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薄膜电路技术在T/R组件中的应用

2018年03月01日 13:58 次阅读

薄膜电路

薄膜电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜,并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。

薄膜集成电路中的有源器件,即晶体管,有两种材料结构形式:一种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管,另一种是薄膜热电子放大器。更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺,即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线,再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式,就可以组装成一块完整的集成电路。

T/R组件

T/R组件是指一个无线收发系统中视频与天线之间的部分,即T/R组件一端接天线,一端接中视频处理单元就构成一个无线收发系统。

T/R是Transmitter and Receiver的缩写。T/R组件通常意义下是指一个无线收发系统中视频与天线之间的部分,即T/R组件一端接天线,一端接中频处理单元就构成一个无线收发系统。其功能就是对信号进行放大、移相、衰减。

T/R组件一般包括收发两个支路,单元电路应包括:本振、上下变频、滤波器、低噪声放大器、功率放大器、双工电路等。如下图中卫星通信系统中的ODU部分即为典型的T/R组件。

薄膜电路技术在T/R组件中的应用

1.引言

采用薄膜技术来制造薄膜电路是薄膜领域中一个重要分支。薄膜电路主要特点:制造精度比较高(薄膜线宽和线间距较小),可实现小孔金属化,可集成电阻、电容、电感、空气桥等无源元件,并且根据需要,薄膜电路可以方便地采用介质制造多层电路。薄膜多层电路是指采用真空蒸发、溅射、电镀等薄膜工艺以及湿法刻蚀和干法刻蚀(反应离子刻蚀、等离子刻蚀、激光刻蚀)等图形形成技术,在抛光的基板(陶瓷、硅、玻璃等材料)上制作导体(Cu或Au等)布线与绝缘介质膜(PI或BCB等)相互交叠的多层互连结构。

薄膜多层电路技术,由于具有互连密度高、集成度高、可以制造高功率电路、整个封装结构具有系统级功能等突出特点,在微波领域的应用很有竞争力,特别是在机载、星载或航天领域中,其体积小、重量轻、可靠性高的特点更加突出,是一种非常有潜力的微波电路模块(低噪声放大器、滤波器、移相器等)、甚至需求量越来越大的T/R组件基板制造技术。

本文将在分析薄膜电路在T/R组件中应用的特点的基础上,介绍几种典型的应用实例,并给出发展建议。

2. 薄膜电路技术在T/R组件中应用的特点分析

随着雷达技术的发展,有源相控阵雷达成为主流,而其核心则是T/R组件,通常每部雷达含有成千上万只T/R组件。T/R组件不论其使用频率是否相同,也不论其使用场合是否相同,其基本构成是相同的,主要是由功率放大器、驱动放大器、T/R开关、移相器、限幅器、低噪声放大器、环流器、逻辑控制电路等组成,其结构框图如图1所示(1)。这些基本构成,在工艺实现时,部分可以直接做在电路板上,如微带传输线、开关、耦合器、滤波器等,部分采用外贴芯片(如功放、驱放等)、电容、环流器等来实现。因此,从使用功能和结构上,T/R组件实际上可以看作是一种具有收发功能的微波多芯片模块。

薄膜电路技术在T/R组件中的应用

受雷达波束栅瓣效应(相邻两个辐射单元的中心距小于工作波长的一半)以及重量、成本等限制,T/R组件的小型化、集成化、轻量化将是其发展趋势。为了满足其性能要求,采用低温共烧陶瓷LTCC、高温共烧陶瓷HTCC、薄膜多层电路技术、多层微波印制电路技术等多层集成技术来研制和生产T/R组件成为必然选择,几种多层技术的比较见表1(2~3)。

薄膜电路技术在T/R组件中的应用

从表中可以看出,薄膜多层互连基板,具有如下突出优点:

(1)布线密度高,体积可以很小、重量很轻;

(2)集成度高,可以埋置电阻、电感、电容等无源器件以及有源芯片;

(3)高频特性好,可用于微波及毫米波领域;

(4)承受功率密度高,可选用高导热的金属、金刚石、陶瓷或铝炭化硅复合材料等作基板,制造高密度高功率多层基板。

薄膜多层互连基板与其它类型的基板相比,具有如下明显的缺点:

