什么是“显结”? 结就是PN结的结,显,是显现,显示,就是把PN结显示出来的工艺。
2023-10-20 10:52:37119 PN结反向偏置时,随着反向电压的增加,势垒电容是增加还是减少? PN结是由N型半导体和P型半导体组成的。当PN结处于正向偏置时,电子从N型半导体流入P型半导体,而空穴从P型半导体流入N型半导体。当
2023-10-19 16:53:1784 为什么加正向电压PN结变薄,加反向会变厚呢? PN结是半导体器件中最基本和最常用的一种器件,具有正向导通和反向截止的特性。如果将PN结的两端施加正向电压,电子从N型区流向P型区,空穴从P型区流向N型
2023-10-19 16:42:5266 pn结的电容效应 为什么在pn结间加入i层可以减小结电容? PN结是一种半导体器件,其中P型半导体和N型半导体间由弱耗尽区隔离。这种器件有许多应用,例如光电探测器、太阳能电池、场效应晶体管和整流器等
2023-10-19 16:42:4986 PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄是因为:**PN结外加正向电压,此时外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱了内电场
2023-10-18 17:38:58135 为什么PN结的雪崩击穿和齐纳击穿在温度升高的情况下,击穿电压变化方向相反? PN结是半导体器件中最基本的组成部件之一,广泛应用于电力、电信、信息处理等领域。PN结的雪崩击穿和齐纳击穿是PN结失效
2023-09-21 16:09:51379 PN结的反向击穿有哪几种形式? PN结(即正负电极结)是半导体器件的基础结构之一,它是由p型半导体和n型半导体直接接触组成的简单晶体管结构。PN结的一个重要特性是反向击穿,它指的是当PN结处于反向
2023-09-21 16:09:47289 什么是PN结的导通电压? PN结是半导体器件中最常见的元器件之一,它将p型半导体和n型半导体的材料在一起,通过电场使它们连接在一起,并形成一个电子流的管道。在其中,导通电压是PN结的一个重要参数
2023-09-13 15:09:29761 为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低? PN结是半导体器件中重要的一种,它是由掺有不同的杂质形成的结构而成。在PN结中,P层和N层之间形成了一个电势垒,这个电势垒可以阻止电流的自由流动。而当PN
2023-09-13 15:09:23934 pn结是怎么形成的?有哪些基本特性 PN结是半导体器件中最基本的元器件之一,它的存在使得晶体管、二极管、光电池等半导体器件得以实现。PN结是由n型半导体和p型半导体通过特定工艺加工、热扩散或离子注入
2023-09-13 15:09:20626 简述pn结的三种击穿机理 PN结是半导体器件中最常见的结构之一,它由P型半导体和N型半导体材料组成。在正向偏压下,PN结会工作在正常的导电状态,而在反向偏压下,PN结则会发生击穿现象,这是PN结
2023-09-13 15:09:18718 晶闸管(Thyristor)是一种具有四层结构的半导体器件,也被称为可控硅。它由两个PN结、一个门极和一个控制极组成,具有四层结构。晶闸管的工作原理是利用门极信号对控制极施加不同的电压,从而控制晶闸管的导通角度,实现对电流的控制。
2023-09-09 16:15:19514 在了解双向晶闸管的工作原理之前,需要先了解一下普通的晶闸管的工作原理。晶闸管是一种半导体器件,它是由四层PNPN型的晶体管结构组成,晶体管结构中有两个PN结,用一根同向的P型半导体材料相连,称为阳极,另一根同向的N型半导体材料相连,称为阴极。
2023-08-26 11:55:41707 半导体可以掺杂其他材料,变成p型或n型。pn结二极管可以是正向偏置或反向偏置。led是产生光子的正向偏压二极管。太阳能电池是吸收光子的pn结,给电子足够的能量进入导带。
2023-06-30 09:51:361130 关于二极管的原理来自于PN结,下图为本征半导体。
2023-05-29 10:31:13489 结构:四层三端器件,有三个PN结 工作原理: 1.晶闸管开通条件:①正向阳极电压②门极有触发电流(两条件必须同时满足) 2.晶闸管关断条件:①阳极施加反向电压②阳极电流降到接近于零的某一数值(维持
2023-03-07 11:33:150 IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor,集成门控晶闸管)的工作原理是通过对内部PN结区域施加正向电压,将PN结区域中的空穴和电子注入到N型感应层和P型感应
2023-02-28 11:45:321384 , 当PN结处于 平衡状态(无外加电压)时的少子称为平衡少子 可以认为阻挡层以外
2008-09-10 09:26:16
在PN结施加反向电压,耗尽层会逐渐变宽,通过改变耗尽层宽度来对导电通道进行控制。
2023-02-13 12:11:102003 前面已经写了两篇介绍放大器应用和MOSFET作驱动的文章。但是对它们的工作原理并没有进一步研究一下,今天写下这篇文章,主要是介绍二极管的工作原理,为后面的三极管和MOSFET工作原理的理解打下基础,然后,应该能理解放大器的工作原理,最后也就也能解决上两篇文章提出的问题了。
2023-02-07 16:43:082841 为啥说PN结是基础呢?
