动由开关控制控制的n沟道功率MOSFET开关,该器件还可驱动n沟道
2021-05-17 06:49:06

如何定义栅极电阻、自举电容器以及为什么栅极驱动器可能需要对MOSFET源极施加一些电阻?

您好,我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器,但我们遇到了设备故障和损坏MOSFET 栅极驱动器的问题。首先,是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06

实现隔离式半桥栅极驱动器

阐述这些设计理念,以展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合隔离的基本半桥驱动器(如图1所示)以极性相反的信号来驱动高端和低端N沟道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22

实现隔离式半桥栅极驱动器的设计基础

驱动器解决方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔离式半桥驱动器的功能是驱动上桥臂和下桥臂N沟道MOSFET(或IGBT)的栅极,通过低输出阻抗降低导通损耗,同时通过快速开关时间降低开关损耗。上桥臂
2018-10-16 16:00:23

实现隔离式半桥栅极驱动器的设计途径

展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。  采用光耦合隔离的基本半桥驱动器(如图1所示)以极性相反的信号来驱动高端和低端N沟道MOSFET(或IGBT)的栅极,由此来控制
2018-09-26 09:57:10

应用电路使用ADuM3100数字隔离是由功率开关MOSFET组成的H桥,由低压逻辑信号控制

和低侧。该电路还在控制侧和电源侧之间提供电流隔离。 ADuM7234是一款隔离式半桥栅极驱动器,采用iCoupler技术提供独立且隔离的高端和低端输出,因此可以在H桥中专门使用N沟道MOSFET。该电路可用于电机控制,带嵌入式控制接口的电源转换,照明,音频放大器和不间断电源(UPS)
2019-11-07 08:53:19

开关电源设计之:P沟道N沟道MOSFET比较

沟道MOSFET也可用作降压稳压侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的驱动器。图1:具有电平移位驱动IC。图2:自举电路对N沟道MOSFET进行栅控。极性决定了MOSFET的图形
2021-04-09 09:20:10

怎样减小隔离式同步栅极驱动器的尺寸并且降低复杂性

V或5 V逻辑电平提升到15 V或更高的电压,以便驱动MOSFET栅极。遗憾的是,为了驱动电流同步整流电路,可能需要一个单独的电流栅极驱动器IC。还有一点需要考虑:脉冲变压不能很好地处
2017-04-05 14:05:25

意法半导体推出功能丰富的电气隔离栅极驱动器,为碳化硅或硅功率晶体管提供更好控制和保护

。STGAP2S栅极驱动器全系标配4A轨到轨输出,即使驱动功率逆变器,也能保证开关操作快速、高效。输入到输出传播延迟在80ns以内,在开关频率下确保PWM控制精确,满足SiC器件的驱动要求。出色的抗dV
2018-08-06 14:37:25

意法半导体新款可扩展车规驱动器,采用专有 VIPower M0-9制造技术

2 月 15日,意法半导体发布了单通道、双通道和四通道车规栅极驱动器,采用标准的PowerSSO-16 封装,引脚分配图可简化电路设计升级,增加更多驱动通道。新栅极驱动器适用于所有的汽车系统设备
2023-02-16 09:52:39

新型功率开关技术和隔离式栅极驱动器不断变化的格局

将减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46

新型功率开关技术和隔离式栅极驱动器不断变化的格局

频率将减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44

新型功率开关技术和隔离式栅极驱动器的趋势和格局

减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32

瑞萨电子推出全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布,推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM,用于驱动电动汽车(EV)逆变器的IGBT(绝缘栅双极型晶体管和SiC(碳化硅)MOSFET等高压功率
2023-02-15 11:19:05

用于外部N通道功率mosfet的全桥控制A4940

的无调节电源和3到5.5伏的逻辑电源。四个栅极驱动器能够驱动广泛的N通道功率mosfet,并配置为两个高端驱动器和两个低端驱动器。A4940提供了所有必要的电路,以确保高压侧和低压侧外部mosfet栅极
2020-09-29 16:51:51

隔离式栅极驱动器揭秘

超过标准CMOS/TTL逻辑电压。因此,逻辑/控制电路和功率器件之间需要一个接口。这可以通过驱动一个逻辑电平n沟道MOSFET,其进而驱动一个功率MOSFET来实现,如图1a所示。图1. 反相逻辑
2018-10-25 10:22:56

隔离式栅极驱动器的揭秘

隔离式栅极驱动器时,转换时间大大缩短;当驱动同一功率MOSFET时,该驱动器相比微控制I/O引脚能够提供高得多的驱动电流。很多情况下,由于数字电路可能会透支电流,直接微控制驱动较大功率MOSFET
2018-11-01 11:35:35

面向SiC MOSFET的STGAP2SICSN隔离式单通道栅极驱动

单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制,采用节省空间的窄体SO-8封装,通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率,STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间,并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19

高速栅极驱动器助力实现更高系统效率

新年伊始,设计师们似乎在永远不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中,我讨论了电流栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率。高速栅极驱动器可以实现相同的效果。高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管
2019-03-08 06:45:10