(1)工艺采用串形方式,成品率相对低,制造成本高;

(2)制造层数受限制。

薄膜多层电路技术由于具有明显的优点和缺点,因此在制造T/R组件的选择上,可以有两种方案。第一,可以采用薄膜技术在陶瓷基板或金属基板上直接制造T/R组件(4~5),发挥薄膜高精度、高集成度、高功率的性能,这种方法成本较高; 第二,将薄膜技术和其他多层电路技术(如厚膜技术、HTCC、LTCC等)结合起来(6-8),制造T/R组件,扬长避短,既发挥其他基板容易实现多层的特点,从而克服薄膜技术本身制造层数不足的缺点,又能发挥薄膜技术本身的高精度、高性能特长。

3.2 金属基板上薄膜混合集成T/R组件

在铝、钼等金属基板上制作T/R组件或多芯片模块,近年来也有不少报道(4~6)。1995年,澳大利亚的O.Sevimli报导了一种金属基V波段(可以达110GHz以上)薄膜多层多芯片组件专利技术(5),结构示意图见图2。这种技术工艺过程是这样的:首先是在金属基板上腐蚀出用于安放芯片的孔,然后把芯片采用导电胶固定在孔内,控制好安装芯片的孔的深度使芯片与金属表面在同一平面内并精确定位,表面涂敷一层适于毫米波领域使用的BCB等介质材料,最后在芯片焊盘处刻蚀通孔,进行薄膜多层电路的制作。这种技术的突出优点是所有芯片或无源器件(如耦合器、滤波器等)可以同时装配,装配不采用金丝键合手段也不用倒装芯片,以解决毫米波频段金丝键合带来的一致性控制以及寄生效应难题;同时也可解决采用倒装芯片带来的功率耗散问题,芯片的热量可以通过金属底板快速散去。

薄膜电路技术在T/R组件中的应用

3.3 A l/SiC复合材料基板上HDI技术T/R组件

1997年,Lockheed MarTIn 公司报道了和GE 公司合作开发的基于Al/SiC材料基板的薄膜多层电路的T/R组件(7),结构图如图3所示。采用Al/SiC材料做T/R组件的基板,主要考虑该材料不仅导热率较高(接近氮化铝,约160W/moK),而且热张系数与GaAs或Si有源芯片接近,有利于直接贴装芯片。此外该材料密度低,有利于降低组件重量。 采用Al/SiC材料作基板,必须预先加工成形并进行镀Ni/Au金属化,有源芯片和无源器件可以直接贴装于凹腔内,并使其与基板表面在同一平面上,其中高功率GaAs芯片采用 AuSn高温焊料焊于基板凹腔内,以保证热传导并降低器件结点温度;非功率芯片和无源器件可以采用导电胶贴于基板凹腔内。然后在其上实施HDI技术(薄膜高密度多层互连),即采用胶粘剂复合一层聚酰亚胺膜(kapton), 用激光在对应芯片焊盘以及基板上需要的位置开孔,在孔及基板上采用溅射工艺实现金属化(TI/Cu/TI),然后采用激光或光刻的方法刻出图形及带线。以此类推,实现多层。

薄膜电路技术在T/R组件中的应用

3.4 薄、厚膜混合集成电路宽带T/R组件

1992年,通用公司报导了采用薄膜和厚膜混合工艺研制的宽带S/C波段T/R组件(8)(3.0~6.0GHz),尺寸只有3.3英寸&TImes;1.17英寸,S波段输出功率21W, C波段输出功率19W,接收增益30~38 dB。其结构示意图如图4所示,在同一块氧化铝陶瓷基板(厚0.635mm)上,正面采用薄膜技术做微带电路,背面采用厚膜技术做4层布线,正面薄膜电路和背面厚膜电路之间的互连采用激光打孔的方法实现,芯片和器件埋在陶瓷板孔内。