2022-09-15 10:22:002431 PN结的形成动画
2022-08-17 14:46:268 为什么需要借助于三极管中的PN结来测量温度,而不是简单的使用普通的二极管的PN结?
2022-07-10 11:05:423792 如图2-1,将一块P型半导体与N型半导体相结合后,构成PN结。P区与N区两块半导体之间形成了空间电荷区。(空间电荷区又称阻挡层、耗尽层、势垒区)
2022-07-05 10:29:066802 之间的边界由PN结形成。 它由具有不同掺杂水平的半导体的三个部分组成。 晶体管中的电荷流动主要归因于PN结处载流子的扩散和漂移运动。
2022-06-17 09:04:103372 之间的边界由PN结形成。 它由具有不同掺杂水平的半导体的三个部分组成。 晶体管中的电荷流动主要归因于PN结处载流子的扩散和漂移运动。
2022-06-12 14:45:152758 PN结的基本原理及教程
2022-01-04 09:32:0231 磁力传动泵,简称磁力泵。与屏蔽泵一样,结构上只有静密封没有动密封。所以可以在输送液体时无泄漏。用在石化系统输送易燃、易爆、易挥发、有毒、有腐蚀及贵重液体等。 磁力泵结的工作原理 磁力泵工作原理
2021-07-30 11:42:251730 当PN结外加反向电压|vD|小于击穿电压(VBR)时,iD≈–IS。IS很小且随温度变化。当反向电压的绝对值达到|VBR|后,反向电流会突然增大,此时PN结处于“反向击穿”状态。发生反向击穿时,在反向电流很大的变化范围内,PN结两端电压几乎不变。
2020-08-27 16:28:2721777 《涨知识啦17》---PN结的热效应 在前面的PN结系列中我们提到过理想PN结的I-V曲线可用如下数学式表达,本周《涨知识啦》将继续给大家介绍PN结系列一些基础知识PN结的热效应。 PN结的正向电压
2020-07-07 10:31:172233 PN结是LED的核心组成部分,预先分析LED的电学特性必先分析PN结的电学特性。在之前的章节中已经详细介绍了PN结的工作原理,并推导出PN结理想的I-V特性方程,即肖克莱方程,如下所示: 而真实
2020-06-15 15:41:011858 什么是PN结?PN结是构成二极管、三极管及可控硅等许多半导体器件的基础。
2020-03-25 15:37:5525170 同一个半导体一头做成P型半导体,一头做成N型半导体,就会在两种半导体的交界面处形成一个特殊的接触面则成为PN结。P结种空穴多点在少,N结种电子多空穴少。
2019-09-04 09:41:1819689 如果PN结加反向电压,如右图所示,此时,由于外加电场的方向与内电场一致,增强了内电场,多数载流子扩散运动减弱,没有正向电流通过PN结,只有少数载流子的漂移运动形成了反向电流。由于少数载流子为数很少,故反向电流是很微弱的。
2019-09-04 09:25:2768513 电力晶体管有与一般双极型晶体管相似的结构、工作原理和特性。它们都是3层半导体,2个PN结的三端器件,有PNP和NPN这2种类型,但GTR多采用NPN型。GTR的结构、电气符号和基本工作原理,如图1所示。
2019-09-02 08:57:4512001 场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
2019-04-09 14:10:3326226 在杂质半导体中, 正负电荷数是相等的,它们的作用相互抵消,因此保持电中性。本视频主要详细阐述了pn结的形成原理,载流子的浓度差产生的多子的扩散运动、电子和空穴的复合形成了空间电荷区以及空间电荷区产生的内电场E又阻止多子的扩散运动。
2018-10-27 11:18:4681262 PN结加正向电压时,可以有较大的正向扩散电流,即呈现低电阻,我们称PN结导通;PN结加反向电压时,只有很小的反向漂移电流,呈现高电阻,我们称PN结截止。这就是PN结的单向导电性。
2018-10-27 11:13:0831774 的 PN 结, 因此,掌握 PN 结的基本原理十分重要。1. PN 结的形成如果一块半导体的两部分分别掺杂形成 P 型半导体和 N 型半导体, 在它们的交界面处就形成了 PN 结。交界面处存在载流子浓度