高速栅极驱动器解读

高速栅极驱动器可以实现相同的效果。高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管的功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管,对于大多数类型的FET是固有的。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示
2022-11-14 07:53:24

为什么我们需要#mosfet栅极驱动器

MOSFET元器件FET栅极栅极驱动器栅极驱动
jf_97106930发布于 2022-08-27 16:46:11

IR2117 单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路

单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117 IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能
2009-12-08 10:21:006016

Toshiba推出功率栅极驱动光耦合器

Toshiba推出功率栅极驱动光耦合器 Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔离器,设计用来驱动需要输出电流高达±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驱动器IC光耦合器TLP358系
2010-01-20 08:37:03696

凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器LTC4449

凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器LTC4449 凌力尔特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449,该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。
2010-02-04 08:40:551261

德州仪器推出面向高密度开关电源设计的高速单通道栅极驱动器

日前,德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器,其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等
2012-04-23 16:48:00952

德州仪器(TI)推出单通道低侧栅极驱动器UCC27511与UCC27517

德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器
2012-04-24 09:56:411411

凌力尔特推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器

10 月 1 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5,该器件能以高达 80V
2013-10-09 15:41:271040

Diodes栅极驱动器可在半桥或全桥配置下 开关功率MOSFET与IGBT

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器,可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231403

6A N 沟道 MOSFET 栅极驱动器在 -55°C 至 125°C 的节温范围内工作

6A N 沟道 MOSFET 栅极驱动器在 -55°C 至 125°C 的节温范围内工作
2021-03-19 01:44:181

LT1158:半桥N沟道功率MOSFET驱动器数据表

LT1158:半桥N沟道功率MOSFET驱动器数据表
2021-05-20 18:32:193

LTC4441:N沟道MOSFET栅极驱动器数据表

LTC4441:N沟道MOSFET栅极驱动器数据表
2021-05-26 08:42:545

单通道隔离式栅极驱动器SLMi350英文手册

单通道隔离式栅极驱动器SLMi350英文手册免费下载。
2021-06-19 16:31:1519

数明半导体单通道隔离式栅极驱动器SLM34x通过UL1577认证

数明半导体宣布,兼容光耦单通道隔离式栅极驱动器SLM34x系列产品已通过UL1577认证,相关证书已下发。
2021-07-23 16:25:002653

探究罗姆非隔离型栅极驱动器以及超级结MOSFET PrestoMOS

ROHM不仅提供电机驱动器IC,还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器,再介绍ROHM超级结MOSFET
2021-08-09 14:30:512409

为控制碳化硅MOSFET而优化的单通道栅极驱动器

意法半导体的 STGAP2SiCSN 是为控制碳化硅 MOSFET而优化的单通道栅极驱动器,采用节省空间的窄体 SO-8 封装,具有稳健的性能和精确的 PWM 控制。 SiC 功率技术被广泛用于提高
2021-10-22 10:06:392484

东芝发布TCK42xG系列MOSFET栅极驱动集成电路

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已经推出面向20V电源线路的“TCK421G”,这是其“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动集成电路(IC)的首款产品。该系列的器件基于输入电压专用于控制外部N沟道MOSFET栅极电压,并具备过压自锁功能。批量出货即日起开始。
2022-02-12 09:18:511289

东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动器IC

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)为其TCK42xG系列MOSFET 栅极驱动器IC 的产品阵容增加面向可穿戴设备等移动设备的五款新品。该系列的新产品配备了过压锁定功能,并根据输入电压控制外部MOSFET栅极电压。
2022-06-09 10:00:301636

纳芯微单通道隔离式栅极驱动器介绍

纳芯微单通道隔离式栅极驱动器两款新品NSi66x1A和NSi6601M双双发布,均适用于驱动SiC,IGBT和MOSFET功率管,兼具车规(满足AEC-Q100标准)和工规两种等级,广泛适用于新能源汽车、空调、电源、光伏等应用场景。
2022-07-20 13:20:202261

纳芯微单通道隔离式栅极驱动器NSi66x1A和NSi6601M发布

纳芯微单通道隔离式栅极驱动器两款新品NSi66x1A和NSi6601M双双发布,均适用于驱动SiC,IGBT和MOSFET功率管,兼具车规(满足AEC-Q100标准)和工规两种等级,广泛适用于新能源汽车、空调、电源、光伏等应用场景。
2022-07-22 16:04:462115

用于SiC MOSFET栅极驱动器

STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 单通道栅极驱动器旨在调节碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄体 SO-8 封装,可节省空间并具有精确的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011355

东芝推出推出输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布扩大其智能栅极驱动光耦产品线,推出一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦---“TLP5222”。这是一种可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC,内置保护操作自动恢复的功能。该产品于今日开始出货。
2022-08-31 17:58:551219

