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Intel全新发布StrataFlash嵌入式内存

2019年07月05日 17:05 次阅读

英特尔(Intel)日前针对消费性电子、工业以及有线通讯等市场的嵌入式应用,发布了StrataFlash嵌入式内存。这种低成本NOR型闪存是英特尔第四代Multi-Level Cell(MLC)产品,适合支持数字相机、家用电子产品、网络路由器与交换器、以及掌上型装置等应用。

Intel全新发布StrataFlash嵌入式内存

Intel StrataFlash嵌入式内存现可提供64Mb至512Mb密度版本,产品预订于2005年第2季问世,并将同步推出免付权利金的Intel闪存软件,协助客户提升数据与档案的管理效率。1Gb密度版本产品将于2005下半年问世。

Intel表示,在新系列产品问世后,嵌入式系统研发业者可根据本身的规格需求选择三种封装版本,所有版本皆提供有铅(Pb)与无铅型(Pb-free)封装。新组件的启动存取时间为85奈秒,总线作业速度则为20奈秒;这些内存还搭配了多种保护功能,而低电压的设计则能创造出更长的电池续航力。

Intel全新发布StrataFlash嵌入式内存

英特尔于1988年开发出的NOR(Not-Or)快闪组件是一种可复写的内存芯片,能在无电力的状态下保存数据,因此适用于嵌入式装置、行动电话以及其它行动装置。英特尔的第四代MulTI-Level Cell技术能在每个内存单元中储存两个bit的信息,因此能在更小的晶粒中容纳更高的密度。

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