2018-10-23 15:14:3254925 本文首先介绍了P型半导体和N型半导体,其次介绍了pn结的形成,最后详细的阐述了pn结的形成原理。
2018-09-06 18:20:4543135 pn结工作原理就是如果将PN结加正向电压,即P区接正极,N区接负极,如右图所示。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下,内电场将会被削弱,使得阻挡层变窄,扩散运动因此增强
2018-09-06 18:14:30162655 本文主要详细阐述了pn结的基本特性是什么,其次介绍了PN结的击穿特性、PN结的单向导电性以及PN结的电容特性。
2018-09-06 18:09:11101976 PN结加正向电压时,可以有较大的正向扩散电流,即呈现低电阻,我们称PN结导通;PN结加反向电压时,只有很小的反向漂移电流,呈现高电阻,我们称PN结截止。这就是PN结的单向导电性。
2018-09-06 18:03:1313404 本文档的主要内容详细介绍的是微电子器件设计课件之PN结,平衡态PN的详细资料和公式详细说明概述。
平衡态 PN 结能带图及空间电荷区,理想PN 结的伏安特性,实际PN 结的特性,PN 结的击穿,PN 结的电容
2018-09-04 08:00:00131 PN结加正向电压时,可以有较大的正向扩散电流,即呈现低电阻, 我们称PN结导通; PN结加反向电压时,只有很小的反向漂移电流,呈现高电阻, 我们称PN结截止。 这就是PN结的单向导电性。
2018-01-22 18:57:0313492 PN结的电容效应限制了二极管三极管的最高工作效率,PN结的电容效应将导致反向时交流信号可以部分通过PN结,频率越高则通过越多。
2018-01-22 09:05:4642792 本文介绍了PN结的形成及特性,相关内容包括载流子的漂移与扩散、PN结的形成、PN结的单向导电性、PN结的反向击穿和PN结的电容效应。 漂移运动:在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。 扩散运动:由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。 PN结的形成:
2017-11-23 11:37:0813 文摘:论述了PN结光伏理论,指出了硅太阳电池旁路电阻的简便测量一文中关于光伏理论的修正和 测量旁路电阻的新方法的不妥和错误之处。 关键词:PN结,光伏理论,硅太阳电池,旁路电阻测量方法
2011-02-23 16:28:3774 伏安特性是PN 结的基本特性,测量PN 结的扩散电流与PN 结电压之间的关系,可以验证它们遵守波尔兹曼分布,并进而求出波尔兹曼常数的值.PN 结的扩散电流很小,为10-6~10-8
2010-07-17 10:00:5129 1.正偏p-n结的能带(P+,N-)2.正偏时载流子的运动和电流成分 3.正偏下的电流密度 4.反偏时的p-n结(P-,N+) 6. 理想pn结模型四、pn结电容低频,pn结有整流作用;高
2010-07-17 08:58:1013 图一 PN结物理特性的测量实验装置全图
伏安特性是PN结的基本特性,测量PN结的扩散电流与PN结电压之间的关系,可以验证它们遵守波尔兹曼分布,并进而求出波尔兹曼常数
2010-07-17 08:49:4731 PN结的形成及应用电路
1.PN结的形成
2010-04-20 14:30:143042 雪崩二极管工作原理是什么?
在材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强。这样,通过空间
2010-03-05 09:49:077227 双向可控硅工作原理是什么?
1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作
2010-03-03 09:56:253525 单向可控硅的工作原理
单向可控硅原理
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以
2010-03-03 09:29:218147 光检测器的工作原理是什么?
