功率器件
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SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作环境
GaN 、SiC很有可能在高压高频方面完全取代硅基，SiC MOSFET 主打高压领域；GaN MOSFET 主打高频领域。...
2022-10-19 313
碳化硅功率器件在新能源汽车、光伏发电、轨道交通以及智能电网的应用
轨道交通车辆表现出多样化的发展态势，在运营状态方面可以划分为干线机车、城市轨道车辆、高速列车等类型，而城市轨道车辆与高速列车构成了未来轨道交通发展的重要推动力。...
2022-10-19 1598
硅基器件与宽禁带器件的区别
固体中电子的能量分布是离散的，电子都分布在不连续的能带(Energy Band)上，价电子所在能带与自由电子所在能带之间的间隙称为禁带宽度（Energy Gap），禁带宽度反映了被束缚价电子要成为自由...
2022-10-17 1420
Vishay推出封装的新型第四代 600V EF系列快速体二极管MOSFET
Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF 导通电阻比前代器件降低 29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降 60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转...
2022-10-14 844
BJT型晶体管基础知识介绍
BJT型晶体管作为最为古老的晶体管之一，由贝尔实验室的三位著名的科学家W. Shockley、J. Barden 和 W. Brattain 于1947年发明，也标志着半导体时代的到来，因此这三位科学家于1956年获得了诺贝尔物理...
2022-10-13 2089
Nexperia推出应用工业和汽车领域的CFP封装二极管
此最新产品含有 32 个平面肖特基二极管以及 8 个超快恢复整流二极管，均封装在 CFP15B 中。包含通用型号和符合 AEC-Q101 车规标准的带 Q 的器件。...
2022-10-13 401
ZVS1和ZVS2各有哪些优缺点，如何选择？
工作在容性区域电流超前于电压，前级开关管容易实现ZCS关断，这个区域比较适合IGBT。 工作在感性区域电压超前于电流，前级开关管容易实现ZVS开通，这个区域比较适合MOSFET。...
2022-10-12 3192
闻泰科技布局汽车市场 加速推进IGBT！
在日前业绩上说明会，闻泰科技董事长、总裁张学政表示，上市公司正在布局IGBT、SiC、GaN等产品，来自汽车与工业需求持续增长，成为半导体业务增长的主要动力。...
2022-10-10 336
N沟道MOSFET的基本概念、应用电路及主要类型
众所周知，MOSFET是晶体管的一种，也称为IGFET(绝缘栅场效应晶体管)或MIFET(金属绝缘体场效应晶体管)。在MOSFET中，通道和栅极通过薄的SiO2层分离，它们形成随栅极电压变化的电容。...
2022-10-09 15783
何为IGBT？IGBT的结构和原理
IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，所以它是一个有MOS Gate的BJT晶体管。奇怪吧，它到底是MOSFET还是BJT？其实都不是又都是。不绕圈子了，他就是MOSFET和BJT的组合体。...
2022-10-09 3122
什么是GaN氮化镓？为什么充电器用GaN而不是SiC？
新能源车的功率控制单元（PCU）是汽车电驱系统的中枢神经，管理电池中的电能与电机之间的流向、传递速度。传统 PCU 使用硅基材料半导体制成，强电流与高压电穿过硅制晶体管和二极管的时...
2022-10-08 3379
Trench MOSFET结构模型分析
本文基于仿真和实验方法，开展了 100VN 沟槽 MOSFET 的设计研究工作。通过沟槽深度，体区注入剂量和栅氧化层厚度拉偏，获得了对击穿电压，阈值电压和导通电阻的影响规律并对机理进行了分析...
2022-10-08 6876
基于仿真工具对100VN TrenchMOSFET器件设计研究
沟槽（Trench）MOSFET 是一种新型垂直结构的 MOSFET 器件，是从传统平面 MOSFET 结构基础上优化发展而来，Trench MOSFET 由于将沟槽深入硅体内，在设计上可以并联更多的元胞，从而降低导通电阻（R...