薄膜电路技术在T/R组件中的应用

3.5 半导体硅材料上薄膜多层发射模块

在半导体硅材料上,采用薄膜多层技术制造T/R组件的优点是可以和半导体技术兼容,可以集成有源芯片、无源器件,组件可以做的很小、并且能够大批量生产;缺点是由于硅材料导热率低,在需要高功率或高Q值的场合,高导热的氮化铝、氧化铍陶瓷更有优势。图5是美国辛西纳底大学研制的薄膜多层发射模块示意图,它是在硅基片上,用Dupont公司的聚酰亚胺做介质(每层介质厚度9~15μm),用Ti-Au-Ti或Cr-Au-Cr做导带(Au厚度2~3μm),制作的4层金属、3层介质的多层互连结构。

薄膜电路技术在T/R组件中的应用

薄膜电路技术在T/R组件中的应用

3.6 HTCC基板上薄膜多层 T/R组件

GE 和 Lockheed Martin 等公司合作开发的基于HTCC基板的薄膜多层电路的T/R组件(7),如图7所示。预先将HTCC基板开槽并金属化,将功率芯片贴装预槽内,使之与基板表面持平,然后在其上实施HDI工艺。

薄膜电路技术在T/R组件中的应用

采用 HTCC做T/R组件的基板,是充分利用了高温共烧陶瓷(HTCC)和薄膜多层的优点,而又避开其不足。HTCC的优点是热导率高、易实现多层;其缺点是由于采用的电阻率高的Mo、W等浆料制作导带,微波损耗较大。薄膜多层互连技术的优点:线条精度高,采用Cu、Au等电阻率低的材料作导带,微波损耗小;其缺点是耐功率不足、多层成本高。基于 HTCC的薄膜多层互连技术可以将电源线、地层、信号线布在HTCC中, 以满足耐功率需要并减少薄膜多层层数。功率芯片可以通过焊接的方式贴在HTCC的凹腔中,有利于散热。微带线及芯片精细互连线可以作在少数几层HDI层中,满足微波性能的需要。

3.7 LTCC基板上薄膜集成 T/R组件

Reinhardt Microtech公司和Micro Systems Engineering 公司合作开发了一种可用于X波段T/R组件的精细混合(Finebrid)集成技术,这种技术是将LTCC和薄膜技术集成在一起,在采用杜邦951或943生瓷制造的LTCC板上,不用抛光等处理,直接制造精细薄膜电路图形,结构示意图见图8。利用LTCC容易实现多层的特点,把直流电源线、控制信号线做在不同的层上,还可埋置电阻、电容等无源器件。选用杜邦951或943生瓷,是因为制成的LTCC损耗比较小。利用薄膜的高精度特点,把无源器件(如Lange耦合器、滤波器、电阻网络、衰减器、功率分配器等)集成在LTCC表面。实用中薄膜图形典型的线条及间距20微米,膜层厚度5微米;NiCr层充当电阻层和粘附层。从结构图上可以看出,芯片安装在LTCC表面的凹腔内,可以减小键合长度及关联电感,芯片热量可通过背面的散热通孔柱传到下面的热沉上,可克服LTCC热导率低的缺点。经可靠性测试,在LTCC表面实施薄膜工艺与在氧化铝陶瓷上的可靠性相当。

薄膜电路技术在T/R组件中的应用

4. 结语

从以上分析可以看出,与传统的在陶瓷基板实施薄膜工艺相比,薄膜技术在T/R组件的应用有两个明显的新的趋势,一是,在高导热的金属、合金、复合材料( Al/SiC)上采用多层薄膜工艺,制造T/R组件,提高了组件耐功率性能,并且利于封装;还可根据设计需要把芯片贴装在表面的凹腔内,减短了金丝键合的长度或者不用键合,减小了或克服了寄生效应,改善组件性能;二是在其他多层基板(如HTCC或LTCC)上,实施薄膜工艺制造T/R组件,充分发挥HTCC或LTCC易实现多层及埋置无源器件的优点以及薄膜工艺高精度、低损耗的优点,对减小T/R组件基板尺寸、改善组件的电性能和热性能有重要意义。

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最近,麻省理工学院(MIT)、半导体公司IQE、哥伦比亚大学、IBM以及新加坡MIT研究与技术联盟的...