(1)PN结的光电效应光电二极管(PD)是一个工作在反向偏压下的PN结二极管,如下图。由光电二极管作成的光检测器的核心是PN结的光电效
2010-02-27 17:45:3514934 PN结温度传感器工作原理是什么?
PN结温度传感器是一种半导体敏感器件, 它实现温度与电压的转换。在常温范围内兼有热电偶,铂电阻,和热敏
2010-02-26 11:52:449203 什么是PN结型温度传感器及其原理是什么?
温度传感器
PN结温度传感器是一种
2010-02-26 11:51:2029945 pn结的形成/多晶硅中PN结是怎样形成的?
PN结及其形成过程 在杂质半导体中, 正负电荷数是相等的,它们的作用相互抵消
2010-02-26 11:40:454924 pn结原理是什么
1.2.1 PN结的形成 在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型
2010-02-26 11:36:453396 PN结,PN结是什么意思?PN结的形成
(1)当P型半导体和N型半导体结合在一起时,由于交界面处存在载流子浓度的差异,这样电子和空穴都要从浓度高
2010-02-26 11:33:3531911 晶闸管(SCR)工作原理
晶闸管的工作原理:在晶闸管的阳极与阴极之间加反向电压时,有两个PN结处于反向偏置,在
2009-12-10 14:14:1025687 光电池的工作原理及其特性
1.1 光电池的工作原理
在一块N形硅片表面,用扩散的方法掺入一些P型杂质,形成PN结,光这就是一块硅光电池。当照射在PN上时,如光
2009-12-01 11:32:5231883 pn结学习课程:、pn结的形成和杂质分布在一块n型(或p型)半导体单晶上,用适当的工艺方法(如:合金法、扩散法、生长法、离子注入法等)把p型(或n型)杂质掺入其中,使这块
2009-11-24 17:53:0937 PN结的单向导电性
P端接电源的正极,N端接电源的负极称之为PN结正偏
2009-11-12 10:24:066462 PN结及其特性详细介绍
1. PN结的形成
在一块本征半导体在两侧通
2009-11-09 16:09:0723119
PN
2009-11-09 13:46:113318 发光二极管的工作原理发光二极管是采用磷化嫁(Ga P) 或磷呻化嫁( GaAsP) 等半导体材料制成的,其内部结构为-PN 结,具有单向导电性。当在发光二极管的PN 结上加正电压时, PN
2009-09-19 17:27:241167 单向晶闸管的基本结构及工作原理
晶闸管有许多种类,下面以常用的普通晶闸管为例,介绍其基本结构及工作原理。
单向晶闸管内有三个PN 结,它们是由相互交
2009-09-19 16:54:157607 模拟电路网络课件 第四节:PN结的形成
PN结的形成
一、PN结的形成
2009-09-17 09:09:391853 N沟道结型场效应管的工作原理
(1)Ugs对导电沟道和D i 的控制作用当Ugs= 0时,导电沟道未受任何电场的作用,导电沟道最宽,当外加U
2009-09-16 09:33:4812377 PN结的构成
把一块半导体硅片或锗片,通过一定的工艺方法.一边做成P型半导体,另一边做成N型半导体,在两者交界处就会形成一个薄层,这个薄层就是PN 结.如图14-2 (a) 所
2009-08-22 15:22:032827 实验 温度传感器—PN结温敏二极管实验原理:半导体PN 结具有良好的温度线性,根据PN 结特性表达公式I Is( RT 1)qv= l - 可知,当一个PN 结制成后,其反
2009-03-06 15:37:423825 发光二极管(LED)的工作原理
当某些半导体材料形成的PN结加正向电压时,空穴与电子在PN结复合时将产生特定波长的光,发光的波长与半
2008-12-21 16:16:581924 PN结的形成及工作原理
当P型和N型半导体材料结合时,P 型( N型)材料中的空穴(电子)向N 型( P 型)材料这边扩散,扩散的结果使得结
2008-12-21 16:13:387765 PN结的击穿特性:
当反向电压增大到一定值时,PN结的反向电流将随反向电压的增加而急剧增 加,这种现象称为PN
2008-09-10 09:26:0412219 PN结的形成及特性一、 PN结的形成 二、 PN结的单向导电性 三、 PN结的电流方程 四、 PN结的伏安特性 五、 PN结的电容效应
2008-07-14 14:09:2988
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