探索汽车电动座椅中多通道栅极驱动器的优势

探索汽车电动座椅中多通道栅极驱动器的优势
2022-10-28 11:59:450

1ED3124MU12F单通道隔离栅极驱动器的特征及应用优势

设备驱动程序 紧凑型单通道隔离栅极驱动器,在用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的DSO-8窄体封装中具有14A的典型吸收和源峰值输出电流。
2022-11-02 16:47:09977

川土微电子发布CA-IS3211单通道隔离式栅极驱动器

CA-IS3211是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器,可用于驱动MOSFET、IGBT和SiC器件。隔离等级达到5.7kVRMS,芯片可提供5A拉、6A灌输出峰值电流能力。
2022-12-05 10:00:45697

MOSFET和IGBT栅极驱动器电路之高侧非隔离栅极驱动

高侧非隔离栅极驱动 1.适用于P沟道的高侧驱动器2.适用于N沟道的高侧直接驱动器 1.适用于P沟道的高侧驱动器 高侧非隔离栅极驱动可按照所驱动的器件类型或涉及的驱动电路类型来分类。相应地,无论是
2023-02-23 15:35:241

LTC7001 N沟道MOSFET栅极驱动器参数介绍

LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器,选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵,因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45515

SCT51240—单通道下管IGBT/MOSFET栅极驱动器

芯洲的SCT51240是一款宽供电电压、单通道、高速、低测栅极驱动器,适用于功率MOSFET,IGBT和宽禁带器件,例如氮化镓功率器件等驱动。 提供高达4A驱动拉电流和灌电流,并实现轨到轨输出
2023-05-05 09:00:14210

矽力杰车规级高低边栅极驱动器

阀和电机驱动器方面的应用扩展,车用栅极驱动器的需求日益增长。矽力杰高低边栅极驱动器矽力杰SA52631是一款高压高低边半桥驱动器,用于直接驱动高边和低边通道。半桥通道
2022-10-13 11:28:341864

全芯时代单通道低侧GaN驱动器

该芯片是一款单通道低侧GaN FET和逻辑电平MOSFET驱动器,可应用于LiDAR、飞行时间、面部识别和低侧驱动功率转换器等领域。
2023-06-30 09:58:50263

6.5A,2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板(配SiC MOSFET

新品6.5A,2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板(配SiCMOSFET)EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路,用两个栅极驱动IC1ED3142MU12F来驱动IGBT
2023-07-31 17:55:56431

N通道MOSFET的低压电机驱动设计

本应用笔记介绍了采用表面贴装封装的 n 通道MOSFET 的低压电机驱动设计。它描述了使用不同电压应用的设计,以及自适应 MOSFET 栅极驱动器,这是驱动双 n 沟道半桥的第三种方法。
2023-10-05 15:20:00615

茂睿芯MD18011X单通道隔离型栅极驱动器简介

MD18011X,光耦兼容的单通道隔离型栅极驱动器系列,是茂睿芯功率驱动产品推出的新型产品系列,可广泛应用于工业电源、光伏逆变器、伺服、变频器等系统。它们具备5700VRMS增强型隔离等级,主要
2023-10-26 16:02:08347

NSi6601单通道隔离式栅极驱动器支持米勒钳位兼容替代TI品牌UCC5350/ON的NCD5708

单通道隔离式栅极驱动器支持米勒钳位NSi6601M是单通道隔离式栅极驱动器,适用于驱动IGBT,功率MOSFET和SiCMOSFET在许多应用中。提供分立输出用于分别控制上升和下降时间。它可以提供
2022-10-31 13:31:463

NSI6801 经济型光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器兼容替代TLP5751

经济型光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器纳芯微全新推出第二代产品NSi6801x系列,包含NSi68010B和NSi68011C两款产品。NSi6801x系列产品基于第一代产品NSi6801优秀性能
2022-10-31 13:54:553

单通道栅极驱动器ADuM4135应用笔记

电子发烧友网站提供《单通道栅极驱动器ADuM4135应用笔记.pdf》资料免费下载
2023-11-29 11:00:580

【新品发布】圣邦微电子推出具有负输入电压能力的单通道高速低侧栅极驱动器 SGM48541/2/3/4/5

圣邦微电子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列,一款耐受 -10V 输入电压的单通道高速低侧栅极驱动器。 该系列器件被广泛应用于 DC/DC 转换器、太阳能和电机驱动器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01271

意法半导体推出功率MOSFET和IGBT栅极驱动器

意法半导体(下文为ST)的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578

适用于SiC/IGBT器件和汽车应用的单通道隔离式栅极驱动器UCC5350-Q1数据表

电子发烧友网站提供《适用于SiC/IGBT器件和汽车应用的单通道隔离式栅极驱动器UCC5350-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 10:17:510

电隔离单通道栅极驱动器UCC21750-Q1数据表

电子发烧友网站提供《电隔离单通道栅极驱动器UCC21750-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 10:38:520

单通道隔离式栅极驱动器UCC53x0数据表

电子发烧友网站提供《单通道隔离式栅极驱动器UCC53x0数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 14:00:570

已全部加载完成