发表于 2018-01-04 11:13 788次阅读
详细剖析新型氮化镓功率器件的技术特性

隧穿场效应晶体管是什么_隧穿场效应晶体管的介绍

隧穿场效应晶体管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的...

发表于 2018-01-03 15:32 692次阅读
隧穿场效应晶体管是什么_隧穿场效应晶体管的介绍

有机场效应晶体管工作原理和主要性能指标

有机场效应晶体管(organic fieldeffect tran-sisbor,OFET)因具有以...

发表于 2018-01-03 14:53 518次阅读
有机场效应晶体管工作原理和主要性能指标

有机场效应晶体管是什么_有机场效应晶体管介绍

本文从基本结构、工作原理、应用研究三个方面介绍了有机场效应晶体管。

发表于 2018-01-03 14:20 1003次阅读
有机场效应晶体管是什么_有机场效应晶体管介绍

宜普电源推出40 V氮化镓功率晶体管,应用于PO...

宜普公司为功率系统设计师提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管(EPC...

发表于 2017-12-29 10:40 1763次阅读
宜普电源推出40 V氮化镓功率晶体管,应用于PO...

三极管开关电路设计电路图原理详解

晶体管开关电路(工作在饱和态)在现代电路设计应用中屡见不鲜,经典的74LS,74ALS等集成电路内部...

发表于 2017-12-29 07:24 3248次阅读
三极管开关电路设计电路图原理详解

对FinFET技术的详细分析

我们首先来了解一下什么是FinFET技术。

发表于 2017-12-26 16:44 1727次阅读
对FinFET技术的详细分析

高通 NanoRings 技术可让晶体管的栅极能...

半导体行业观察:目前,制造先进芯片离不开晶体管,其核心在于垂直型栅极硅,原理是当设备开关开启时,电流...

发表于 2017-12-26 11:50 1378次阅读
高通 NanoRings 技术可让晶体管的栅极能...

大学总搞不懂IGBT是什么的小伙伴们?这篇文章告...

电的发现是人类历史的革命,由它产生的动能每天都在源源不断的释放,人对电的需求不亚于人类世界的氧气,如...

发表于 2017-12-25 09:54 2352次阅读
大学总搞不懂IGBT是什么的小伙伴们?这篇文章告...

igbt模块怎么测量好坏

IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型...

发表于 2017-12-14 16:21 2014次阅读
igbt模块怎么测量好坏

igbt主要材料及参数介绍

IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通...

发表于 2017-12-14 15:56 836次阅读
igbt主要材料及参数介绍

igbt的使用方法

IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型...

发表于 2017-12-14 15:25 718次阅读
igbt的使用方法

SMT晶体管(Qorvo的QPD1013)的Ga...

氮化镓技术的不断进步促使设备在更高的功率、电源电压和频率下工作。 本文介绍了使用市售SMT晶体管(Q...

发表于 2017-12-13 17:27 353次阅读
SMT晶体管(Qorvo的QPD1013)的Ga...

教你如何测试电脑显示器

电脑显示器通常也被称为电脑监视器或电脑屏幕。它是除了CPU、主板、内存、电源、键盘、鼠标之外最重要的...

发表于 2017-12-11 14:25 1710次阅读
教你如何测试电脑显示器

基于高性能GaAsSb基区的射频和微波测试仪器设...

Abstract 一种用于射频和微波测试系统的高性能GaAsSb基区,InP集电区 DHBT IC ...

发表于 2017-12-10 01:26 89次阅读
基于高性能GaAsSb基区的射频和微波测试仪器设...

soc低功耗设计技术有哪些?汇总分析

SoC的定义多种多样,由于其内涵丰富、应用范围广,很难给出准确定义。一般说来, SoC称为系统级芯片...

发表于 2017-12-03 09:34 395次阅读
soc低功耗设计技术有哪些?汇总分析

集成电路内部如何降低功耗?具体操作步骤

集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及...

发表于 2017-12-03 09:10 354次阅读
集成电路内部如何降低功耗?具体操作步骤

绝缘栅双极晶体管结构与工作原理解析

绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了...