2022-10-08 717
中车时代中低压功率器件产业化建设项目52.93亿落地株洲
10月2日，株洲市人民政府与株洲中车时代半导体签署合作协议，中低压功率器件产业化（株洲）建设项目正式落地。中国中车副总裁王宫成，株洲市委副书记、市长陈恢清出席仪式并致辞。中车...
2022-10-05 2512
三级管电子开关的基本电路图
由于对硅三极管而言，其基极的正向偏压值约为0.6V，因此欲使三极管截止，Vin必须低于0.6V，以使三极管的基极电流为零。通常，为了可以更确定三极管必处于截止状态，往往使Vin值低于0.3V。...
2022-09-30 3631
什么是MOSFET，MOSFET内部结构原理
功率MOSFET为多单元集成结构，如IR 的HEXFET采用六边形单元;西门子Siemens的SIPMOSFET采用正方形单元;摩托罗拉公司Motorola的TMOS采用矩形单元按品字形排列...
2022-10-07 602
P沟道MOSFET的基本概念及主要类型
MOSFET是一种三端、电压控制、高输入阻抗和单极器件，是不同电子电路中必不可少的元件。一般来说，这些器件根据其默认状态下是否有相应的通道，分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET两类。...
2022-09-23 14060
MOSFET简介、主要参数及驱动技术
咱们做电子的，几乎都会用到MOS管，也遇到过MOS管炸裂的情况。小功率MOS炸裂时，没什么感觉，大功率就不一样，震耳欲聋，感觉在以命相搏。...
2022-09-21 996
增强型MOSFET的基础知识
MOSFET是一种具有绝缘栅的场效应晶体管，主要用于放大或切换信号。在当前模拟和数字电路中，与BJT相比，MOSFET的使用频率更高一些。...
2022-09-20 6372
浅谈IGBT产业链中的几个玩家
低压的光伏经过前年的低谷期，最近两三年都是处于上升的阶段，包括很多光伏逆变的客户发展还是比较快，海外市场会多一些，包括这几年崛起的终端客户，比如德业和锦浪。...
2022-09-20 639
Transphorm 900V氮化镓功率器件规格参数
两款900V FET均属于常闭型器件，通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷，提供更高的效率，明显超越传统硅 (Si) 器件，具有显著优势。...
2022-09-16 857
如何让MOS管快速开启和关闭
一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。...
2022-09-15 4629
GaN射频器件的微波测试介绍
随着5G的推出，新的无线电网络基础设施的一个重要环节是gNodeB基站的功率放大器（PA）。PA需要无故障运行，往往是在极端条件下，而且5G标准提出了更宽的带宽、更高的频率和更高的效率。...
2022-09-13 874
耗尽型MOSFET的基本概念及主要类型
众所周知，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种电压控制器件，由源极、漏极、栅极和主体等端子构成，用于放大或切换电路内的电压，也广泛用于数字应用的IC。...
2022-09-08 7217
打造理想18W充电器方案 性能优异内置多重保护措施
接下来，我们给大家带来的是基于思睿达主推的CR5269SSJ+CR3018L_12V1.5A电源充电器解决方案。对比之前的电源充电器样机，该样机的特性和结构信息又有什么不同？其能否满足客户的要求呢？一起...
2022-09-08 3048
华源智信推出GND散热的集成氮化镓芯片HYC3606
前言 氮化镓技术在消费类电源领域的大规模商用，带来了电源配件产品功率密度的一次大提升。借助GaN功率器件高频、高效的特性，体积小巧、更加便携的高密度快充逐渐取代了传统的传统板...
2022-09-07 2739
MOSFET的基本工作原理和特性
MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分，一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面内，半导体的另一个平面可以称为体端，所以在一些书籍和资料中，也将...
2022-09-06 4185
开关电源选择“正激”还是“反激”？这份宝典请收好
反激式 反激式开关电源是指使用反激高频变压器隔离输入输出回路的开关电源。“反激”指的是在开关管接通的情况下，当输入为高电平时输出线路中串联的电感为放电状态；相反，在开关管...
2022-09-05 5615
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