发表于 2017-11-29 15:39 453次阅读
绝缘栅双极晶体管结构与工作原理解析

晶体管射频放大器参数测量的进展和意义

2008年射频功率晶体管取得明显进展,以硅材料为主的双极和CMOS工艺都有突破性进展,特别是应用在L...

发表于 2017-11-25 15:30 213次阅读
晶体管射频放大器参数测量的进展和意义

微波功率晶体管电路及参数分析

微波功率晶体管(以下简称微波功率管)是指用于微波频段的功率放大,输出较大功率,散发出较高热量的晶体管...

发表于 2017-11-25 13:16 170次阅读
微波功率晶体管电路及参数分析

适用于GNSS接收机的低噪声混频器的设计

随着GNSS的不断发展和中国北斗二代卫星导航系统的加快建设,卫星导航定位系统在各领域的应用将更加广泛...

发表于 2017-11-24 10:44 136次阅读
适用于GNSS接收机的低噪声混频器的设计

晶体管的创新将加速电子元件柔性化

那么晶体管是什么呢?它其实是一个处理信号和数据的微型器件。传统意义上,作为一种固体半导体器件,它具有...

发表于 2017-11-23 16:04 851次阅读
晶体管的创新将加速电子元件柔性化

如何提高三极管的开关速度?

三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱...

发表于 2017-11-22 14:51 2327次阅读
如何提高三极管的开关速度?

柔软的流体晶体管问世,距离液态计算机更进一步

近日报道,美国卡耐基梅隆大学(CMU)科学家研发出一种在室温下呈液态的金属合金,并将其注入橡胶后制成...

发表于 2017-11-08 13:42 209次阅读
柔软的流体晶体管问世,距离液态计算机更进一步

电子管和晶体管的区别

电子管,是一种最早期的电信号放大器件。被封闭在玻璃容器(一般为玻璃管)中的阴极电子发射部分、控制栅极...

发表于 2017-11-01 17:13 1015次阅读
电子管和晶体管的区别

图文结合浅析晶体管施密特触发器电路原理

晶体管施密特触发器如下图所示,电路由两极电阻耦合共发射极晶体管放大器组成。与一般两极电阻耦合放大器不...

发表于 2017-11-01 13:10 353次阅读
图文结合浅析晶体管施密特触发器电路原理

来个简单小测试,让你真正了解晶体管

半导体行业大致按照摩尔定律发展了半个多世纪,对二十世纪后半叶的世界经济增长做出了贡献,并驱动了一系列...

发表于 2017-10-30 10:49 2784次阅读
来个简单小测试,让你真正了解晶体管

电路中见到0欧的电阻,你会迷惑吗?

DCpower一般是指带实际电压的源,其他的都是标号(在有些仿真软件中默认的把标号和源相连的)VDD...

发表于 2017-09-18 10:08 2354次阅读
电路中见到0欧的电阻,你会迷惑吗?

特殊晶体管的检测方法

普通达林顿管内部由两只或多只晶体管的集电极连接在一起复合而成,其基极b 与发射极e之间包含多个发射结...

发表于 2017-08-14 14:48 225次阅读
特殊晶体管的检测方法

中新研究出新型“神经元晶体管” 能模拟单个神经元...

电子发烧友早八点讯:近日,中国和新加坡科学家合作,利用二硫化钼创建出一种新型“神经元晶体管”。每个晶...

发表于 2017-07-07 01:09 291次阅读
中新研究出新型“神经元晶体管” 能模拟单个神经元...

场效应管电子开关如何实现多点控制?

当开关按下时,1uF电容被连接到220欧姆和33K电阻连接点,NPN晶体管截止,场效应管导通开启负载...

发表于 2017-06-30 15:06 1055次阅读
场效应管电子开关如何实现多点控制?

射频MOS功率放大电路模拟器的设计方案分析,射频...

窄带的稳定电路是进行一定的增益消耗。这种稳定电路是通过增加一定的消耗电路和选择性电路实现的。这种电路...

发表于 2017-06-18 11:38 753次阅读
射频MOS功率放大电路模拟器的设计方案分析,射频...

上拉下拉电阻问题分析,流散、接地、冲击接地电阻都...

在总线的上下拉电阻设计中,你就要考虑同样的问题了:总线上往往负载很重,如果你要电阻来提供一些值,你就...

发表于 2017-06-05 10:47 641次阅读
上拉下拉电阻问题分析,流散、接地、冲击接地电阻都...

石墨烯+C60+六方氮化硼=未来的晶体管=不会碎...

材料由一种名叫C60的微粒制成,C60是半导体,上面涂有其它材料,比如石墨烯和六方氮化硼。为什么这种...

发表于 2017-06-03 11:08 414次阅读
石墨烯+C60+六方氮化硼=未来的晶体管=不会碎...

电容容量是不是越大就越好?三点式基于电容的振荡电...

由于电容上寄生电感的存在,电容放电回路会在某个频点上发生谐振,在谐振点,电容的阻抗小,因此放电回路的...

发表于 2017-05-31 14:11 899次阅读
电容容量是不是越大就越好?三点式基于电容的振荡电...

晶体管和晶闸管的区别,单结晶体管和晶闸管的识别检...

晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和...

发表于 2017-05-27 17:41 1539次阅读
晶体管和晶闸管的区别,单结晶体管和晶闸管的识别检...

LCD驱动工作原理 ,基于51单片机LCD底层时...

高信息密度显示技术中首先商品化的是被动矩阵显示技术,它得名于控制液晶单元的开和关的简单设计。被动矩阵...

发表于 2017-05-25 10:37 1723次阅读
LCD驱动工作原理 ,基于51单片机LCD底层时...

数字型IGBT的设计与实现,IGBT过流的检测方...

随着电力电子器件技术的发展,大功率器件在轨道交通、直流输电、风力发电等领域的市场迅猛发展,其中以IG...

发表于 2017-05-25 09:50 387次阅读
数字型IGBT的设计与实现,IGBT过流的检测方...

IGBT系统功能介绍,IGBT吸收电路参数该如何...

IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成...

发表于 2017-05-25 08:55 2262次阅读
IGBT系统功能介绍,IGBT吸收电路参数该如何...

LED首字母代码是什么意思?一款高低电平智能控制...

大功率LED作为照明光源具有体积小、耗电小、发热小、寿命长、响应速度快、安全低电压、耐候性好、方向性...

发表于 2017-05-22 16:10 407次阅读
LED首字母代码是什么意思?一款高低电平智能控制...

国内igbt技术相比国外如何?igbt安全注意事...

技术也要与之相适应。未来IGBT模块技术将围绕 芯片背面焊接固定 与 正面电极互连 两方面改进。模块...

发表于 2017-05-16 16:45 753次阅读
国内igbt技术相比国外如何?igbt安全注意事...

两个IGBT比一个IGBT好在哪里?IGBT使用...

IGBT单管和IGBT模块的控制电路是一样的,它们的作用和工作原理基本一样,IGBT模块可以看成是多...

发表于 2017-05-14 15:02 1439次阅读
两个IGBT比一个IGBT好在哪里?IGBT使用...

igbt封装,单管IGBT,IPM和IMP的区别...

IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PI...

发表于 2017-05-14 14:31 1103次阅读
igbt封装,单管IGBT,IPM和IMP的区别...

IGBT是什么,IGBT工作原理,IGBT的特性...

当集电极被施加一个反向电压时, J1 就会受到反向偏压控制,耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个...

发表于 2017-05-14 09:00 11400次阅读
IGBT是什么,IGBT工作原理,IGBT的特性...

晶体管的主要参数与晶体管的开关特效

晶体管全称双极型三极管(Bipolar junction transistor,BJT)又称晶体三极...

发表于 2017-05-11 15:54 648次阅读
晶体管的主要参数与晶体管的开关特效

IGBT的工作特性与IGBT的检测

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,...

发表于 2017-05-10 16:37 677次阅读
IGBT的工作特性与IGBT的检测

什么是函数信号发生器,函数信号发生器的作用,函数...

函数信号发生器是一种能提供各种频率、波形和输出电平电信号的设备。在测量各种电信系统或电信设备的振幅特...

发表于 2017-05-09 10:45 1532次阅读
什么是函数信号发生器,函数信号发生器的作用,函数...